三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)

今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。

"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著(zhù)我們?yōu)闈M(mǎn)足計算市場(chǎng)對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代解決方案，助力實(shí)現更高的生產(chǎn)力。"

與上一代產(chǎn)品相比，三星最新的12納米級DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)率提高了20%。出色的能效表現，使它能夠成為全球IT企業(yè)的服務(wù)器和數據中心節能減排的優(yōu)秀解決方案。

三星12納米級工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)基于一種新型高κ材料，這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數據信號出現明顯的電位差，從而更易于準確地區分。同時(shí)，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶(hù)公司的需求。

三星12納米級DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相當于每秒可處理大約兩部30GB的超高清電影。三星為滿(mǎn)足客戶(hù)需求將持續擴大12納米級DRAM的產(chǎn)品陣容，以支持越來(lái)越多的應用，助力數據中心、人工智能在內的下一代計算。

三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD的兼容性評估，并將繼續與全球IT公司合作，推動(dòng)下一代DRAM市場(chǎng)的創(chuàng )新。