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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
英特爾推出業(yè)內首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)
- 英特爾公司已經(jīng)開(kāi)始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。SSD是電腦硬盤(pán)的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來(lái)實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統硬盤(pán)(
- 關(guān)鍵字： 英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤(pán)
英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻 三星買(mǎi)氣清淡
- 隨著(zhù)英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價(jià)格策略上，更是上演絕地大反攻計畫(huà)，以超低價(jià)策略搶食三星地盤(pán)。下游廠(chǎng)商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價(jià)差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營(yíng)近期NAND Flash產(chǎn)品詢(xún)問(wèn)度大增，三星在現貨市場(chǎng)活絡(luò )度則降低。 英特爾
- 關(guān)鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱(chēng)，預計韓國三星電子下半年在一個(gè)半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。 該報未指明消息來(lái)源稱(chēng)，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動(dòng)上稱(chēng)，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規模，或是迄今的已投資額。 ETnews報稱(chēng)，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 30納米 NAND
NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(pán)(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預期。 iSuppli專(zhuān)研行動(dòng)和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對閃存供貨商來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來(lái)阻礙。因為SSD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷(xiāo)量就會(huì )減緩。 多層單元(MLC)規格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 MLC
英特爾美光及三星開(kāi)始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲器下降周期時(shí)尺寸縮小競賽并無(wú)實(shí)際的意義。 按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導者,據今年早些時(shí)候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲器的銷(xiāo)售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續因市場(chǎng)需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統的淡季,所以存儲器模塊的銷(xiāo)售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開(kāi)始利潤有所好轉。 由于供應商擔心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷(xiāo)給出更大的折扣,導致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價(jià)格趨勢在零售價(jià)基礎上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM NAND 34納米
Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現量產(chǎn)。Micron還稱(chēng)其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤(pán)。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過(guò)合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準備，計劃于第四季度推出樣品。
- 關(guān)鍵字： Micron 納米 NAND USB閃盤(pán)
09年固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)份額不會(huì )大提升
- 雖然固態(tài)硬盤(pán)迅速成為了各大媒體主要的宣傳內容,但是由于價(jià)格過(guò)高的原因今年固態(tài)硬盤(pán)的市場(chǎng)份額將不會(huì )太高.根據DRAMeXchange的最新調查報告表明,固態(tài)硬盤(pán)在標準筆記本電腦的市場(chǎng)份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠(chǎng)商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤(pán),因此在低端PC上的市場(chǎng)份額將不到10%,這里應該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤(pán)向更深市場(chǎng)的侵入,根據市場(chǎng)調研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內存芯片的價(jià)格走勢,SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)接受度將會(huì )下降.
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán) NAND 內存芯片
Intel兩周內發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 近來(lái)謠言越來(lái)越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤(pán)。之前有報道稱(chēng)英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤(pán)出現的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將大大降低，容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤(pán)的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
利潤驚人 iPhone 3GS成本僅179美元
- 雖然蘋(píng)果iPhone有著(zhù)驚人的利潤已經(jīng)是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli，通過(guò)初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應商及評估產(chǎn)品成本。據悉，第三代蘋(píng)果手機iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價(jià)。 通常而言，最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 NAND GPS 處理芯片
恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規格，此新一代存儲技術(shù)可滿(mǎn)足載有大量?jì)热莺蛿祿脚_的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動(dòng)應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡(jiǎn)化設計流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
NAND Flash再刮大風(fēng) 30納米世代競賽起跑
- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng )市場(chǎng)信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋(píng)果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋(píng)果供貨做準備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰，亦開(kāi)始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續送樣給控制芯片廠(chǎng)，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30納米 43納米
三星電子和Numonyx將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代記憶體PCM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開(kāi)發(fā)PCM的通用規范，該技術(shù)有望用于高級聽(tīng)筒、移動(dòng)電話(huà)和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱(chēng)，PCM讀寫(xiě)速度非?？?，但耗電量卻低于傳統的NOR和NAND快閃記憶體。 三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
09年SSD硬盤(pán)市占率不升反降
- 據市調公司DRAM Exchange的調查，2009年，傳統筆記本市場(chǎng)上的SSD硬盤(pán)使用率僅僅只有1-1.5%，而 在低端市場(chǎng)SSD硬盤(pán)的占有率也只有不到10%。造成這種現象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價(jià)格的上漲。今年上半年，這種規格閃存的價(jià)格不斷上揚，而由此產(chǎn)生的利潤空間自然就減小了。 DRAM Exchange聲稱(chēng)上網(wǎng)本與傳統筆記本中使用SSD硬盤(pán)的比率今年出現持續下降的態(tài)勢，結果導致“SSD銷(xiāo)量總體表現很糟糕”。相比傳統機械硬盤(pán)，SSD硬盤(pán)的每GB價(jià)格依
- 關(guān)鍵字： SSD NAND 上網(wǎng)本
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