韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM

5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱(chēng)，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM。

4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線(xiàn)寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。

報道稱(chēng)，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節點(diǎn)的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。

4F2結構是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術(shù)，據說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認為，與SK海力士和美光正在開(kāi)發(fā)的3D DRAM相比，這種結構更容易實(shí)現。

The Elec報道指出，三星電子的目標是將4F2應用于10納米或以下節點(diǎn)的DRAM制程，因為以目前的技術(shù)預計會(huì )面臨線(xiàn)寬縮減的極限。