Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現在又重申了這一路線(xiàn)，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。

目前，Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。

其中，Intel 3作為升級版，應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個(gè)。

Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節點(diǎn)正在順利推進(jìn)中，分別相當于2nm、1.8nm，將繼續采用EUV技術(shù)，并應用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

憑借它們兩個(gè)，Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性。

之后，Intel將繼續采用創(chuàng )新技術(shù)，推進(jìn)未來(lái)制程節點(diǎn)的開(kāi)發(fā)和制造，以鞏固領(lǐng)先性。

其中一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是High NA EUV技術(shù)，而數值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線(xiàn)能力的指標。

通過(guò)升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節點(diǎn)，Intel 14A 1.4nm級就將采用High NA EUV光刻技術(shù)。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí)，Intel也在同步開(kāi)發(fā)新的晶體管結構，并改進(jìn)工藝步驟，如通過(guò)PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡(jiǎn)化流程。

此外，Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個(gè)演化版本，以幫助客戶(hù)開(kāi)發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。