5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。

聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中傳輸和接收數據的關(guān)鍵組件，透過(guò)垂直堆棧芯片來(lái)減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模塊帶來(lái)的挑戰。該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。

聯(lián)電指出，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的制程技術(shù)，以8吋和12吋晶圓生產(chǎn)，目前已完成超500個(gè)產(chǎn)品設計定案，出貨量更高達380多億顆。

聯(lián)電技術(shù)開(kāi)發(fā)處執行處長(cháng)馬瑞吉（Raj Verma）表示，聯(lián)電領(lǐng)先業(yè)界以創(chuàng )新射頻前端模塊的3D IC技術(shù)打造最先進(jìn)的解決方案，這項突破性技術(shù)不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來(lái)的挑戰，更有助于在行動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)和虛擬現實(shí)的裝置中，透過(guò)同時(shí)容納更多頻段來(lái)實(shí)現更快的數據傳輸。未來(lái)將持續開(kāi)發(fā)如5G毫米波芯片堆棧技術(shù)的解決方案，以滿(mǎn)足客戶(hù)對射頻芯片的需求。