成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

據日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開(kāi)發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。

據介紹，中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(cháng)（升華法）的傳統技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會(huì )大幅度提升。

由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術(shù)一直未應用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué)，通過(guò)推算溶液的動(dòng)態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6英寸SiC襯底。在此基礎上，公司打算最早于2030年把尺寸擴大到8英寸。

據了解，自2022年4月起，中央硝子就已經(jīng)開(kāi)始使用液相法研究和開(kāi)發(fā)SiC晶圓。

今年4月，中央硝子宣布其“高質(zhì)量8英寸SiC單晶/晶片制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”項目通過(guò)審查，被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)組織（NEDO）的視為綠色創(chuàng )新基金項目（項目期限為2022財年至2029財年）。該項目后續將獲得來(lái)自NEDO的資助，這一進(jìn)展將有助于中央硝子加速8英寸SiC襯底的開(kāi)發(fā)。

報道指出，為了讓客戶(hù)采用以新技術(shù)制作的SiC襯底，中央硝子已開(kāi)始與歐美的大型半導體企業(yè)等展開(kāi)商討。中央硝子最早將于2024年夏天開(kāi)始向客戶(hù)提供樣品，2027～2028年實(shí)現商業(yè)化。該公司將在日本國內的工廠(chǎng)實(shí)施數十億日元規模的投資，爭取將市場(chǎng)份額超過(guò)10％。