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功率元件
功率元件 文章 進(jìn)入功率元件技術(shù)社區
2023年SiC功率元件營(yíng)收排名,ST以32.6%市占率穩居第一

- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應用的驅動(dòng)下保持強勁成長(cháng),前五大SiC功率元件供應商約占整體營(yíng)收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢(xún)分析,2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著(zhù)大增,然而,純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(cháng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈,預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(cháng)幅度將較過(guò)去幾年顯著(zhù)收斂。作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFE
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設計帶來(lái)了機會(huì )
- 氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應用,隨后成為藍光光盤(pán)播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(cháng)足進(jìn)步,但在將近二十年后,該技術(shù)才因其高能效特性而在場(chǎng)效應晶體管 (FET) 上實(shí)現商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導體行業(yè)增長(cháng)最快的細分市場(chǎng)之一,復合年增長(cháng)率估計在 25% 至 50% 之間,其驅動(dòng)力來(lái)自對能效更高設備的需求,以期實(shí)現可持續發(fā)展和電氣化目標。與硅晶體管相比,氮化鎵晶體管可以設計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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集邦咨詢(xún):新能源車(chē)需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示,2021年隨著(zhù)各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車(chē)等需求拉升,驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長(cháng)幅度最高,預估今年營(yíng)收將達8,300萬(wàn)美元,年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品,至2025年市場(chǎng)規模將達8.5億美元,年復合成長(cháng)率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車(chē)20
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使用燒結銅的功率元件封裝技術(shù) 可靠性提高10倍
- 日立制作所在“PCIMEurope2016”并設的會(huì )議上發(fā)表了使用燒結銅的功率元件封裝技術(shù)。該技術(shù)的特點(diǎn)是,雖為無(wú)鉛封裝材料,但可降低材料成本并提高可靠性。 對作為可靠性指標的“功率循環(huán)耐受量”實(shí)施測定的結果顯示,循環(huán)次數達到了以往含鉛焊錫的10倍以上。具體來(lái)說(shuō),在功率元件最大結溫(Tjmax)為175℃、ΔTj為125℃的條件下實(shí)施功率循環(huán)試驗時(shí),以往的含鉛焊錫最高為5萬(wàn)次,而使用燒結銅時(shí)達到55萬(wàn)次。在實(shí)施-40℃至+200℃的熱循
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電源系統設計的無(wú)風(fēng)險路徑(下)

- 接上篇 ???? 步驟2——構建 構建系統的第一個(gè)步驟是創(chuàng )建一個(gè)電源系統的方框圖,從輸出開(kāi)始,然后向輸入后向推進(jìn)。從最低功率級別開(kāi)始它的運作更好,并從那里繼續工作,以便可以審查功率元件類(lèi)別,并隨功率級別的增加在必要時(shí)做出改變。 根據適當功率級別選擇正確的元件類(lèi)別非常重要。例如,在低功耗條件下,系統級封裝產(chǎn)品(SiP),如Vicor ZVS降壓穩壓器是最好的解決方案。在較高功率級別,更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
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電源系統設計的無(wú)風(fēng)險路徑(上)
- 摘要:現在,高性能電源系統已經(jīng)有了長(cháng)足進(jìn)展,設計人員正在使用多個(gè)輸入電壓,驅動(dòng)種類(lèi)繁多應用的多路電壓軌。為了確保PoL穩壓器盡可能靠近負載的需求,設計人員需要在一個(gè)非常小的范圍實(shí)現大量功率轉換功能。與此同時(shí),企業(yè)資源正趨于擴展到工程師,常常是由多面手,而不是電源專(zhuān)家來(lái)負責設計電源系統。因此,當今復雜的電源要求可能令設計人員非常頭痛:如何利用不同資源為多樣化的負載提供高性能電源,從而保證架構的所有部分都在其功率和散熱范圍內運行,同時(shí)還可優(yōu)化效率和成本目標。 工程師如何充分利用現在可用的高性能構建模
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強化功率元件戰力 MCU廠(chǎng)猛攻直流變頻馬達
- 微控制器(MCU)廠(chǎng)商正積極補強功率半導體元件戰力,強攻直流變頻馬達市場(chǎng)。無(wú)論是直流無(wú)刷馬達(BLDC)或永磁同步馬達(PMSM),其與交流感應馬達最大的不同之處,就在于變頻電路的設計,因此MCU廠(chǎng)為了直攻變頻馬達市場(chǎng),除了提升MCU的控制性能之外,亦戮力強化與MCU搭配的功率元件戰力。 德州儀器(TI)馬達事業(yè)部現場(chǎng)應用工程師劉俊男表示,歐盟在2015年時(shí)預計將7.5千瓦(kW)以上之馬達最低能效標準(MEPS)提升至IE3,到2017年時(shí),才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上,從這
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英飛凌:GaN功率元件前景雖好,但采用為時(shí)尚早
- GaN被認為是下一代的功率元件,被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日,來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示,其前景雖好,但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候,因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字: GaN.功率元件
功率元件介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條功率元件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對功率元件的理解,并與今后在此搜索功率元件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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