基本半導體銅燒結技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應用
引言:
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202407/461128.htm隨著(zhù)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車(chē)載功率芯片的理想選擇。同時(shí),高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求,開(kāi)發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。
傳統互連材料的局限
傳統的高溫錫基焊料和銀燒結技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年,但它們各自存在一定短板。例如,錫基焊料耐高溫性能不足,熱導率、電導率偏低,在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險,在車(chē)用碳化硅模塊中的存在感日漸式微。
另一方面,作為當下碳化硅模塊的主力封裝材料,銀燒結工藝日趨成熟。燒結銀焊點(diǎn)耐高溫、熱導率、電導率突出,有著(zhù)優(yōu)異的綜合力學(xué)性能,但其成本較高且存在潛在的電遷移問(wèn)題。此外,燒結銀能夠適配的界面結構種類(lèi)有限,往往要求在基板表面預置銀、金等金屬化層,若不預置金屬化層則可靠性稍受影響。過(guò)度復雜的界面連接結構和表面處理工藝不光會(huì )造成成本的上漲,更會(huì )帶來(lái)潛在的界面破壞風(fēng)險,從而對器件的長(cháng)期可靠性形成威脅。上述局限性驅動(dòng)著(zhù)業(yè)界探索新的互連材料和技術(shù),與燒結銀幾乎同時(shí)發(fā)展的燒結銅技術(shù),在近年來(lái)收獲了日益增加的關(guān)注度。
銅燒結技術(shù)的優(yōu)勢
銅材料具有匹敵銀的優(yōu)異導電、導熱性能,且比之銀而言,銅材料與碳化硅芯片、陶瓷基板的熱膨脹系數更為相近,有望緩解熱循環(huán)和功率循環(huán)狀態(tài)下的熱失配問(wèn)題。此外,銅燒結工藝對基板表面的金屬化層不敏感,有望極大地簡(jiǎn)化連接界面結構,從而獲得更高的界面穩定性和產(chǎn)品可靠性。同時(shí),單純的界面組成也能夠最大限度地抑制原子擴散、金屬間化合物生成等互連退化現象,降低界面處的接觸電阻、熱阻,并優(yōu)化電流分布。更重要的是,從原材料價(jià)值角度而言,銅的價(jià)格僅有銀的幾十分之一,理論上具備較低成本。
在過(guò)去的十年間,銅燒結材料雖然與銀燒結材料平行發(fā)展,但其固有的易氧化特性對燒結氣氛和燒結條件要求較高,極大地限制了銅燒結材料的廣泛應用。近年來(lái),各大材料廠(chǎng)商普遍在銅燒結漿料的制備上取得突破,工藝條件極大緩和,不少商用案例開(kāi)始涌現。同時(shí),適用于銀燒結工藝的設備也可以很好地兼容高性能銅漿料。此類(lèi)設備隨著(zhù)銀燒結工藝的成熟開(kāi)始成為各大模塊廠(chǎng)商的產(chǎn)線(xiàn)“標配”,又“無(wú)意中”為銅燒結的普及創(chuàng )造了條件。
基本半導體的先行者姿態(tài)
據此,基本半導體認為,銅燒結有望成為碳化硅車(chē)載功率模塊封裝的理想互連方案。作為國內碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng )新企業(yè),基本半導體意識到銅燒結技術(shù)的潛力,積極與材料供應商展開(kāi)合作,力求將這一前沿技術(shù)率先應用于自身產(chǎn)品中。通過(guò)與材料業(yè)界的合作伙伴通力協(xié)作,基本半導體在銅燒結漿料的選型、互連工藝優(yōu)化等方面取得了一系列進(jìn)展,為銅燒結技術(shù)在碳化硅車(chē)載功率模塊中的產(chǎn)業(yè)化應用奠定了基礎。
基本半導體Pcore?6 -汽車(chē)級HPD碳化硅MOSFET模塊
截至目前,基本半導體模塊研發(fā)團隊已對多款銅燒結漿料進(jìn)行了選型評估,印刷、烘烤、貼片、燒結等工藝環(huán)節已趨于穩定。燒結后的連接強度達到80MPa以上,接近銀燒結漿料的最優(yōu)水平。得益于20MPa以上的超高壓燒結工藝,孔隙率低至15%以下,多孔狀銅燒結體性質(zhì)均一,難以觀(guān)察到氣孔等缺陷。
(左)三種Cu漿料剪切強度測試結果(現行Ag漿料作為對比)(右)加壓燒結銅截面形貌
熱沖擊測試中,銅燒結模塊展現了預期的高可靠性,不僅壽命超過(guò)銀燒結模塊30%,且未觀(guān)察到明顯的界面破壞。在功率循環(huán)可靠性測試中,采用銅漿料的模塊樣品壽命遠高于銀漿料的模塊。綜合而言,銅燒結模塊的壽命提升顯著(zhù),可靠性指標完全能夠滿(mǎn)足車(chē)規級的嚴苛要求。
基本半導體采用銅燒結技術(shù)的預研產(chǎn)品展現出了優(yōu)異的性能和可靠性,不僅證明了銅燒結技術(shù)的應用價(jià)值,也彰顯了基本半導體作為行業(yè)先驅者的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng )新精神。
結語(yǔ)
銅燒結技術(shù)在碳化硅車(chē)載功率模塊封裝領(lǐng)域大有可為,基本半導體將積極推動(dòng)該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,充分發(fā)揮行業(yè)引領(lǐng)作用。未來(lái),基本半導體將繼續深化產(chǎn)學(xué)研合作,加速推進(jìn)銅燒結技術(shù)的成熟和應用,為碳化硅車(chē)載功率模塊的發(fā)展注入新的動(dòng)力,助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)實(shí)現更優(yōu)性能、更高可靠、更低成本,推動(dòng)行業(yè)生態(tài)良性發(fā)展。
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