EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
DDR5服務(wù)器DRAM價(jià) Q2跌幅料收斂
- 服務(wù)器新平臺英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機種量產(chǎn)在即，但近期市場(chǎng)上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問(wèn)題。研調機構集邦科技（Trendforce）認為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠(chǎng)短期內將同步提升對芯源的采購比重，另外內存將停留在舊制程，因此預估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價(jià)格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統）供應的電源管理IC無(wú)狀況，DRAM原廠(chǎng)短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠(chǎng)DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內供給量難
- 關(guān)鍵字： DDR5 服務(wù)器DRAM Trendforce
Server DDR5 RDIMM傳PMIC問(wèn)題，供給受限跌幅將收斂
- 服務(wù)器新平臺Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機種量產(chǎn)在即，但近期市場(chǎng)上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問(wèn)題，目前DRAM原廠(chǎng)與PMIC廠(chǎng)商均已著(zhù)手處理。TrendForce集邦咨詢(xún)認為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統）供應的PMIC無(wú)狀況，DRAM原廠(chǎng)短期內將同步提升對芯源的采購比重。其次，目前原廠(chǎng)DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內供給量難免受此事件影響，故預估第二季DDR5 Server DRAM
- 關(guān)鍵字： Server DDR5 RDIMM PMIC
SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶(hù)公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開(kāi)發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著(zhù)人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲器需求也隨之增長(cháng)，公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng)，以滿(mǎn)足
- 關(guān)鍵字： SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
利基型DRAM市場(chǎng)Q2回穩
- 據媒體報道，盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶(hù)洽談合約價(jià)格已看到止穩跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷(xiāo)售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動(dòng)存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價(jià)格上看，在NAND Flash方面，此前據TrendForce集邦咨詢(xún)3月30日調查指出，即便原廠(chǎng)持續進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
- 關(guān)鍵字： 利基型 DRAM
存儲產(chǎn)品價(jià)格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過(guò)于求問(wèn)題
- IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導致存儲產(chǎn)品價(jià)格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績(jì)營(yíng)業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機以來(lái)，三星時(shí)隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據韓國《中央日報》援引業(yè)內人士消息，三星的減產(chǎn)計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內存產(chǎn)品線(xiàn)產(chǎn)量將削減 3 至 6 個(gè)月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過(guò)技術(shù)性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DDR4 DDR5 三星
第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見(jiàn)止跌訊號
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，由于部分供應商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預估第二季跌幅會(huì )收斂至10~15%。不過(guò)，由于2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見(jiàn)終止，在目前原廠(chǎng)庫存水位仍高的情況下，除非有更大規模的減產(chǎn)發(fā)生，后續合約價(jià)才有可能反轉。PC DRAM方面，由于買(mǎi)方已連續三季大減采購量，目前買(mǎi)方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC DRAM原廠(chǎng)已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
- 關(guān)鍵字： DRAM 止跌 TrendForce
DRAM市況何時(shí)回溫？存儲廠(chǎng)商這樣說(shuō)
- 當前，由于消費電子市場(chǎng)需求持續疲弱，當前存儲器賣(mài)方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產(chǎn)品價(jià)格持續下探。為避免存儲器產(chǎn)品再出現大幅跌價(jià)，多家供應商已經(jīng)開(kāi)始積極減產(chǎn)，盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢(xún)仍預估當季DRAM價(jià)格跌幅將達13~18%，NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉南亞科總經(jīng)理李培英認為，受高通貨膨脹與供應鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲
存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND Flash
平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲器
三大存儲模組廠(chǎng)商談產(chǎn)業(yè)前景
- 存儲模組大廠(chǎng)威剛認為，以供給面而言，DRAM供給相對單純且市場(chǎng)庫存水位較低，看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費性需求尚未全面復蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力，但存儲器中下游業(yè)者庫存調整已歷經(jīng)近一年時(shí)間，并也降至相對健康水位，因此只要存儲器價(jià)格明確落底，市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預估，第一季營(yíng)收走勢可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認為，DRAM上半年仍會(huì )處于供過(guò)于求，但在原廠(chǎng)減產(chǎn)、減少資本支
- 關(guān)鍵字： 存儲模組 威剛 宇瞻 DRAM
外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
- 關(guān)鍵字： 存儲 3D DRAM
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473