國內廠(chǎng)商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓，有望實(shí)現“彎道超車(chē)”

　　相信所有人對“存儲器”這個(gè)名詞一點(diǎn)都不陌生，因為所有的電子產(chǎn)品都必須用到存儲器，且通常用到不只一種存儲器，說(shuō)它是一種“戰略物資”也不為過(guò)。

　　存儲器：DRAM和NAND

　　存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來(lái)存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中，它根據控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器是現代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備，有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。隨著(zhù)移動(dòng)設備、物聯(lián)網(wǎng)應用的興起，對于節能的數據儲存與內存技術(shù)需求日益增加，目前的內存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流。

　　DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM只能將數據保持很短的時(shí)間，為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時(shí)間刷新一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的信息就會(huì )丟失。

　　NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅動(dòng)器更好的存儲方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著(zhù)人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數據。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

　　韓國是全球存儲芯片市場(chǎng)的主流廠(chǎng)商

　　市場(chǎng)對DRAM和NAND的需求很多，包括來(lái)自數據中心、移動(dòng)電話(huà)、個(gè)人計算機、汽車(chē)、智能家電及智能城市等龐大需求。而全球主要內存芯片供貨商的門(mén)坎很高，哪怕經(jīng)歷了幾十年的起伏，市場(chǎng)也一直被三星、SK海力士等廠(chǎng)商主導，并已經(jīng)形成壟斷局面。

　　有調查數據顯示，截至今年第三季度，韓國芯片巨頭三星在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續保持著(zhù)統治優(yōu)勢，這主要是因為韓國本土券商集體看好芯片業(yè)務(wù)給三星電子業(yè)績(jì)帶來(lái)的推動(dòng)作用。

　　報告顯示，按照營(yíng)收計算，三星電子第三季度占據了全球DRAM內存芯片市場(chǎng)44.5%的份額;另一家韓國廠(chǎng)商SK海力士緊隨其后，市場(chǎng)份額達到27.9%。美國存儲芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三，市場(chǎng)份額達到22.9%;中國臺灣的南亞科技位居第四，市場(chǎng)份額為2.2%。

　　雖然全球芯片市場(chǎng)將在不久后失去熱度，但隨著(zhù)帶有人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)產(chǎn)品的不斷上市，預計存儲芯片市場(chǎng)的需求仍將會(huì )繼續上漲。與中國芯片制造商相比，韓國的三星電子和SK海力士仍在不斷提升技術(shù)競爭優(yōu)勢，上述兩家公司在未來(lái)仍將是全球存儲芯片市場(chǎng)的主流廠(chǎng)商。

　　存儲器產(chǎn)業(yè)走寒，遭遇困境

　　隨著(zhù)近兩年內存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，已逐步呈現“衰落”之勢，因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開(kāi)始反轉，且DRAM內存芯片在2018年首季之后的供需動(dòng)態(tài)能見(jiàn)度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過(guò)四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場(chǎng)為PC機內存和手機內存，DRAM需求逐漸趨緩，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過(guò)于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低。

　　今年第一和第二季度，DRAM依然持上漲之勢，三星、SK海力士和美光等廠(chǎng)商也都先后宣布了擴產(chǎn)計劃。但最近局面似乎有所轉變，存儲器價(jià)格走低，一方面是PC、移動(dòng)設備和數據中心這三大應用產(chǎn)品的需求動(dòng)能在過(guò)去幾周明顯趨緩，這恐怕會(huì )讓第三季度報價(jià)一路走低。另一方面，由于需求降溫的關(guān)系，三星電子、SK 海力士的庫存也在增加。表現在DRAM層面，由于三星、SK海力士增產(chǎn)的影響，預估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚20%、20-25%。這將為市場(chǎng)帶來(lái)壓力，而需求也將相對收縮，外資相繼調降美光目標價(jià)。

　　NAND遭遇了同樣困境。根據下半年智能手機市場(chǎng)出貨表現將相對疲弱，NAND閃存的供給過(guò)剩情況將日益惡化。因而有業(yè)內人士分析稱(chēng)2019年上半年NAND價(jià)格將重挫，目前的存儲定價(jià)周期與2014年末到2015年初情況相似，當時(shí)也出現存儲器需求大跌的狀況。

　　三星、海力士發(fā)力，價(jià)格戰一觸即發(fā)

　　近日，有韓媒指出，今年第一季三星電子和SK海力士(SK Hynix)的半導體庫存雙雙創(chuàng )下新高，滿(mǎn)坑滿(mǎn)谷的記憶體賣(mài)不動(dòng)，三星或許因此殺紅了眼。

　　今年Q1季末，三星電子的半導體庫存達7.4萬(wàn)億韓元，寫(xiě)下同季歷史新高。SK海力士的半導體庫存為2.2萬(wàn)億韓元，更創(chuàng )下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4應是出貨旺季，但Q4庫存增加速度之快，幾乎前所未見(jiàn)。

　　三星半導體庫存連年提高，近來(lái)更急速成長(cháng)。今年Q1超越7萬(wàn)億韓元，和去年同期相比，Q1庫存飆升了1.7萬(wàn)億韓元。主要原因應是記憶體買(mǎi)氣驟減，Q1三星記憶體部門(mén)營(yíng)收年減3，700萬(wàn)億韓元。

　　與此同時(shí)，常理上SK海力士的庫存大都在1.5萬(wàn)億韓元以下，不料去年年底突然暴增至1.9萬(wàn)億韓元，今年Q1又一舉突破2萬(wàn)億韓元。SK海力士的庫存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升，庫存爆滿(mǎn)，其主要問(wèn)題是記憶體前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會(huì )啟動(dòng)更激烈的殺價(jià)戰，出清庫存。

　　記憶體業(yè)凄慘，又有新技術(shù)出來(lái)?yè)屖袌?chǎng)，前景更為黯淡。日前，有媒體報導，“相變化記憶體”因成本太高，智慧機等行動(dòng)裝置無(wú)法采納，過(guò)去15年來(lái)一直應用在光碟片等科技產(chǎn)品。然而，IBM現在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個(gè)記憶單位中儲存3位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無(wú)障礙，未來(lái)可能會(huì )讓記憶體領(lǐng)域出現巨變。

　　三星趁著(zhù)對手SK海力士、美光轉進(jìn)20奈米不順之際，增產(chǎn)搶市占，意圖趕盡殺絕，DRAM恐怕只剩三星一家獨活。

　　韓媒在4月網(wǎng)站兩篇報導指出，制程微縮難度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶頸，原先預期記憶體產(chǎn)出將因此大減，沒(méi)想到三星在一旁虎視眈眈，趁著(zhù)對手碰壁時(shí)，奪取市占。DRAM僅剩三大廠(chǎng)，通常產(chǎn)業(yè)整合后，大家會(huì )較為節制，結果三星非但沒(méi)松手，還想把DRAM市占從當前的40%、提高至近50%。

　　國產(chǎn)存儲器加緊布局，有望實(shí)現“彎道超車(chē)”

　　這是一個(gè)得存儲器者得天下的時(shí)代。存儲器被普遍稱(chēng)為“半導體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級的重要賣(mài)點(diǎn)。同時(shí)，漲價(jià)侵蝕著(zhù)原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機產(chǎn)業(yè)，一路打價(jià)格戰的智能手機企業(yè)橫迎來(lái)史上首次漲價(jià)潮。

　　存儲器漲價(jià)從2016年下半年開(kāi)始，到2017年DRAM價(jià)格漲幅將達到39%，NAND漲幅也將達到25%。這是由于需求增長(cháng)和供給收縮。主要由于以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場(chǎng)存儲器創(chuàng )新競賽，將2DNANDFlash轉移至三維閃存3DNANDFlash的技術(shù)革命，以及國產(chǎn)品牌手機出貨量持續增長(cháng)，新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲器產(chǎn)能正被大量消耗導致產(chǎn)能增長(cháng)放緩。

　　國內存儲器目前主要依靠進(jìn)口，根據數據，我國每年進(jìn)口的存儲器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。在這樣的格局中，國家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭。

　　國產(chǎn)存儲器正在南京、武漢、晉江三地建構著(zhù)三足鼎立之勢，2016年7月，紫光控股、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團共同出資240億美元成立了長(cháng)江存儲。長(cháng)江存儲主要從事3DNANDFlash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開(kāi)始量產(chǎn)，擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，同時(shí)從事SOC、三維集成、MCU平臺等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。

　　在全球存儲器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)刻，不知中國企業(yè)能夠也能開(kāi)拓出一片屬于自己的市場(chǎng)。中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場(chǎng)，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭，有望實(shí)現存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車(chē)”，在全球競爭中占有一席之地。