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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率元件

2023年SiC功率元件營(yíng)收排名,ST以32.6%市占率穩居第一

  • 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下保持強勁成長(cháng),前五大SiC功率元件供應商約占整體營(yíng)收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢(xún)分析,2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著(zhù)大增,然而,純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(cháng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈,預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(cháng)幅度將較過(guò)去幾年顯著(zhù)收斂。作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFE
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設計帶來(lái)了機會(huì )

  • 氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應用,隨后成為藍光光盤(pán)播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(cháng)足進(jìn)步,但在將近二十年后,該技術(shù)才因其高能效特性而在場(chǎng)效應晶體管 (FET) 上實(shí)現商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導體行業(yè)增長(cháng)最快的細分市場(chǎng)之一,復合年增長(cháng)率估計在 25% 至 50% 之間,其驅動(dòng)力來(lái)自對能效更高設備的需求,以期實(shí)現可持續發(fā)展和電氣化目標。與硅晶體管相比,氮化鎵晶體管可以設計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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集邦咨詢(xún):新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢(xún)表示,2021年隨著(zhù)各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車(chē)等需求拉升,驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長(cháng)幅度最高,預估今年營(yíng)收將達8,300萬(wàn)美元,年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品,至2025年市場(chǎng)規模將達8.5億美元,年復合成長(cháng)率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車(chē)20
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技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件

  • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
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使用燒結銅的功率元件封裝技術(shù) 可靠性提高10倍

  •   日立制作所在“PCIMEurope2016”并設的會(huì )議上發(fā)表了使用燒結銅的功率元件封裝技術(shù)。該技術(shù)的特點(diǎn)是,雖為無(wú)鉛封裝材料,但可降低材料成本并提高可靠性。   對作為可靠性指標的“功率循環(huán)耐受量”實(shí)施測定的結果顯示,循環(huán)次數達到了以往含鉛焊錫的10倍以上。具體來(lái)說(shuō),在功率元件最大結溫(Tjmax)為175℃、ΔTj為125℃的條件下實(shí)施功率循環(huán)試驗時(shí),以往的含鉛焊錫最高為5萬(wàn)次,而使用燒結銅時(shí)達到55萬(wàn)次。在實(shí)施-40℃至+200℃的熱循
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電源系統設計的無(wú)風(fēng)險路徑(下)

  •   接上篇 ???? 步驟2——構建   構建系統的第一個(gè)步驟是創(chuàng )建一個(gè)電源系統的方框圖,從輸出開(kāi)始,然后向輸入后向推進(jìn)。從最低功率級別開(kāi)始它的運作更好,并從那里繼續工作,以便可以審查功率元件類(lèi)別,并隨功率級別的增加在必要時(shí)做出改變。   根據適當功率級別選擇正確的元件類(lèi)別非常重要。例如,在低功耗條件下,系統級封裝產(chǎn)品(SiP),如Vicor ZVS降壓穩壓器是最好的解決方案。在較高功率級別,更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
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電源系統設計的無(wú)風(fēng)險路徑(上)

  •   摘要:現在,高性能電源系統已經(jīng)有了長(cháng)足進(jìn)展,設計人員正在使用多個(gè)輸入電壓,驅動(dòng)種類(lèi)繁多應用的多路電壓軌。為了確保PoL穩壓器盡可能靠近負載的需求,設計人員需要在一個(gè)非常小的范圍實(shí)現大量功率轉換功能。與此同時(shí),企業(yè)資源正趨于擴展到工程師,常常是由多面手,而不是電源專(zhuān)家來(lái)負責設計電源系統。因此,當今復雜的電源要求可能令設計人員非常頭痛:如何利用不同資源為多樣化的負載提供高性能電源,從而保證架構的所有部分都在其功率和散熱范圍內運行,同時(shí)還可優(yōu)化效率和成本目標。   工程師如何充分利用現在可用的高性能構建模
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強化功率元件戰力 MCU廠(chǎng)猛攻直流變頻馬達

  •   微控制器(MCU)廠(chǎng)商正積極補強功率半導體元件戰力,強攻直流變頻馬達市場(chǎng)。無(wú)論是直流無(wú)刷馬達(BLDC)或永磁同步馬達(PMSM),其與交流感應馬達最大的不同之處,就在于變頻電路的設計,因此MCU廠(chǎng)為了直攻變頻馬達市場(chǎng),除了提升MCU的控制性能之外,亦戮力強化與MCU搭配的功率元件戰力。   德州儀器(TI)馬達事業(yè)部現場(chǎng)應用工程師劉俊男表示,歐盟在2015年時(shí)預計將7.5千瓦(kW)以上之馬達最低能效標準(MEPS)提升至IE3,到2017年時(shí),才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上,從這
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英飛凌:GaN功率元件前景雖好,但采用為時(shí)尚早

  • GaN被認為是下一代的功率元件,被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日,來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示,其前景雖好,但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候,因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
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車(chē)用功率元件新思路,滿(mǎn)足車(chē)規為首要任務(wù)

  • 隨著(zhù)美國電動(dòng)車(chē)大廠(chǎng)Tesla在電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)開(kāi)始突破重圍后,全球電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)也開(kāi)始彌漫著(zhù)一股相當樂(lè )觀(guān)的氣氛。不過(guò), ...
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PV逆變器應用升溫,推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽(yáng)能(PV)逆變器應用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳...
  • 關(guān)鍵字: PV  逆變器  SiC  功率元件  

技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
  • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件(二)

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí),可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
  • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源...
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

IGBT功率元件的應用及保護技術(shù)

  • 1 引言  隨著(zhù)半導體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高,半導體功率元件正朝著(zhù)大電流、高電壓、快通斷、 ...
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功率元件介紹

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