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晶圓.ic 文章 進(jìn)入晶圓.ic技術(shù)社區
西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件，持續布局3D IC市場(chǎng)
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具，能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關(guān)鍵字： 西門(mén)子 Calibre 3DThermal 3D IC
可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿(mǎn)載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現有先進(jìn)封裝技術(shù)高數倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱(chēng)，為應對未來(lái)AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計劃是利用類(lèi)似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線(xiàn)層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節點(diǎn)引入
- 自比利時(shí)微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會(huì )（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點(diǎn)的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個(gè)觸點(diǎn)都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點(diǎn)轉移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線(xiàn)圖看，其設想在A(yíng)7節點(diǎn)器件架構中引入CFET技術(shù)。若與先進(jìn)的布線(xiàn)技術(shù)相輔相成，CFET有望將標準單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
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消息稱(chēng)臺積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓
- IT之家 6 月 20 日消息，IT之家援引日經(jīng)亞洲報道，臺積電在研究一種新的先進(jìn)芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統圓形晶圓，從而在每個(gè)晶圓上放置更多的芯片。消息人士透露，矩形基板目前正在試驗中，尺寸為 510 mm 乘 515 mm，可用面積是圓形晶圓的三倍多，采用矩形意味著(zhù)邊緣剩余的未使用面積會(huì )更少。報道稱(chēng)，這項研究仍然處于早期階段，在新形狀基板上的尖端芯片封裝中涂覆光刻膠是瓶頸之一，需要像臺積電這樣擁有深厚財力的芯片制造商來(lái)推動(dòng)設備制造商改變設備設計。在芯片制造中，芯片封裝技術(shù)曾被認為
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三星1nm量產(chǎn)計劃或將提前至2026年
- 據外媒報道，三星計劃在今年6月召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計劃在2024年開(kāi)始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線(xiàn)圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。報道中稱(chēng)，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來(lái)自于“Gate-All-Around（
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遍地開(kāi)花，全球多座晶圓廠(chǎng)刷新進(jìn)度條！
- 5月23日，臺積電晶圓18B廠(chǎng)資深廠(chǎng)長(cháng)黃遠國在2024技術(shù)論壇上表示，由于3納米的產(chǎn)能擴充仍無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，臺積電計劃今年在全球范圍內建設7座工廠(chǎng)。據悉，臺積電3納米先進(jìn)制程于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，其良率和同時(shí)期的N4制程一樣，且現階段產(chǎn)能也繼續擴產(chǎn)中，但這依然無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需求。市場(chǎng)需求強勁 ，臺積電7座工廠(chǎng)在路上黃遠國表示，因應高效能運算（HPC）及智能手機強勁需求，臺積電今年持續積極擴產(chǎn)，將興建7座工廠(chǎng)，預計今年3納米制程產(chǎn)能較2023年相比將增加3倍。作為全球最大的晶圓代工廠(chǎng)商，臺積電似乎從不吝嗇在
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西門(mén)子推出 Solido IP 驗證套件，為下一代 IC 設計提供端到端的芯片質(zhì)量保證
- ●? ?西門(mén)子集成的驗證套件能夠在整個(gè)IC設計周期內提供無(wú)縫的IP質(zhì)量保證，為IP開(kāi)發(fā)團隊提供完整的工作流程西門(mén)子數字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內的設計知識產(chǎn)權 (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證，能夠提升完整芯
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現在又重申了這一路線(xiàn)，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個(gè)。In
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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠(chǎng)制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠(chǎng)制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠(chǎng)建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠(chǎng)。在今年一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠(chǎng)的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關(guān)的強勁需求。在OpenAI訓練
- 關(guān)鍵字： AI 臺積電 晶圓 制程 2nm 3nm
如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字： 3D-IC
地震對全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊
- 今年4月初，中國臺灣地區發(fā)生近25年來(lái)的最大地震，引發(fā)了全球各行業(yè)的關(guān)注，特別是半導體行業(yè)，甚至有媒體發(fā)文稱(chēng)：全球半導體供應鏈抖音臺灣地震而亮起紅燈。為什么這么說(shuō)呢？我們知道，全球最大的半導體代工廠(chǎng)臺積電就位于臺灣省，其向世界各大半導體公司供貨，特別是蘋(píng)果、英偉達和高通等頭部公司，如果負責全球半導體代工產(chǎn)量近七成的臺灣生產(chǎn)線(xiàn)出現問(wèn)題，那么不排除全球半導體供應鏈崩潰的可能性。目前評估結果顯示，此次強震對臺積電核心代工生產(chǎn)設施和DRAM（一種半導體存儲器）生產(chǎn)線(xiàn)未造成嚴重影響，讓外界稍稍松了口氣。但有分析認為
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