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ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內存
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來(lái)的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線(xiàn)程、多核通用計算工作負載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景，滿(mǎn)足它們對
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 128GB RDIMM內存
存儲器大廠(chǎng)積極布局，DDR5與HBM受青睞
- 今年以來(lái)，ChatGPT持續推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場(chǎng)青睞，存儲器大廠(chǎng)不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線(xiàn)當前DDR5制程已經(jīng)來(lái)到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內存，速率高達 7200 MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶(hù)出貨。此外，該款DDR5內存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DDR5 HBM
芯片設計中，DRAM 類(lèi)型的選擇正在變復雜
- 選擇越多，選擇越難。
- 關(guān)鍵字： DRAM
市況好轉 內存廠(chǎng)Q3獲利嗨
- NAND Flash現貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內存市況確立好轉，帶動(dòng)內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀(guān)察第三季內存族群財報，內存制造大廠(chǎng)包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jì)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財務(wù)指標來(lái)看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠(chǎng)商，則有創(chuàng )見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績(jì)表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務(wù)數
- 關(guān)鍵字： 內存 ?NAND Flash DRAM
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會(huì )上，東芯半導體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪(fǎng)過(guò)東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會(huì )上帶來(lái)了全線(xiàn)的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
DDR5 成競逐焦點(diǎn)
- 如今，無(wú)論是 PC、筆記本電腦還是人工智能，各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀元邁進(jìn)。今年，生成式 AI 市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，用于大模型應用的 AI 服務(wù)器大力推動(dòng)了對 DDR5 的需求。隨著(zhù)內存市場(chǎng)需求的回暖，內存芯片供應商們已著(zhù)手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。那么，DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢？以及它如何成為未來(lái)存儲市場(chǎng)的焦點(diǎn)？DDR3、DDR4 再到 DDR5在過(guò)去的十多年，DDR3 內存是服務(wù)器中常用的內存標準，其時(shí)鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等，適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等，隨
- 關(guān)鍵字： DDR5 北京君正 瀾起科技
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
通脹沖擊消費電子終端買(mǎi)氣，2022年DRAM模組廠(chǎng)營(yíng)收年減4.6%
- 受高通脹沖擊消費電子產(chǎn)品買(mǎi)氣影響，據TrendForce集邦咨詢(xún)統計，2022年全球DRAM模組市場(chǎng)整體銷(xiāo)售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠(chǎng)因供應的領(lǐng)域不同，使得各家營(yíng)收表現差異較大。TrendForce集邦咨詢(xún)統計，2022年全球前五大存儲器模組廠(chǎng)占整體銷(xiāo)售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場(chǎng)的96%營(yíng)業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營(yíng)收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場(chǎng)需求不佳，但基于Kingston品牌規模，加上完整的產(chǎn)品供應鏈，使得其營(yíng)收衰退幅度較小，僅衰
- 關(guān)鍵字： 消費電子 DRAM 模組
美光推高速內存 效能增5成
- 美光的新一代內存，目前已出貨給數據中心及PC客戶(hù)。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，并以更高效能輔佐數據中心及客戶(hù)端平臺，支持AI訓練及推論、生成式AI、數據分析、內存數據庫等。美光推出的16Gb DDR5內存，以其領(lǐng)先1β制程節點(diǎn)技術(shù)，美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200MT／s，相較于前一代產(chǎn)品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品，在現有模塊化密度中，速率可達4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數據中心及客戶(hù)端應用。
- 關(guān)鍵字： 美光 高速內存 DDR5
DDR5時(shí)代來(lái)臨,新挑戰不可忽視
- 在人工智能（AI）、機器學(xué)習（ML）和數據挖掘的狂潮中，我們對數據處理的渴求呈現出前所未有的指數級增長(cháng)。面對這種前景，內存帶寬成了數字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數據傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現了顯著(zhù)的進(jìn)步。如今，無(wú)論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
- 關(guān)鍵字： DDR5 Cadence Sigrity X
三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字： NAND SSD DRAM
明年，DDR5內存或將成為主流
- 據媒體引述內存模組制造商表示，主要半導體制造商正在增加DDR5內存的可用容量，該內存預計將在2024年成為主流。預計到2023年底，他們的DDR5內存bit銷(xiāo)售額合計將占bit銷(xiāo)售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數據速率同步動(dòng)態(tài)隨機存取內存，又稱(chēng)DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在帶寬，頻率上優(yōu)勢都是非常明顯的。今年來(lái)，DDR5的動(dòng)態(tài)頻繁傳來(lái)：三星方面，該公司于今年5月量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功開(kāi)發(fā)12nm級32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
- 關(guān)鍵字： DDR5 內存
1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠(chǎng)商新一輪裝備競賽已拉開(kāi)帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿(mǎn)挑戰的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱(chēng)為 1β DRAM，而三星將其稱(chēng)為 1b DRAM。美光于去年 10 月開(kāi)始量產(chǎn) 1β DRAM，不過(guò)研發(fā)的目標是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標志著(zhù)美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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