晶圓.ic 文章進(jìn)入晶圓.ic技術(shù)社區

SEMI：三季度全球硅晶圓出貨面積達 37.41 億平方英寸，創(chuàng )下新紀錄

IT之家10 月 30 日消息，國際半導體設備與材料協(xié)會(huì )（SEMI）最新數據顯示，2022 年第三季度全球硅晶圓出貨面積創(chuàng )下 37.41 億平方英寸的新紀錄，環(huán)比增長(cháng) 1.0%，同比增長(cháng) 2.5%。IT之家了解到，SEMI 表示，盡管半導體行業(yè)面臨宏觀(guān)經(jīng)濟的影響，但硅晶圓的出貨量比上一季度仍有增長(cháng)。由于硅晶圓在更廣泛的周期性行業(yè)中的作用至關(guān)重要，其仍然對長(cháng)期增長(cháng)充滿(mǎn)信心。報告指出，硅晶圓是大多數半導體的基本材料，半導體是包括計算機、電信產(chǎn)品和消費設備在內的所有電子產(chǎn)品的重要組成部分。高度工程化的晶圓片直徑
關(guān)鍵字：晶圓出貨量

晶圓代工產(chǎn)能被迫收斂三星電子仍將大幅提高晶圓代工產(chǎn)能

長(cháng)達逾兩年的疫情紅利于2022年初起明顯消退，加上全球通膨壓力加劇導致消費性電子需求大幅衰退，終端庫存急速飆升，電子供應鏈陷入砍單、延遲拉貨、殺價(jià)與取消長(cháng)約混亂局勢，連鎖效應于2022年中向上沖破半導體晶圓代工、封測與IC設計防線(xiàn)。
關(guān)鍵字：晶圓代工產(chǎn)能三星

GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
關(guān)鍵字： GaN IC 電機驅動(dòng)器

西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
關(guān)鍵字：西門(mén)子聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程

預計2022全球晶圓廠(chǎng)設備支出將抵近千億美元的歷史新高

SEMI發(fā)布了最新一季的世界晶圓廠(chǎng)預測報告，推測本年度全球前端晶圓廠(chǎng)的設備支出將同比增長(cháng)約9%，達到990億美元（約7098.3億元人民幣）的歷史新高。此外SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示，在2022年達到創(chuàng )紀錄水平后，預計在新的晶圓廠(chǎng)建設和升級的推動(dòng)下，全球晶圓廠(chǎng)設備市場(chǎng)明年將繼續保持健康發(fā)展。報告預計：· 中國臺灣地區將引領(lǐng)本年度的晶圓廠(chǎng)設備支出，同比增長(cháng)47%至300億美元（約 2151 億元人民幣）· 中國大陸地區為220億美元（約1577.4億元人民幣），較去年峰值下降11.
關(guān)鍵字：晶圓

半導體8寸晶圓行情“急轉直下”，少數晶圓廠(chǎng)已同意延期拉貨

　　據臺灣《經(jīng)濟日報》，半導體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。業(yè)界人士透露，近期8寸硅晶圓市況“急轉直下”，后續12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊，環(huán)球晶、臺勝科、合晶等臺廠(chǎng)警戒。其中，合晶8吋矽晶圓產(chǎn)品比重最高，恐率先感受市況波動(dòng)，環(huán)球晶、臺勝科也將逐步受影響。受半導體市場(chǎng)需求轉弱沖擊，業(yè)界人士指出，有部分矽晶圓廠(chǎng)商已同意一些下游長(cháng)約客戶(hù)的要求，可延后拉貨時(shí)程?！　I(yè)界人士透露，近期8寸晶圓市況突然急轉直下，估計后續可能蔓延到12寸記憶體用硅晶圓，再延伸到12寸邏輯IC應用，預期客戶(hù)端于第四季度到明年第
關(guān)鍵字：晶圓半導體

西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數字驗證方法學(xué)，適用于當今前沿的混合信號設計西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進(jìn)一步擴展功能，以全面、直觀(guān)的可視化調試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統解決方案提升
關(guān)鍵字：西門(mén)子混合信號 IC 驗證

打造驅動(dòng)第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統

受訪(fǎng)人：亞德諾半導體　　大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì )給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件

全球首發(fā)3nm工藝三星自己建議拆分自己：跟臺積電拼了

　　在全球半導體晶圓代工市場(chǎng)上，三星雖然是僅次于臺積電的第二大公司，但是三星跟臺積電的差距還是很大的，技術(shù)及產(chǎn)能都遠不如后者，今年又丟了高通的驍龍8+訂單，未來(lái)的解決辦法可能就是拆分業(yè)務(wù)，將晶圓代工業(yè)務(wù)獨立運營(yíng)?！　∪窃诎雽w行業(yè)的整體實(shí)力不俗，但主要優(yōu)勢在存儲芯片上，包括閃存及內存都是全球第一，但在晶圓代工業(yè)務(wù)上多年來(lái)都是老二，而且差距還在擴大，不過(guò)三星早就定下目標，希望在2030年前超越臺積電?！　∪绾螌?shí)現這個(gè)目標，同為三星集團的三星證券提出了意見(jiàn)，那就是三星電子拆分晶圓代工部門(mén)，并且去美國上市，以
關(guān)鍵字：三星晶圓臺積電

TrendForce：預計第三季度驅動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，中國面板驅動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠(chǎng)的要求，價(jià)格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續下跌，且有極大可能會(huì )比預估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
關(guān)鍵字： IC TrendForce 市場(chǎng)

無(wú)毛刺監控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱(chēng)之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
關(guān)鍵字： ADI IC

格芯舉行新加坡新廠(chǎng)房的首臺設備搬入儀式

全球領(lǐng)先的特殊工藝半導體制造商格芯?（GF?）（納斯達克股票代碼：GFS）今日宣布，首臺設備已經(jīng)搬入該公司位于新加坡園區的新廠(chǎng)房。我們與新加坡經(jīng)濟發(fā)展局攜手合作，與忠實(shí)客戶(hù)共同投資，在新加坡產(chǎn)能擴容第一期工程破土動(dòng)工僅一年之后達成了這個(gè)里程碑。隨著(zhù)這個(gè)里程碑的達成，格芯(GF)又向新加坡工廠(chǎng)制造產(chǎn)能擴容的目標邁進(jìn)了一步，從而能夠更好地滿(mǎn)足全球市場(chǎng)對格芯(GF)制造芯片的更多需求，這些芯片廣泛應用于汽車(chē)、智能手機、無(wú)線(xiàn)連接、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設備和其他應用。今天在新建廠(chǎng)房舉行的設備搬入儀式上，格
關(guān)鍵字：格芯晶圓制造

聯(lián)電科學(xué)基礎減碳目標領(lǐng)先晶圓專(zhuān)工業(yè)通過(guò)SBTi審核

氣候極端變化的危機步步逼近，如何阻止地球升溫已是全球關(guān)注的課題。聯(lián)華電子今(23)日宣布，針對氣候調適議題所設定的減碳路徑，已通過(guò)國際科學(xué)基礎減碳目標倡議(SBTi)審核，為全球第一家通過(guò)的半導體晶圓專(zhuān)工業(yè)者。這是聯(lián)電繼2021年宣示2050年凈零排放后，再次領(lǐng)先業(yè)界通過(guò)審查，為達成凈零目標邁出重要一步。聯(lián)華電子共同總經(jīng)理暨永續長(cháng)簡(jiǎn)山杰表示：“聯(lián)電在去(2021)年宣示2050年凈零排放承諾，此次通過(guò)科學(xué)基礎減碳目標(SBT)的審核，正是為達成凈零排放確定路徑，更確立我們的目標與國際趨勢一致。
關(guān)鍵字：聯(lián)電晶圓

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線(xiàn) 3D IC

2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區搶占工業(yè)經(jīng)濟制高點(diǎn)的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵我國具有市場(chǎng)競爭實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng )新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統化估值，提升企業(yè)的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機構推薦
關(guān)鍵字： IC 獨角獸