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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
內存市場(chǎng)價(jià)量普漲，存儲廠(chǎng)商轉虧為盈
- 最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠(chǎng)和模組廠(chǎng)也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠(chǎng)商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣(mài)場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現在的內存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。D
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SanDisk Q3意外由虧轉盈 內存產(chǎn)業(yè)展望樂(lè )
- 美國內存大廠(chǎng)SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷(xiāo)售額優(yōu)于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續受惠于閃存芯片市場(chǎng)好轉趨勢。 據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預期的每股26美分。 該季營(yíng)收增長(cháng)14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規劃投入200億元
- “經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫(huà)」20日最后截止日期，卻出現戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫(huà);而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(cháng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
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鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
- 鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫(xiě)入壽命達3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續上揚
- 研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統廠(chǎng)客戶(hù)10月到11月的旺季長(cháng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶(hù)的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣(mài)方主導市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續地上揚。 16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢圖 集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲 閃存
NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭食？
- 2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠(chǎng)袖手旁觀(guān)，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來(lái)?yè)屖晨蛻?hù)飯碗，到底葫蘆里是賣(mài)什么藥?業(yè)界相當好奇!而原本應該站在反對立場(chǎng)的大客戶(hù)創(chuàng )見(jiàn)，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來(lái)龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說(shuō)三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 與三星做生意的客戶(hù)都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強勢不墜 模塊廠(chǎng)9月?tīng)I收將再寫(xiě)新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲器模塊廠(chǎng)9月?tīng)I收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預計可再次創(chuàng )下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I收續創(chuàng )歷史新高，創(chuàng )見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I收預估可達35億~40億元，勁永9月?tīng)I收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現貨
- 關(guān)鍵字： Apple NAND 智能手機
三星DRAM芯片停止對臺供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著(zhù)新經(jīng)營(yíng)團隊上任，營(yíng)運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷(xiāo)售DRAM芯片，一律只銷(xiāo)售DRAM模塊。存儲器廠(chǎng)表示，三星策略明顯側重OEM市場(chǎng)，減少與現貨客戶(hù)合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠(chǎng)為優(yōu)先，尤其近期PC廠(chǎng)對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM NAND
NAND Flash強勢不墜 模塊廠(chǎng)9月?tīng)I收將再寫(xiě)新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲器模塊廠(chǎng)9月?tīng)I收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預計可再次創(chuàng )下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I收續創(chuàng )歷史新高，創(chuàng )見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I收預估可達35億~40億元，勁永9月?tīng)I收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現貨
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數據中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(cháng)六倍
- 據iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售因為內存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場(chǎng)對彌補上述領(lǐng)域的疲軟表現是綽綽有余，從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(cháng)六倍。 第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤(pán)驅動(dòng)器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業(yè)數據中心來(lái)說(shuō)，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。 由于企業(yè)
- 關(guān)鍵字： NAND SSD PC
IC資本支出依然謹慎 供應收緊價(jià)格上漲
- 分析師指出，資本支出創(chuàng )下歷史新低使IC市場(chǎng)供應收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì )發(fā)生其他不可預料的結果。 IC Insights總裁Bill McClean稱(chēng)，今年半導體資本支出在銷(xiāo)售額中所占的比例降至12%，創(chuàng )歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。 “我們還不知道資本支出比例12%意味著(zhù)什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
東芝Sandisk計劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
- 據業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開(kāi)始采用20nm級別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠(chǎng)將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。 東芝公司最近已經(jīng)開(kāi)始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠(chǎng)32nm制程芯片的產(chǎn)量應在今年底前達到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì )有所拖延。 另一方面，對手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無(wú)解 大廠(chǎng)產(chǎn)能全被包下
- 蘋(píng)果意外在9月初向NAND Flash大廠(chǎng)下訂單，導致NAND Flash供給大幅吃緊，預計在2009年11月底之前，缺貨情況仍無(wú)解?，F在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋(píng)果包下來(lái)，另外存儲器模塊龍頭大廠(chǎng)金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長(cháng)期合作伙伴，顯示未來(lái)全球4大NAND Flash廠(chǎng)能釋出的產(chǎn)能相當少，缺貨潮將延燒到11月。 存儲器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 存儲器
DRAM廠(chǎng)和模塊廠(chǎng)誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規格交替之際，各廠(chǎng)紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現在風(fēng)水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠(chǎng)又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現缺貨聲浪，DRAM廠(chǎng)和模塊廠(chǎng)雙雙感嘆誤判形勢，導致現在DDR2庫存過(guò)低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問(wèn)題將更明顯浮上臺面，且由合約價(jià)蔓延至現貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現貨價(jià)格將看到2美元。 近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機內建NAND Flash風(fēng)潮
- 手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內建NAND Flash記憶體。隨著(zhù)消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來(lái)越高。 過(guò)去只流行數位相片的時(shí)代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當夠用，但數位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無(wú)法滿(mǎn)足消費者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開(kāi)始發(fā)酵，從最早內建4GB和8GB容量記憶體，現在內建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
- 關(guān)鍵字： Samung NAND 智能手機
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
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