功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。

存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著(zhù)芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。

三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數據中心運營(yíng)商能夠減少能源消耗和碳足跡。

該芯片還具有 7.2Gbps 的最大速度，這意味著(zhù)它可以在大約一秒鐘內處理 60GB，滿(mǎn)足數據中心，AI 和新的計算應用需求。

12nm 節點(diǎn)的實(shí)現要歸功于三星使用了一種新型高 k 材料，該材料能讓芯片準確區分數據信號的差異。