EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務(wù)
- 北京時(shí)間12月2日消息，據國外媒體報道，《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話(huà)報道稱(chēng)，三星2010年計劃投資約7萬(wàn)億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務(wù)。 消息稱(chēng)，其中約5萬(wàn)億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬(wàn)億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 三星2010年芯片投資將比2009年的4萬(wàn)億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時(shí)，三星曾表示明年芯片投資將超過(guò)5.5萬(wàn)億韓元(約合47億美元)。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 邏輯芯片 DRAM
某閃存廠(chǎng)商指控蘋(píng)果在閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”
- 近日，有某匿名廠(chǎng)商指控蘋(píng)果在NAND閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”，威逼閃存廠(chǎng)商。該廠(chǎng)商指蘋(píng)果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠(chǎng)商超額訂貨?！俄n國時(shí)報》還報道稱(chēng)蘋(píng)果經(jīng)常采取等待閃存由于供過(guò)于求而出現價(jià)格下降時(shí)，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠(chǎng)商的庫存再次出現積壓現象。 由于海力士與三星兩家廠(chǎng)商的閃存業(yè)務(wù)對蘋(píng)果依賴(lài)甚大，因此他們對蘋(píng)果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋(píng)果將簽訂的長(cháng)期訂貨協(xié)約價(jià)下調4%。這家未具名廠(chǎng)商的高管指這種行為“極為不合理”。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內存的雙倍傳輸技術(shù)，據三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續讀取速率，同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設備。 另外一款三
- 關(guān)鍵字： 三星 30nm NAND
NAND記憶卡需求轉強 封測產(chǎn)能缺到明年初
- 據悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠(chǎng)第四季將上市銷(xiāo)售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強，帶動(dòng)第四季記憶卡銷(xiāo)售量大增。力成董事長(cháng)蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產(chǎn)能吃緊現象將延續到明年1、2月。 NAND晶片大廠(chǎng)三星下半年開(kāi)始跨足記憶卡市場(chǎng)，并與創(chuàng )見(jiàn)合作銷(xiāo)售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場(chǎng)，只是手機用小型記憶卡需采用較先進(jìn)的基板打線(xiàn)封裝(COB)制程，但兩家大廠(chǎng)自有封測廠(chǎng)產(chǎn)能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND 封測
內存廠(chǎng)商:SSD將在2011年成為主流
- 臺灣DigiTimes報道，數家內存廠(chǎng)商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產(chǎn)業(yè)共同標準，與會(huì )者們預計隨著(zhù)制程逐漸過(guò)渡到20nm，NAND閃存價(jià)格將出現大幅下跌，最終實(shí)現一個(gè)可負擔的水平，不過(guò)這一時(shí)間點(diǎn)被認為是2011年以后。 此外，來(lái)自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規范SSD的規格，以解決來(lái)自國際供應商控制的核心技術(shù)。 去年Fusion-io公司首席科學(xué)家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤(pán)會(huì )很快就能替換普通硬盤(pán)。不過(guò)由于SSD硬盤(pán)功耗更低，同時(shí)性能更高，也不需
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
蘋(píng)果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉向
- 由于傳出大客戶(hù)蘋(píng)果(Apple)開(kāi)始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數量相當有限，12月供應量控制亦開(kāi)始松動(dòng)，以及白牌記憶卡在市面上流通數量增加，使得淡季需求明顯反映在現貨及合約價(jià)上，近2個(gè)月NAND Flash價(jià)格從高檔連續緩跌，累計回檔幅度相當深。不過(guò)，多數存儲器業(yè)者認為，由于價(jià)格跌幅已大，預計后續再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價(jià)開(kāi)出，便呈現持平到小跌局面。 存儲器業(yè)者表示，蘋(píng)果對于NAND Flash供
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 NAND SSD
NAND成本優(yōu)勢明顯，NOR成明日黃花
- 市場(chǎng)研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí)，NOR閃存的應用領(lǐng)域單一，應用廠(chǎng)家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應用領(lǐng)域更廣泛，應用廠(chǎng)家也多。手機市場(chǎng)變化迅速，現在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長(cháng)壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降，但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字： 手機 NAND NOR
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場(chǎng)可預期的需求增長(cháng)，恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應市場(chǎng)需求，擴充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節點(diǎn)技術(shù)向低節點(diǎn)技術(shù)的制程升級，進(jìn)一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠(chǎng)、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存 PCM
恒憶樂(lè )觀(guān)展望2010年發(fā)展前景
- 盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場(chǎng)可預期的需求增長(cháng)，恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應市場(chǎng)需求，擴充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節點(diǎn)技術(shù)向低節點(diǎn)技術(shù)的制程升級，進(jìn)一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠(chǎng)、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示：“作為全球
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存
手機內存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風(fēng)光不再
- 市場(chǎng)研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應用領(lǐng)域單一,應用廠(chǎng)家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領(lǐng)域更廣泛,應用廠(chǎng)家也多.手機市場(chǎng)變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長(cháng)壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR RAM
IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內遭遇技術(shù)極限
- 《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機械硬盤(pán)，結果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾會(huì )有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內能保存多個(gè)比特，因此存儲密度和成本
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 相變存儲
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠(chǎng)開(kāi)門(mén)做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問(wèn)題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為T(mén)aiwan Innovation Memory Company，簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)IMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長(cháng)為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(cháng)宣明智，帶領(lǐng)臺灣內存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： TIMC DRAM NAND Flash
美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產(chǎn)出了市場(chǎng)上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節能是這類(lèi)應用的核心特色。 美光公司目前向客戶(hù)推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND 34納米 智能手機
三星：2010存儲芯片將出現小規模短缺情況
- 10月28日消息，據國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收提高逾50%，并對2010年記憶體市場(chǎng)發(fā)表樂(lè )觀(guān)的看法。 三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收為166億美元，并稱(chēng)目標要在2012年達到255億美元營(yíng)收。 三星指出，明年動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現小規模短缺情況。 韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會(huì )議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 存儲
Intel宣布一項技術(shù)突破 內存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱(chēng),這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節省成本. 英特爾研究員和內存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個(gè)內存類(lèi). This image shows phase-change memory bu
- 關(guān)鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)相關(guān)帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473