Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長(cháng)達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤(pán)，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給Intel客戶(hù)、51%供給美光客戶(hù)。

　　IMFT 25nm NAND閃存的量產(chǎn)將從今年第二季度開(kāi)始，下半年開(kāi)始批量出貨，正好趕上Intel預計年底發(fā)布的第三代X25-M固態(tài)硬盤(pán)，容量有160GB、320GB、600GB等。

　　率先投產(chǎn)的25nm NAND閃存芯片使用了沉浸式光刻技術(shù)(對Intel來(lái)說(shuō)是史上第一次)，內核面積167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每單元容量2比特(2-bit-per-cell)。

　　IMFT 25nm NAND閃存支持開(kāi)放式NAND閃存接口ONFi 2.2，界面速度最高可達200MB/s，頁(yè)面(page)尺寸從50/34nm時(shí)代的4KB翻番到了8KB，塊(Block)尺寸從128個(gè)頁(yè)面加倍到256個(gè)頁(yè)面，這些對性能提升都大有好處，Intel X25-M系列幾乎必然能夠再次狂飆了(只要固件別再出問(wèn)題)。

　　此前的32nm 4GB 2-bpc MLC NAND閃存芯片面積為172平方毫米，也就是說(shuō)工藝升級后容量翻了一番，尺寸卻減小了9.7%。

　　其實(shí)去年IMFT還宣布了34nm工藝的3-bpc MLC NAND閃存計劃，容量同為4GB，核心面積則只有126平方毫米。這種芯片只適合廉價(jià)或者對壽命要求不那么嚴格的產(chǎn)品，比如U盤(pán)，在固態(tài)硬盤(pán)上無(wú)論性能還是可靠性都不值得。

　　雖然半導體工藝日益復雜，但IMFT對未來(lái)充滿(mǎn)信心，已經(jīng)瞄準了10mm工藝，相當于只有大約20個(gè)原子并排的寬度，還在考慮電荷陷阱型存儲(CTM)技術(shù)(取代現有的浮動(dòng)柵極技術(shù))和3D垂直堆疊技術(shù)。

　　按照12-15個(gè)月的升級周期，IMFT的下一代新工藝應該會(huì )在2011年年中誕生，2012年初投入實(shí)用，也許那時(shí)候固態(tài)硬盤(pán)將真正迎來(lái)主流地位。