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三星計劃升級美國內存芯片工廠(chǎng) 裁員500人

　　三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內存芯片工廠(chǎng)進(jìn)行升級改造，這一過(guò)程中將裁員500人。　　三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠(chǎng)進(jìn)行改造。該工廠(chǎng)將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開(kāi)始。　　今年早些時(shí)候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規模重組中裁員20人。該公司在當地擁有兩家工廠(chǎng)，分別生產(chǎn)DRAM內存芯片和NAND閃存芯片。
關(guān)鍵字：三星內存芯片 DRAM NAND

智能手機微型投影機初露鋒芒，NAND閃存繁榮依舊

　　手機及其它移動(dòng)電子設備微型投影機發(fā)展驚人　　據 iSuppli 公司，由于能夠克服移動(dòng)電子設備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機等產(chǎn)品中的微型投影機的出貨量未來(lái)四年將增長(cháng)約 60 倍。　　到 2013 年，內嵌式微型投影機的出貨量將從今年的 5 萬(wàn)部升至超過(guò) 300 萬(wàn)部。附圖為 iSuppli公司對內嵌式微型投影機全球出貨量的預測。　　iSuppli 對微型投影機的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無(wú)需電池組的正投影機。雖然微
關(guān)鍵字：智能手機 NAND

NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱(chēng)未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠(chǎng)商對建新廠(chǎng)失去興趣。　　積極地來(lái)看，Harari稱(chēng)2013年NAND閃存位需求將達10萬(wàn)petabyte(PB，1 peta=100萬(wàn)Giga)，而現在為7000PB。當前和未來(lái)的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(cháng)，其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應用市場(chǎng)。　　Harari在閃存峰會(huì )的主題演講中
關(guān)鍵字： SanDisk NAND 閃存

英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤(pán)的高數據容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個(gè)儲存單元3比特。這個(gè)存儲密度高于目前標準的每個(gè)存儲單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現高容量的優(yōu)盤(pán)。　　美光NAND閃存營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Kevin Kilbuck說(shuō)，雖然在一個(gè)存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒(méi)有基于更標準的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤(pán)。優(yōu)盤(pán)沒(méi)有要求固態(tài)硬盤(pán)的那種數據存儲可靠性。固
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 34納米

臺灣媒體：奇夢(mèng)達資產(chǎn)拍賣(mài) 大陸撿便宜

　　曾經(jīng)是歐洲最大內存廠(chǎng)的奇夢(mèng)達進(jìn)入資產(chǎn)拍賣(mài)階段，而此舉剛好給了大陸切入內存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機!浪潮集團將于8月中收購奇夢(mèng)達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見(jiàn)在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。　　德國內存龍頭廠(chǎng)奇夢(mèng)達確定遭到市場(chǎng)淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣(mài)階段。目前奇夢(mèng)達的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠(chǎng)，以及大陸、葡萄牙、馬來(lái)西亞的后段封測廠(chǎng)。至于奇夢(mèng)達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內存后
關(guān)鍵字：奇夢(mèng)達晶圓服務(wù)器 DRAM NAND

日本半導體和液晶生產(chǎn)復蘇廠(chǎng)家暑期加班應對

　　據日本媒體報道，日本近期半導體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠(chǎng)家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數碼家電銷(xiāo)量增長(cháng)等因素，市場(chǎng)需求得到恢復，庫存調整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績(jì)有望得到好轉，也可能為日本國內經(jīng)濟帶來(lái)一股活力。　　在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠(chǎng)的液晶面板生產(chǎn)線(xiàn)暑期照常開(kāi)工。該工廠(chǎng)從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠(chǎng)也將于10月起按預定計劃開(kāi)工。　　東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
關(guān)鍵字：夏普液晶面板半導體 NAND

東芝大砍6成芯片支出轉加強電力及基礎建設

　　8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(cháng)將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎建設業(yè)務(wù)的獲利，將達電子產(chǎn)品部的2倍。　　東芝的半導體部門(mén)已連續3季出現營(yíng)業(yè)虧損，使其減緩該部門(mén)支出，并在其它領(lǐng)域尋求固定營(yíng)收來(lái)源，例如健康醫療及水處理等。　　東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門(mén)于2012年3月底結束的會(huì )計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì )基礎建設業(yè)務(wù)獲利則可達2000億
關(guān)鍵字：東芝 NAND 晶圓

半導體產(chǎn)業(yè)既樂(lè )觀(guān)又擔憂(yōu)的7個(gè)理由

　　盡管最近市場(chǎng)調研公司VLSI仍不修正半導體業(yè)陰沉的預測，即09年全球設備市場(chǎng)下降44.2%及半導體市場(chǎng)下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂(lè )觀(guān)。　　根據與Hutcheson的對話(huà)及公司的最新報告，以下將結論刊出，共有4個(gè)正面意見(jiàn)及2個(gè)負面看法。以下是為什么分析師呈現樂(lè )觀(guān)或者擔心的原因。　　1. 看到回升　　7月的周報IC銷(xiāo)售額上升到33億美元，打破了三周來(lái)IC銷(xiāo)售額的陰沉局面，因為通常7月是典型的弱月份，所以這條消息具正面意見(jiàn)。依周與周的比較，IC銷(xiāo)
關(guān)鍵字： Cisco 通訊太陽(yáng)能 NAND

第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%

　　在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應及新興市場(chǎng)庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收都較上一季成長(cháng)，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠(chǎng)商整體營(yíng)收為27億8千6百萬(wàn)美元，較上一季的20億8千6百萬(wàn)美元成長(cháng)33.6%QoQ。　　就2009年第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排行來(lái)看，Samsung營(yíng)收為10億3千7
關(guān)鍵字： Micron NAND

東芝閃存工廠(chǎng)遭雷擊出貨量下降價(jià)格上漲10%

　　據臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠(chǎng)遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠(chǎng)房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。　　內存業(yè)者認為，過(guò)去記憶卡價(jià)格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會(huì )調漲終端記憶卡售價(jià)，但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機率則不高。　　業(yè)內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續上漲，記憶卡價(jià)格卻沒(méi)有跟上來(lái)，導致NAND Flas
關(guān)鍵字：東芝 NAND 晶圓

三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

　　據國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國國際貿易委員會(huì )提出申訴，稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專(zhuān)利，要求禁止進(jìn)口侵權芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱(chēng)，涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。　　申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存芯片 MLC

海力士41納米通過(guò)認證　切入蘋(píng)果供應鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠(chǎng)一起「吃蘋(píng)果」! 　　海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤(pán)，導致虧損
關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米存儲器

NAND Flash買(mǎi)氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩住陣腳

　　7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠(chǎng)表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場(chǎng)的買(mǎi)氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)則是維持低價(jià)搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì )較第2季成長(cháng)25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。　　根據英鼎
關(guān)鍵字：三星 NAND 記憶卡

臺塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

　　臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說(shuō)服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。　　存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
關(guān)鍵字： TMC DRAM NAND

蘋(píng)果預付5億美元與東芝簽閃存長(cháng)期供貨協(xié)議

　　蘋(píng)果高管近日在財報分析師電話(huà)會(huì )議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長(cháng)期供貨協(xié)議，并向后者預付5億美元貨款。　　這一交易對于東芝而言可謂“及時(shí)雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠(chǎng)商，面臨閃存芯片價(jià)格滑坡和來(lái)自三星電子的激烈競爭等問(wèn)題。　　消息人士表示，5億美元相當于蘋(píng)果一個(gè)季度NAND閃存芯片需求量的價(jià)值。
關(guān)鍵字：蘋(píng)果閃存芯片 NAND

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