存儲進(jìn)入筑底階段？

隨著(zhù)三大內存芯片廠(chǎng)商紛紛加入減產(chǎn)，預計內存供需狀況將從 23 年第三季度開(kāi)始好轉，擺脫供應過(guò)剩局面。到 2023 年，DRAM 供應量的年增長(cháng)率應該僅為 5%。在產(chǎn)出基礎上（不包括庫存），供應增長(cháng)將歷史上首次同比下降。芯片需求將主要由個(gè)人電腦和智能手機引領(lǐng)。至于 PC，在經(jīng)歷了兩年的需求放緩之后，需求將以高性能計算機 (HPC) 為中心有所改善。

IT 需求改進(jìn)應因應用程序和參與者而異。預計 AI 和 HPC 處理器、能夠生產(chǎn)它們的領(lǐng)先代工廠(chǎng)以及高端智能手機的需求量很大。與此同時(shí)，缺乏技術(shù)實(shí)力和品牌影響力的二線(xiàn)企業(yè)將在需求疲軟的情況下繼續掙扎。為了應對不斷增長(cháng)的聊天 GPT 需求，微軟、谷歌、百度和阿里巴巴最近向臺積電追加了數萬(wàn)顆 Nvidia H100 和 A800 處理器的訂單。到 2023 年，iPhone 15 的出貨量預計將達到 9000 萬(wàn)部左右，高于 iPhone 14 的水平。

SEC 和 SK 海力士將從 2023 年第三季度開(kāi)始的內存芯片需求改善中受益。除了內存價(jià)格上漲，預計 SEC 和 SK 海力士的盈利將大幅改善。同樣積極的是對高帶寬內存 (HBM) 的新需求的產(chǎn)生。

美光科技審查事件結果出爐，不僅再次推升了市場(chǎng)對于國產(chǎn)存儲芯片替代進(jìn)程的關(guān)注，也使得本輪半導體周期拐點(diǎn)討論越來(lái)越熱。

受消費低迷影響，存儲芯片仍處于筑底階段。根據 TrendForce 預計，由于 DRAM 和 NAND Flash 下游需求不及預期，部分產(chǎn)品 2023 二季度價(jià)格跌幅有擴大趨勢。

顯然，消費電子下游需求景氣度拐點(diǎn)仍沒(méi)有到來(lái)，這或許解釋了 A 股芯片板塊「一日游行情」的原因。

5 月 22 日，存儲芯片板塊高開(kāi)低走，深科技、佰維存儲等個(gè)股悉數轉跌，整個(gè)芯片板塊回撤明顯。而上一交易日 (5 月 19 日) 存儲芯片板塊掀起漲停潮，芯片股再度「一日游」。

存儲芯片周期進(jìn)入「筑底」階段

2022 年全球消費電子需求明顯下降，原廠(chǎng)、渠道和終端庫存高企，導致存儲芯片價(jià)格一跌再跌。

在今年一季度全球 PC 出貨量下跌 33% 的背景下，存儲芯片價(jià)格一跌再跌，全行業(yè)庫存接近歷史高點(diǎn)，各廠(chǎng)商存貨周轉天數進(jìn)一步大幅增加，整體仍處于主動(dòng)去庫存狀態(tài)。

4 月份，DRAM(4GB) 現貨平均價(jià)環(huán)比下行 3.46%，NAND(64GB) 現貨平均價(jià)環(huán)比上行 0.39%，出現止跌信號。上周末，市場(chǎng)傳聞稱(chēng)長(cháng)江存儲傳出將調漲 NAND Flash 產(chǎn)品價(jià)格后，漲幅約為 3%~5%，有消息稱(chēng)韓國三星電子、SK 海力士也將跟進(jìn)漲價(jià)，且不再接受存儲芯片更低詢(xún)價(jià)。

多個(gè)被視為存儲芯片長(cháng)期跌價(jià)終止的信號出現后，市場(chǎng)分析稱(chēng)，存儲芯片進(jìn)入筑底階段，靜待庫存水位及庫存結構改變。

國盛證券研報指出，根據 TrendForce 表示，DRAM 價(jià)格的跌幅主要原因系 DDR4 和 LPDDR5 庫存過(guò)高，NAND Flash 價(jià)格下跌原因在于市場(chǎng)目前供過(guò)于求的格局仍未明顯改善。我們認為，2023 上半年存儲價(jià)格持續下行，目前已經(jīng)接近底部，后續且待價(jià)格企穩回升。

北京君正在 5 月初的投資者調研中表示，目前看消費行業(yè)庫存去化已取得非常顯著(zhù)的成果，能經(jīng)?？吹郊眴蔚某霈F，這表明客戶(hù)需求已經(jīng)在出現。工業(yè)領(lǐng)域的供求關(guān)系反轉比消費領(lǐng)域會(huì )晚一些，其庫存去化還需要一些時(shí)間?？傮w來(lái)看，第二季度從量的維度上可能環(huán)比一季度不會(huì )有太大的變化。

談及國產(chǎn)化加速下存儲行業(yè)的投資機遇，某半導體行業(yè)人士對記者說(shuō)：「國內廠(chǎng)商短時(shí)間內無(wú)法『吃掉』美光的所有市場(chǎng)份額，產(chǎn)能爬坡和產(chǎn)品導入都需要時(shí)間?！?/p>

半導體周期拐點(diǎn)隱現？

全球半導體存儲市場(chǎng)中，DRAM 和 NAND Flash 是主要的兩種存儲芯片，兩者占據主導地位。據 WSTS 預測，2023 年全球存儲芯片市場(chǎng)規 模將達到 1675 億美元，其中中國存儲器市場(chǎng)空間巨大，預計 2023 年國內存儲芯片市場(chǎng)規模將達到 6492 億元 (約 942 億美元)，約占全球市場(chǎng)的 55.8%。

半導體產(chǎn)業(yè)中，由于存儲芯片是市場(chǎng)需求中最基礎的重要品類(lèi)，呈現出較強的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，也被視為周期的風(fēng)向標。

伴隨存儲芯片價(jià)格筑底，關(guān)于半導體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來(lái)越熱。今年 3 月，全球和中國半導體銷(xiāo)售額自去年 6 月以來(lái)首次實(shí)現環(huán)比增長(cháng)，意味著(zhù)行業(yè)衰退期已經(jīng)過(guò)半。

「一旦渠道環(huán)節完成庫存消化、終端需求崛起，周期便從底部崛起。目前來(lái)看，底部反轉的多項條件已經(jīng)具備，比如美元加息預期減弱。半導體是全球性產(chǎn)業(yè)，對宏觀(guān)經(jīng)濟波動(dòng)影響敏感，周期的拐點(diǎn)也與美元利率掛鉤?！拱雽w人士補充說(shuō)：「三季度是半導體需求旺季，也成為今年半導體板塊業(yè)績(jì)的『勝負手』。不同產(chǎn)品的渠道庫存去化進(jìn)展不同，總體上，我們預計三季度的下游需求可能會(huì )有明顯改善?！?/p>

2022 年是全球半導體行情的「至暗時(shí)刻」，中華半導體芯片指數全年重挫逾 30%，同期美股的費成半導體指數亦是如此。一季報數據來(lái)看，A 股半導體整體業(yè)績(jì)表現不佳，各環(huán)節平均業(yè)績(jì)較上年同期均有一定下滑，僅半導體設備板塊的業(yè)績(jì)實(shí)現了一定增長(cháng)。

估值角度來(lái)看，4 月份，申萬(wàn)半導體指數下跌 6.03%，跑輸滬深 300 指數 5.49 個(gè)百分點(diǎn)。半導體子行業(yè)方面，除半導體設備上漲 18.74% 外，其余均下跌，其中模擬芯片設計、集成電路封測、分立器件跌幅較大，分別下跌 16.34%、14.01%、11.4%。