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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
DRAM大廠(chǎng)：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩？
- 6月5日，DRAM大廠(chǎng)南亞科公布2023年5月自結合并營(yíng)收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng )下今年新高水準。累計前5月合并營(yíng)收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據中國臺灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩。南亞科總經(jīng)理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長(cháng)率可能低于長(cháng)期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來(lái)各種消費型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠(chǎng)、智能汽車(chē)、智能家庭、智能穿戴
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
DDR5 重新下跌，內存現貨價(jià)格未見(jiàn)回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預期不太樂(lè )觀(guān)。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5
海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內存程序進(jìn)行驗證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對
- 關(guān)鍵字： 海力士 DDR5
韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM
- 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱(chēng)，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線(xiàn)寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱(chēng)，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節點(diǎn)的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術(shù)，據說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認為，與SK海力士和美
- 關(guān)鍵字： 三星 4F2結構 DRAM
不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團隊開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專(zhuān)業(yè)的團隊，負責開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F2 級別，在不改變工藝節點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專(zhuān)業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM一季營(yíng)收環(huán)比下降21.2%，連續三個(gè)季度衰退
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷(xiāo)售單價(jià)三大原廠(chǎng)均下跌。目前因供過(guò)于求尚未改善，價(jià)格依舊續跌，然而在原廠(chǎng)陸續減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預期營(yíng)收成長(cháng)幅度有限。營(yíng)收方面，三大原廠(chǎng)營(yíng)收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）同步下跌，營(yíng)收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
需求好轉？?jì)杉掖鎯S(chǎng)商部分應用領(lǐng)域出現急單
- 受消費電子市場(chǎng)需求疲弱影響，存儲產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來(lái)持續“過(guò)冬”，加上今年一季度為市場(chǎng)淡季，供過(guò)于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲產(chǎn)業(yè)市況如何？未來(lái)是否將有所好轉？近期，南亞科、華邦電兩家存儲廠(chǎng)商對此進(jìn)行了回應。南亞科：庫存逐步去化，部分應用領(lǐng)域已出現急單近期，媒體報道，DRAM廠(chǎng)商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點(diǎn)，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領(lǐng)域已出現急單。為滿(mǎn)足市場(chǎng)應用需求趨勢，南亞科持續開(kāi)發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 存儲廠(chǎng)商 DRAM
三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著(zhù)我們?yōu)闈M(mǎn)足計算市場(chǎng)對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著(zhù)芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數據中
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR5 DRAM
三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM
- 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內存擴展器）后，又繼續推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬?？蓴U展內存（Memory Expander）“作
- 關(guān)鍵字： 三星電子 CXL 2.0 CXL DRAM
三星、美光等推動(dòng)普及，DDR5正進(jìn)入放量期
- 在行業(yè)下行周期時(shí)，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì )成為振奮市場(chǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)。當下DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點(diǎn)。據外媒消息報道，行業(yè)專(zhuān)家認為三星、美光等公司正大力推動(dòng)DDR5內存普及，以此遏制半導體市場(chǎng)下滑的趨勢。公開(kāi)資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設備工程委員會(huì )（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是1
- 關(guān)鍵字： 三星 美光 DDR5
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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