2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續兩極化

　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續兩極化。

　　近期NAND Flash現貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb芯片方面，由于上游NAND Flash大廠(chǎng)的產(chǎn)出有限，因此合約價(jià)出現平盤(pán)到小漲3%幅度，也預告2010年NAND Flash市場(chǎng)發(fā)展逐漸朝兩極化進(jìn)行。

　　NAND Flash業(yè)者指出，農歷春節前的大陸客戶(hù)買(mǎi)盤(pán)陸續出籠，針對小型記憶卡等產(chǎn)品進(jìn)行補貨，期望1月底的補貨效應會(huì )更加明顯，但整個(gè)市場(chǎng)仍在等待系統大廠(chǎng)的回補行情發(fā)動(dòng)，尤其是蘋(píng)果的補貨效應，以及新產(chǎn)品平板計算機iSlate采用高容量NAND Flash芯片，都令市場(chǎng)期待甚深。

　　2010 年NAND Flash市場(chǎng)進(jìn)入30奈米制程世代，三星電子(Samsung Electronics) 由42奈米進(jìn)入32奈米制程、海力士(Hynix)由41奈米進(jìn)入32奈米制程、東芝(Toshiba)由43奈米進(jìn)入32奈米制程，美光 (Micron)和英特爾(Intel)陣營(yíng)2009年已領(lǐng)先進(jìn)入30奈米世代，2010年則是要進(jìn)入20奈米世代，顯示各陣營(yíng)在制程微縮上相當積極。

　　模塊廠(chǎng)認為，其實(shí)2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)不用擴增產(chǎn)能，但單靠制程微縮技術(shù)，產(chǎn)出即增加不少。

　　同時(shí)，2010年三星和東芝也進(jìn)入TLC芯片技術(shù)，成本結構大幅下降，但也造成NAND Flash低容量的芯片價(jià)格持續下滑。NAND Flash業(yè)者表示，2010年NAND Flash芯片價(jià)格是兩極化發(fā)展，低價(jià)芯片在TLC世代下會(huì )更便宜，但高階芯片則在系統大廠(chǎng)、手機應用等帶動(dòng)下，價(jià)格會(huì )相對持穩。

　　2010年下游廠(chǎng)認為，2009年NAND Flash芯片價(jià)格漲上來(lái)后，一直維持高檔盤(pán)旋，2010年在制程微縮和TLC芯片出籠下，NAND Flash價(jià)格波動(dòng)會(huì )較大，尤其傳統淡季和旺季價(jià)格會(huì )相當明顯，因此在操作上需要更加小心。