安森美加速碳化硅創(chuàng )新，助力推進(jìn)電氣化轉型

新聞要點(diǎn)

●   最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應用的關(guān)斷損耗降低多達 50%

●   該平臺采用經(jīng)過(guò)實(shí)際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗

●   與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時(shí)，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統方案并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間

●   安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品      

面對不斷升級的氣候危機和急劇增長(cháng)的全球能源需求，世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標而攜手努力，致力于減輕環(huán)境影響，實(shí)現可持續未來(lái)。其中的關(guān)鍵在于推進(jìn)電氣化轉型以減少碳排放，并積極利用可再生能源。為加速達成這個(gè)全球轉型目標，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺 EliteSiC M3e MOSFET，并計劃將在 2030 年前推出多代新產(chǎn)品。

安森美電源方案事業(yè)群總裁Simon Keeton表示：“電氣化的未來(lái)依賴(lài)于先進(jìn)的功率半導體，而電源創(chuàng )新對于實(shí)現全球電氣化和阻止氣候變化至關(guān)重要。如果電源技術(shù)沒(méi)有重大創(chuàng )新，現有的基礎設施將無(wú)法滿(mǎn)足全球日益增長(cháng)的智能化和電氣化出行需求。我們正在積極推動(dòng)技術(shù)創(chuàng )新，計劃到 2030 年大幅提升碳化硅技術(shù)的功率密度，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的能源需求，并助力全球電氣化轉型?！?/p>

在這一過(guò)程中，EliteSiC M3e MOSFET 將發(fā)揮關(guān)鍵作用，以更低的千瓦成本實(shí)現下一代電氣系統的性能和可靠性，從而加速普及電氣化并強化實(shí)施效果。由于能夠在更高的開(kāi)關(guān)頻率和電壓下運行，該平臺可有效降低電源轉換損耗，這對于電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統、直流快速充電樁、太陽(yáng)能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車(chē)和工業(yè)應用至關(guān)重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進(jìn)數據中心向更高效、更高功率轉變，以滿(mǎn)足可持續人工智能引擎指數級增長(cháng)的能源需求。

可信賴(lài)平臺實(shí)現效率代際飛躍

憑借安森美獨特的設計和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且經(jīng)過(guò)實(shí)際驗證的平面架構上顯著(zhù)降低了導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠將導通損耗降低 30%，并將關(guān)斷損耗降低多達 50%^[1]。通過(guò)延長(cháng) SiC 平面 MOSFET 的壽命并利用 EliteSiC M3e 技術(shù)實(shí)現出色的性能，安森美可以確保該平臺的堅固性和穩定性，使其成為關(guān)鍵電氣化應用的首選技術(shù)。

EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導通電阻 (RSP) 和抗短路能力，這對于占據 SiC 市場(chǎng)主導地位的主驅逆變器應用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。采用安森美先進(jìn)的分立和功率模塊封裝，1200V M3e 裸片與之前的 EliteSiC 技術(shù)相比，能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅逆變器的輸出功率提升約 20%。換句話(huà)說(shuō)，在保持輸出功率不變的情況下，新設計所需的 SiC 材料可以減少 20%，成本更低，并且能夠實(shí)現更小、更輕、更可靠的系統設計。

此外，安森美還提供更廣泛的智能電源技術(shù)，包括柵極驅動(dòng)器、DC-DC 轉換器、電子保險絲等，并均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。通過(guò)這些安森美優(yōu)化和協(xié)同設計的功率開(kāi)關(guān)、驅動(dòng)器和控制器的端到端一體化技術(shù)組合，可實(shí)現多項先進(jìn)特性集成，并降低整體系統成本。

加速未來(lái)電源技術(shù)發(fā)展

未來(lái)十年，全球能源需求預計會(huì )急劇增加，因此提高半導體的功率密度變得至關(guān)重要。安森美正積極遵循其碳化硅技術(shù)發(fā)展藍圖，從裸片架構到新型封裝技術(shù)全面引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng )新，以此持續滿(mǎn)足行業(yè)對更高功率密度的需求。

每一代新的碳化硅技術(shù)都會(huì )優(yōu)化單元結構，以在更小的面積上高效傳輸更大的電流，從而提高功率密度。結合公司自有的先進(jìn)封裝技術(shù)，安森美能最大化提升性能并減小封裝尺寸。通過(guò)將摩爾定律引入碳化硅技術(shù)的開(kāi)發(fā)，安森美可以并行研發(fā)多代產(chǎn)品，從而加速實(shí)現其發(fā)展路線(xiàn)圖，以在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新產(chǎn)品。

“憑借數十年來(lái)在功率半導體領(lǐng)域積累的深厚經(jīng)驗，我們不斷突破工程和制造能力的邊界，以滿(mǎn)足全球日益增長(cháng)的能源需求?！鞍采离娫捶桨甘聵I(yè)群技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)高級總監 Mrinal Das 表示，”碳化硅的材料、器件和封裝技術(shù)之間存在很強的相互依賴(lài)性。對這些關(guān)鍵環(huán)節的完全掌控，使安森美能夠更好地把握設計和制造過(guò)程，從而更快地推出新一代產(chǎn)品?！?/p>

EliteSiC M3e MOSFET 采用行業(yè)標準的 TO-247-4L 封裝，樣品現已上市。

[1] 基于內部與EliteSiC M3T MOSFET的對比測試