海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗證流程

IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內存程序進(jìn)行驗證。

海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。

英特爾內存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對下一代英特爾至強可擴展平臺和英特爾數據中心認證內存程序的一代產(chǎn)品。

?與此同時(shí)，海力士還表示，應用于下一代英特爾至強可擴展平臺的 1anm DDR5（其中第一個(gè)兼容性測試已經(jīng)完成）也正在進(jìn)行中。

IT之家附海力士發(fā)展與 DDR5 產(chǎn)品的歷史：

• 2020 年 10 月推出 DDR5

• 2021 年 12 月首批 24 Gb DDR5 樣品出貨

• 2023 年 1 月獲得 1anm DDR5 的英特爾服務(wù)器驗證

• 2023 年 4 月向英特爾提供服務(wù)器 1bnm DDR5 樣品