三星、美光等推動(dòng)普及，DDR5正進(jìn)入放量期

在行業(yè)下行周期時(shí)，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì )成為振奮市場(chǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)。當下DDR5 DRAM作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競逐的焦點(diǎn)。據外媒消息報道，行業(yè)專(zhuān)家認為三星、美光等公司正大力推動(dòng)DDR5內存普及，以此遏制半導體市場(chǎng)下滑的趨勢。

公開(kāi)資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設備工程委員會(huì )（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是10納米級DRAM節點(diǎn)的第3代或第4代。DDR5內存包含多項創(chuàng )新和新的DIMM架構，可實(shí)現速度等級跳躍并支持未來(lái)擴展。

在產(chǎn)品上，三星在2022年12月下旬宣布利用12nm級制程工藝成功開(kāi)發(fā)出16Gb DDR5 DRAM，近期將與AMD完成了兼容性測試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

美光方面則在1月19日宣布推出新一代DDR5內存模塊，產(chǎn)品覆蓋DDR5-5200/5600，最高擁有48GB容量的版本。據悉，美光新一代DDR5內存可以支持5200MT/s和5600MT/s的數據傳輸速率，以及1.1V電壓下的CL46延遲，同時(shí)兼容AMD EXPO和英特爾XMP 3.0配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了49%，配置最高可達48GB。據悉，美光的新DDR5存儲模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認證。

市場(chǎng)消息顯示，DDR4 DRAM當前占據了內存市場(chǎng)的大部分份額，從過(guò)往歷史看，每代DDR新標準發(fā)布后都需要經(jīng)過(guò)2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現性能的較為全面的穩定提升，而后實(shí)現對上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數據顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。DDR4存儲器標準于2012年發(fā)布，而其初代產(chǎn)品則于2014年入市，直到2016年才實(shí)現了市場(chǎng)份額的大幅提升。

對于最新一代的DDR5而言，其最新款產(chǎn)品產(chǎn)能還處于爬坡期，售價(jià)還較高，性能也未發(fā)展到最優(yōu)。業(yè)界認為這兩年是DDR5高速發(fā)展期，特別是從今年起，DDR5滲透率將大幅提升。并且由于DDR技術(shù)愈發(fā)成熟，DDR5的保質(zhì)期或比DDR4長(cháng)。

目前多位業(yè)界人士對于DDR5發(fā)展前景較為看好，TrendForce集邦咨詢(xún)分析師吳雅婷表示，隨著(zhù)時(shí)間的推移，預計自2023年起，服務(wù)器端將逐步導入DDR5，在server新平臺的帶動(dòng)下，將會(huì )拉高DDR5比重。DDR5有望取代DDR4，DDR5 DRAM將迎來(lái)快速普及期，成為市場(chǎng)中供給/采用的主流產(chǎn)品。TrendForce集邦咨詢(xún)認為，DDR5與DDR4成為主流應用的交會(huì )點(diǎn)應該在2024年底前或2025年初。