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碳化硅（sic）
碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
小米汽車(chē)發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，爭做冬季續航之王
- 12月29日消息，昨日，在小米汽車(chē)技術(shù)發(fā)布會(huì )上，小米集團董事長(cháng)雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時(shí)代歷時(shí)兩年共同研發(fā)。據雷軍介紹，小米電池通過(guò)全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時(shí)，采用行業(yè)首創(chuàng )電芯倒置技術(shù)，最大程度保證乘員艙安全。同時(shí)，該項技術(shù)可以達到低溫環(huán)境下“續航保持率同級更高、空調升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車(chē)立
- 關(guān)鍵字： 小米汽車(chē) 碳化硅 寧德時(shí)代
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長(cháng)率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(cháng)到2028年的$84.3B，復合年增長(cháng)率高達11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車(chē)的半導體器件價(jià)值約為540美元，在A(yíng)DAS、電氣化等汽車(chē)行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數字將增長(cháng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng )了新的機會(huì )。在我們的傳統印象中，電機驅動(dòng)系統往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
意法半導體碳化硅助力理想汽車(chē)加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)
- 2023年12月22日，中國北京-服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發(fā)、制造和銷(xiāo)售豪華智能電動(dòng)車(chē)的中國新能源汽車(chē)龍頭廠(chǎng)商理想汽車(chē)（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅（SiC）長(cháng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰略部署。隨著(zhù)汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續航里程更遠，已成為汽車(chē)制
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過(guò)中期驗收
- 據科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會(huì )召開(kāi)。會(huì )上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(cháng)郭春景研究員為組長(cháng)的評審專(zhuān)家組認為，科友半導體圓滿(mǎn)完成了計劃任務(wù)書(shū)2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(cháng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導書(shū)，一致同意項目通過(guò)階段驗收評審。據了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專(zhuān)項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 科友半導體 第三代半導體材料
SiC是否會(huì )成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(cháng)比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長(cháng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強問(wèn)題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場(chǎng)全方位戰略已擴大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關(guān)鍵字： SIC，液晶，半導體
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅動(dòng)器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新驅動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)鹊?2mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅動(dòng)器還具有高
- 關(guān)鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門(mén)極驅動(dòng)器
碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進(jìn)行調制，就會(huì )得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠(chǎng)
- 12月1日消息，近日，據外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠(chǎng)。該晶圓廠(chǎng)將專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長(cháng)潛力。報道稱(chēng)，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠(chǎng)計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預計2025年第四季度投產(chǎn)，預計到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪(fǎng)時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠(chǎng)生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠(chǎng)制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴建其Kulim工廠(chǎng)（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠(chǎng)SiC（碳化硅）功率工廠(chǎng)。值得一提的是該計劃
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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