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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節點(diǎn)DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌却媾c存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著(zhù)提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應用，基于1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
- 關(guān)鍵字： 美光 1β技術(shù)節點(diǎn) DRAM
美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實(shí)現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱(chēng)，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著(zhù) LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消
- 關(guān)鍵字： 美光 LPDDR5X-8500 內存 1β DRAM
SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
DDR5內存與上一代價(jià)差縮小，后市滲透率或借機提升
- 據媒體報道，因筆電市場(chǎng)低迷，沖擊DDR5內存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴大，可望推動(dòng)各廠(chǎng)商在2023年啟動(dòng)產(chǎn)品世代轉換，DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來(lái)看，TrendForce集邦咨詢(xún)預估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場(chǎng)消息上，英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內存條當前秒殺價(jià)為499元，而今年6月份售價(jià)則一直穩定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據了解，PC市場(chǎng)是DDR5的關(guān)鍵終端市場(chǎng)之一。然而近期PC市場(chǎng)情況并不樂(lè )觀(guān)，終
- 關(guān)鍵字： DDR5 滲透率
8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng )新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過(guò)驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺上使用，該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過(guò)了自身在今年3月創(chuàng )下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實(shí)了在內存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動(dòng)設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
DDR5價(jià)格漸親民，巨頭紛紛押注推動(dòng)入市
- 近期，DDR4和DDR5價(jià)格持續下跌，吸引了不少消費者的持續關(guān)注。目前消費電子疲軟還在繼續，據TrendForce集邦咨詢(xún)數據顯示，第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴大至13~18%。從積極方面考量，價(jià)格的親民化或將加速DDR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對比DDR4的優(yōu)勢從過(guò)往歷史看，每代DDR新標準發(fā)布后都需要經(jīng)過(guò)2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現性能的較為全面的穩定提升，而后實(shí)現對上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數據顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據悉，DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DDR4
TrendForce：存儲器廠(chǎng)聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL 1.1規格，而該規格可先實(shí)現的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) 存儲器 CXL AI/ML DRAM
SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機和汽車(chē)到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng )建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著(zhù)芯片特征變得更小，現有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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DDR5內存滿(mǎn)足未來(lái)內容創(chuàng )作、發(fā)布和消費的更高要求
- 在過(guò)去的十年時(shí)間里，隨著(zhù)程序與應用、數據集與復雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展，DDR4技術(shù)已不堪重負，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著(zhù)CPU內核數量的不斷增加，為了應對這些海量需求，內存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴展。下一代系統中的DDR5內存是實(shí)現當前所需性能的最佳解決方案，同時(shí)能夠進(jìn)一步擴展，以滿(mǎn)足未來(lái)內容創(chuàng )作、內容發(fā)布和內容消費的更高要求。內容創(chuàng )作內容創(chuàng )作者受到了DDR4技術(shù)的限制，因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內存密度或內存帶寬。等待時(shí)間延長(cháng)導致效率降低，甚至無(wú)法進(jìn)行多任
- 關(guān)鍵字： DDR5 內存 Crucial 英睿達
庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％
- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM NAND
GeIL 推出支持 AMD EXPO 的 DDR5 內存，內置兩個(gè)小風(fēng)扇
- IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 發(fā)布了 EVO V DDR5 RGB 內存條，采用了雙風(fēng)扇散熱系統，將 RGB 燈效和雙風(fēng)扇主動(dòng)式的散熱設計結合到一體成型的模組中?，F在，GeIL EVO V DDR5 RGB 內存條推出了支持 AMD EXPO 超頻技術(shù)的型號。據介紹，該系列內存采用了 GeIL 獨家主動(dòng)雙風(fēng)扇散熱系統，支持 6400MHz 一鍵超頻，采用了獨家優(yōu)化的 RGB 照明設計，兼容 AM5 平臺。根據 GeIL 之前的介
- 關(guān)鍵字： 內存條 DDR5 GeIL
集邦：明年DRAM需求位成長(cháng)8.3％創(chuàng )新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(cháng)
- 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(cháng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠低于供給位成長(cháng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢下仍相當嚴峻，價(jià)格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應用來(lái)看，高通膨持續沖擊消費市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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美光車(chē)規級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗
- 全球汽車(chē)內存領(lǐng)先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車(chē)規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應用于理想汽車(chē)最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車(chē)型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實(shí)現最高L4級自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車(chē)規級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶(hù)提供出色的娛樂(lè )和用
- 關(guān)鍵字： 美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車(chē)載信息娛樂(lè )系統
朗科DDR5內存來(lái)了，4800MHz高頻率帶幻彩RGB燈效
- 經(jīng)歷漫長(cháng)的產(chǎn)品周期，內存進(jìn)入了DDR5時(shí)代。與DDR4內存相比，DDR5在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有明顯的提升，DDR5標準性能更強，功耗更低。專(zhuān)業(yè)設計、視頻剪輯、大型游戲都離不開(kāi)高容量高性能的內存，為了帶給用戶(hù)更好的使用體驗，更高的性能，朗科推出了絕影RGB DDR5?！ DR5將每只模組升級成2個(gè)獨立32位子通道，擁有多達8個(gè)Bank groups組成32Banks，Burst Length提升至16個(gè)，均是DDR4的2倍，在傳輸更大量數據的同時(shí)降低了數據傳輸等待時(shí)間，帶來(lái)全新的體驗。
- 關(guān)鍵字： 朗科 DDR5
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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