韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能

　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說(shuō)法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù)，可大幅提升手機性能。

　　首爾大學(xué)表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過(guò)去的諸多缺點(diǎn)。負責人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。

　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過(guò)首爾大學(xué)工程師所開(kāi)發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團隊負責教授表示，藉由將NOR芯片彎曲成圓錐狀，將可全面提升該芯片的電子和物理質(zhì)量，理論上可使其功能達到NAND芯片的水平。

　　雖然仍有些為差異，但改良后的NOR芯片基本上可取代NAND芯片，用于各種電子裝置中，特別是手機。然而，由于目前傳統NOR芯片的價(jià)格較高，改良后的NOR芯片是否將因為價(jià)格而受到發(fā)展限制，仍待觀(guān)察。

　　不過(guò)，對三星電子(Samsung Electronics)和其它韓國科技鉅子而言，使用本國的技術(shù)將有助于控制成本，進(jìn)而提高對英特爾(Intel)的競爭力。

　　據悉，包括NOR和NAND芯片的Flash市場(chǎng)，在2010年的規模將可望超過(guò)200億美元，較2009年的180億美元攀升。

　　此改良NOR芯片的計劃是由韓國政府資助，共花費4年時(shí)間和投入3億韓元(約26.7萬(wàn)美元)。