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晶圓.ic 文章 進(jìn)入晶圓.ic技術(shù)社區
2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區，而歐洲的份額將繼續下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區獲取市場(chǎng)份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(cháng)率為4.5%，2025年和2026年增長(cháng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預計到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
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臺積電3月份營(yíng)收超過(guò)60億美元 同比增長(cháng)34%
- 4月10日，臺積電公布的2024年3月?tīng)I收報告顯示，合并營(yíng)業(yè)收入約為1952.11億新臺幣（折合約61.05億美元），環(huán)比增長(cháng)7.5%，同比增長(cháng)34.3%，同比增長(cháng)率是時(shí)隔15個(gè)月再次超過(guò)30%，上一次還是2022年的11月份，那一個(gè)月他們營(yíng)收2227.06億新臺幣，同比增長(cháng)50.2%。（2022年也是臺積電營(yíng)收高漲的一年，全年營(yíng)收同比大增42.6%，最高的一個(gè)月同比增長(cháng)65.3%，最低的一個(gè)月也有18.5%，有5個(gè)月的營(yíng)收同比增長(cháng)超過(guò)50%。）公布的數據顯示，一季度營(yíng)收約為新臺幣5926.44億元（折合
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晶合集成5000萬(wàn)像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實(shí)現量產(chǎn)之后，晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期，晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器（BSI）迎來(lái)批量量產(chǎn)，極大賦能智能手機的不同應用場(chǎng)景,實(shí)現由中低端向中高端應用跨越式邁進(jìn)。晶合集成規劃CIS產(chǎn)能將在今年內迎來(lái)倍速增長(cháng)，出貨量占比將顯著(zhù)提升, 成為顯示驅動(dòng)芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來(lái)，5000萬(wàn)像素CIS已在智能手機配置上加速滲透。晶合集成與國內設計公司合作，基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，使用背照式工藝技術(shù)復合式金屬柵欄，不僅提升了產(chǎn)品進(jìn)光量，還兼具高
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臺積電：設備復原率已超70%，主要機臺皆無(wú)受損情況
- 據多方媒體報道，近日，中國臺灣地區花蓮縣發(fā)生多次地震，其中最大震級為7.3級。對于地震所造成影響，臺積電對媒體表示，臺積公司在臺灣的晶圓廠(chǎng)工安系統正常，為確保人員安全，據公司內部程序啟動(dòng)相關(guān)預防措施，部分廠(chǎng)區在第一時(shí)間進(jìn)行疏散，人員皆平安并在確認安全后回到工作崗位。雖然部分廠(chǎng)區的少數設備受損并影響部分產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)，主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無(wú)受損。臺積電還表示，在地震發(fā)生后10小時(shí)內，晶圓廠(chǎng)設備的復原率已超過(guò)70%，新建的晶圓廠(chǎng)（如晶圓十八廠(chǎng)）的復原率更已超過(guò)80％。目前正與客戶(hù)保持密切溝通，
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2027年300mm晶圓廠(chǎng)設備支出可望達1370億美元新高
- 近日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠(chǎng)2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于內存市場(chǎng)復蘇以及對高效能運算和汽車(chē)應用的強勁需求，全球用于前端設施的300mm晶圓廠(chǎng)設備支出預估在2025年首次突破1000億美元，到2027年將達到1370億美元的歷史新高。全球300mm晶圓廠(chǎng)設備投資預計將在2025年成長(cháng)20%至1165億美元，2026年將成長(cháng)12%至1305億美元，將在2027年創(chuàng )下歷史新高。SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manoch
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英國首座12英寸晶圓廠(chǎng)啟用
- 近日，英國半導體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達勒姆（Durham）的最新工廠(chǎng)。該公司表示，這是英國首個(gè)生產(chǎn)300毫米半導體芯片的工廠(chǎng)。Pragmatic Park預期將在未來(lái)五年內創(chuàng )造500個(gè)高技能工作崗位，并加強英國的科技生態(tài)系統。該公司還聲稱(chēng)，相較傳統硅芯片生產(chǎn)，該公司的生產(chǎn)過(guò)程更環(huán)保，耗能和水量更少，二氧化碳排放也顯著(zhù)降低。Pragmatic總部設于英國劍橋，首間工廠(chǎng)位于達勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術(shù)廣泛應用于智能封裝，這種于采
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300mm晶圓廠(chǎng)設備支出明年將首次突破1000億美元
- 全球應用于前道工藝的 300mm 晶圓廠(chǎng)設備投資，預計將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
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紅外鏡頭SWIR系列在硅晶圓共位貼合技術(shù)中的應用
- 硅晶圓共位貼合如有圖所示是一種用于半導體芯片精密對準和鍵合到基板上的先進(jìn)技術(shù)，該技術(shù)利用短波紅外 (SWIR) 光實(shí)現高精度定位和高效鍵合。目前常見(jiàn)的芯片貼合工藝芯片對芯片 (CoC)：將芯片直接粘合到其他芯片上，可通過(guò)焊接、粘合劑或直接鍵合等方式實(shí)現；芯片對晶圓 (CoW)：將芯片粘合到晶圓上，類(lèi)似于CoC，但晶圓比芯片大得多。CoW常用于創(chuàng )建堆疊芯片，可提升性能或功能；晶圓對晶圓 (WoW)：將晶圓直接粘合到其他晶圓上，是最復雜的工藝，用于創(chuàng )建三維集成電路 (3
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ASML前CTO，加入ASM
- 近日，ASM International NV（ASM）宣布提名Martin van den Brink為其監事會(huì )成員。Martin van den Brink的任命將于5月13日提交給年度股東大會(huì )。據介紹，1984年，Martin van den Brink以工程師身份加入當時(shí)新成立的ASML，并于1995年成為技術(shù)副總裁（CTO）。1999年，他被任命為ASML管理委員會(huì )成員，2013年，他被任命為首席技術(shù)官。在擔任公司領(lǐng)導期間，他是推動(dòng)ASML發(fā)展和技術(shù)創(chuàng )新的關(guān)鍵，這些創(chuàng )新幫助塑造了整個(gè)半導體行業(yè)。
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瘋狂的碳化硅，國內狂追！
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車(chē)半導體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長(cháng)期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應鏈的穩定，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)充電應用、儲能系統等領(lǐng)域對于碳化硅半導體不斷增長(cháng)的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息，為了滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項多供應商戰略，從而在
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 英飛凌 晶圓
模擬: 對于采用雙向自動(dòng)檢測IC TXB0104在電平轉換端口傳輸中組態(tài)的分析
- AbstractTXB0104是應用在A(yíng)M3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測電平轉換芯片。當系統的軟件資源配置不足，需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時(shí)候，需要注意外部硬件設計，不然可能會(huì )出現掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。問(wèn)題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為T(mén)XB0104工作異常。實(shí)測中發(fā)現如圖中線(xiàn)路所示：1.只有D0通道無(wú)信號，因為將D0數據線(xiàn)由主芯片（AM3352）側飛線(xiàn)到EMMC，D0開(kāi)始傳輸數據信號，eMMC掛載正常
- 關(guān)鍵字： 自動(dòng)檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
英飛凌與Wolfspeed延長(cháng)多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議
- 據外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長(cháng)雙方2018年2月簽署的現有150mm碳化硅晶圓長(cháng)期供應協(xié)議。根據聲明，雙方延長(cháng)的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩定性，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應用以及儲能系統對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(cháng)的需求。英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(cháng)期供應優(yōu)質(zhì)貨源。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
SiC生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(cháng)仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(cháng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩定性，這導致生長(cháng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
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