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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(cháng)勢頭將延續至2011年
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷(xiāo)售額和出貨量分別增長(cháng)98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績(jì)數據也十分健康，這說(shuō)明產(chǎn)業(yè)已調頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(cháng)了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷(xiāo)售額分別增長(cháng)61%、57%和50%。 爆炸式的增長(cháng)率當然也與今年1月半導體市場(chǎng)業(yè)績(jì)達到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 “IC產(chǎn)業(yè)復蘇并不會(huì )是緩慢的，而是V形增長(cháng)，目前上升周期已經(jīng)開(kāi)始。”IC Insights分析師
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路
三星NAND Flash供貨臺廠(chǎng)銳減50%
- 近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠(chǎng)，9月對于臺廠(chǎng)NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠(chǎng)大老板緊急前往韓國調貨;無(wú)獨有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶(hù)無(wú)貨可供應，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現嚴重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋(píng)果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機大廠(chǎng)內建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費性大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND iPhone iPod
存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價(jià)格趨于穩定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠(chǎng)面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會(huì )從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢，然現在蘋(píng)果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著(zhù)智能型手機價(jià)格平民化的趨勢，未來(lái)內建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋(píng)果大單之余，也無(wú)暇與臺系DRAM廠(chǎng)廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)？
- 根據國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì )收購英特爾投資的NOR閃存制造商Numonyx。 這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。 Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對英特爾和意法半導
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 閃存芯片 智能手機
三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數轉為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計畫(huà)于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來(lái)提高DRAM的成本競爭力。 報導指出，三星電子計畫(huà)于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠(chǎng)內生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠(chǎng)的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠(chǎng)停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數轉為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導指
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓 NAND
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區
- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區簽署廠(chǎng)房租賃合同，正式投資落戶(hù)上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison專(zhuān)程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會(huì )了外高橋保稅區管委會(huì )主任助理、功能區域黨工委副書(shū)記、管委會(huì )副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導。雙方代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證了這一重要歷史時(shí)刻。 恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門(mén)組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Numonyx NOR NAND RAM PCM
2012年之前NAND閃存將保持價(jià)格上升趨勢
- 美國從事半導體相關(guān)市場(chǎng)調查的IC Insights發(fā)布預測稱(chēng)，NAND閃存市場(chǎng)將迎來(lái)價(jià)格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠(chǎng)商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷(xiāo)售價(jià)格將繼續保持上升趨勢。 IC Insights自1993年開(kāi)始就NAND閃存市場(chǎng)進(jìn)行調查以來(lái)，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績(jì)的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩步增加。全球經(jīng)濟低迷的2009年也不會(huì )例外。 供貨容量也將大幅增長(cháng)。即使是全球經(jīng)濟低迷的200
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
生存在矛盾之中
- 在全球金融危機影響下，由于市場(chǎng)的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來(lái)紅火的半導體業(yè)也感覺(jué)壓力深重。在探討未來(lái)如何發(fā)展之中，發(fā)現各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展的幾點(diǎn)看法，認為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節，也即每年投資巨大, 然而由于A(yíng)SP下降導致銷(xiāo)售額沒(méi)有相應的增大，利潤越來(lái)越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠(chǎng)商對于建新廠(chǎng)已逐漸
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
亞太晶圓代工廠(chǎng)2009年下半扮演資本支出復蘇推手
- SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現落底，目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應鏈也已經(jīng)看到穩定回升的訊號，其中晶圓代工廠(chǎng)2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠(chǎng)、后段封測則跟進(jìn)。 晶圓代工廠(chǎng)臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì )上，臺積電又進(jìn)一步
- 關(guān)鍵字： 臺積電 晶圓代工 NAND
東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰將全線(xiàn)支持
- 面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預計32納米制程產(chǎn)量，在年底可達產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來(lái)看，勢必會(huì )延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)，其控制芯片供應商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線(xiàn)都已經(jīng)準備妥當，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月?tīng)I收將持續成長(cháng)，估計月增率可達10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續上揚。 東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 東芝 32納米 NAND
2013年閃存需求規模將達到08年的11倍
- 根據配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導體元件投資增長(cháng)的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規模將達到400億個(gè) 《日經(jīng)市場(chǎng)調查》的調查結果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規模將達到約400億個(gè)。這一規模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長(cháng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤(pán))。不過(guò)，SSD市場(chǎng)要到2
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND
20nm之后將采取三維層疊技術(shù)
- 在今后的2年～3年內，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來(lái)說(shuō)，到2011年～2012年，通過(guò)采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現128Gb的容量。 但是，如果要實(shí)現超過(guò)128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結構的存儲單元。許多工程師也認為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現有的浮柵結構的存儲單元。但據SanDisk公司分析，當工藝發(fā)展到20nm以下時(shí)，從
- 關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND
美光：TMC模式不會(huì )成功
- 隨著(zhù)TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫(huà)書(shū)，美光在臺代表暨華亞科執行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會(huì )成功，即使成功亦不會(huì )解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題，但臺系DRAM廠(chǎng)并不會(huì )步上奇夢(mèng)達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠(chǎng)產(chǎn)能相當吸引人，不會(huì )像奇夢(mèng)達倒了都還找不到買(mǎi)主，而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠(chǎng)合資(JV)機會(huì )。 現階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM NAND
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