韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能
韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說(shuō)法指出,1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù),可大幅提升手機性能。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/105587.htm首爾大學(xué)表示,該團隊研發(fā)的NOR芯片,可克服過(guò)去的諸多缺點(diǎn)。負責人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NAND Flash可儲存32GB的資料,占據更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。
一般的NOR芯片通常并不特別,不過(guò)首爾大學(xué)工程師所開(kāi)發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團隊負責教授表示,藉由將NOR芯片彎曲成圓錐狀,將可全面提升該芯片的電子和物理質(zhì)量,理論上可使其功能達到NAND芯片的水平。
雖然仍有些為差異,但改良后的NOR芯片基本上可取代NAND芯片,用于各種電子裝置中,特別是手機。然而,由于目前傳統NOR芯片的價(jià)格較高,改良后的NOR芯片是否將因為價(jià)格而受到發(fā)展限制,仍待觀(guān)察。
不過(guò),對三星電子(Samsung Electronics)和其它韓國科技鉅子而言,使用本國的技術(shù)將有助于控制成本,進(jìn)而提高對英特爾(Intel)的競爭力。
據悉,包括NOR和NAND芯片的Flash市場(chǎng),在2010年的規模將可望超過(guò)200億美元,較2009年的180億美元攀升。
此改良NOR芯片的計劃是由韓國政府資助,共花費4年時(shí)間和投入3億韓元(約26.7萬(wàn)美元)。
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