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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
56核+8通道DDR5內存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來(lái)
- 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎？當年這是Intel為了跟AMD競爭專(zhuān)業(yè)市場(chǎng)，將服務(wù)器版至強下放到了工作站，滿(mǎn)血28核56線(xiàn)程，還是唯一解鎖超頻的至強，售價(jià)超過(guò)2萬(wàn)元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒(méi)了動(dòng)靜，至強W的繼任者也沒(méi)了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現在親自出面，證實(shí)了新一代工作站處理器要來(lái)了。他們的官推來(lái)看，Intel稱(chēng)新一代的工作站處理器非?？?，暗示性能強大，甚至需要用戶(hù)重新規劃下去接咖啡的時(shí)間了，因為工作等待時(shí)間會(huì )更短
- 關(guān)鍵字： 英特爾 CPU 至強 DDR5
DRAM大廠(chǎng)：消費端整體市況回穩恐得等到2023年下半年
- 12月5日，DRAM大廠(chǎng)南亞科發(fā)布公告11月自結合并營(yíng)收為新臺幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計合并營(yíng)收為新臺幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據TrendForce集邦咨詢(xún)11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer DRAM產(chǎn)品比重高，第三季營(yíng)收衰退達40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉進(jìn)1Anm的進(jìn)度仍舊持續，預期2023上半年推出樣本，然客戶(hù)端因需求展望保守，導入意愿可能并不積極，預計
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
瀾起科技：DDR5 世代內存模組配套芯片需求將大幅增加
- IT之家 12 月 5 日消息，根據瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技在接受機構調研時(shí)表示，隨著(zhù) DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩步提升，2022 年第三季度公司的內存接口芯片和內存模組配套芯片收入均有所增長(cháng)，從而推動(dòng)互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線(xiàn)業(yè)務(wù)的增長(cháng)。據介紹，內存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內存模組的數量呈正相關(guān)。行業(yè)對內存容量的需求是持續增加的，為滿(mǎn)足內存容量的增長(cháng)需求，主要通過(guò)兩種方式來(lái)實(shí)現，一是提升內存顆粒密度，二是增加內存模組數量。如果在一定時(shí)期內存顆粒密度提升放緩，則內存容量增
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1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠(chǎng)顆粒賣(mài)不動(dòng)：內存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續走跌
- 很顯然內存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費者依然沒(méi)有出手，當然還是覺(jué)得廠(chǎng)商能繼續降價(jià)。調研機構TrendForce現發(fā)布了最新的研究報告，表明目前DRAM現貨報價(jià)仍在保持下跌的趨勢，主要買(mǎi)家對未來(lái)皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來(lái)說(shuō)：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報價(jià)下調至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM，三星 SK海力士
DDR5加速滲透，封測龍頭帶來(lái)新消息
- 近日，封測龍頭長(cháng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實(shí)現穩定量產(chǎn)。隨著(zhù)5G高速網(wǎng)絡(luò )、云端服務(wù)器、智能汽車(chē)等領(lǐng)域對存儲系統性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數據中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶(hù)帶來(lái)更佳的可靠性和擴展性，市場(chǎng)前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節，包括DDR5在內的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延，以及更短互連等要求。為此，長(cháng)電科技通過(guò)各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù)，實(shí)現同尺寸
- 關(guān)鍵字： DDR5 封測
韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣(mài)：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著(zhù)幾大財團的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動(dòng)設備，但這一類(lèi)產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個(gè)現象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
美光發(fā)布 HSE 3.0 開(kāi)源存儲引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專(zhuān)為 SSD 和持久內存設計的開(kāi)源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數據庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴(lài)于對 Linux 內核的修改，改為完全基于用戶(hù)空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開(kāi)源存儲引擎，帶來(lái)了更多功能改進(jìn)。據介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數據管理，提高了各種重要工作負載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調遞增鍵（例如時(shí)間序列數據）的工作負載、多客戶(hù)端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
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美光 DDR5 內存現已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨
- 2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌却媾c存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數據中心并已通過(guò)AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內存。隨著(zhù)現代服務(wù)器配備更多處理內核的CPU，其單個(gè)CPU內核的內存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使
- 關(guān)鍵字： 美光 DDR5 AMD EPYC 處理器
美光宣布推出適用于數據中心的DDR5存儲器
- 當地時(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數據中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗證。隨著(zhù)現代服務(wù)器將更多處理內核裝入CPU，每個(gè)CPU內核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統
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報告稱(chēng)三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng ) 8 年來(lái)新低
- IT之家 11 月 9 日消息，根據最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來(lái)的最低點(diǎn)。據 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷(xiāo)售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷(xiāo)售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
SMART Modular 世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM 內存模塊
- 隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球專(zhuān)業(yè)內存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內存模塊，為刀鋒服務(wù)器專(zhuān)用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。 專(zhuān)為網(wǎng)通及高算力應用所需1U刀鋒服務(wù)器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球專(zhuān)業(yè)內存與儲存解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內存模塊，為
- 關(guān)鍵字： DDR5 內存模塊
機構預計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB，首次超過(guò)移動(dòng)設備
- 11 月 2 日消息，據國外媒體報道，受電子消費品續期下滑影響，當前全球存儲芯片市場(chǎng)并不樂(lè )觀(guān)，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績(jì)，也受到了影響。雖然存儲芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂(lè )觀(guān)，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長(cháng)。研究機構在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(cháng)，在今年有望首次超過(guò)智能手機、平板電腦等移動(dòng)設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會(huì )達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當地時(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過(guò)世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節點(diǎn)實(shí)現了量產(chǎn)準備。據官方介紹，美光于2021年實(shí)現1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區儲存的位元數也增加35%。美光表示，隨著(zhù)LPDDR5X的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門(mén)副總裁Thy Tran表示，新版
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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