可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)

6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿(mǎn)載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現有先進(jìn)封裝技術(shù)高數倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。

報道稱(chēng)，為應對未來(lái)AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計劃是利用類(lèi)似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。

資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線(xiàn)層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠將多個(gè)芯片、無(wú)源元件和互連集成在一個(gè)封裝內。FOPLP與傳統封裝方法相比，提供了更大的靈活性、可擴展性和成本效益。

據Yole的報告顯示，FOWLP技術(shù)的面積使用率<85%，FOPLP面積使用率>95%，這使得300mm×300mm的面板比同尺寸12英寸的晶圓可以多容納1.64倍的die。如果采用600mm×600mm的面板，那么可能將會(huì )帶來(lái)近5倍的提升。

消息人士稱(chēng)，臺積電目前的試驗是采用515mm×510mm的矩形基板，可用面積將會(huì )是目前的12英寸晶圓的三倍多，矩形基板也將使得邊緣留下的未用面積減少。

臺積電目前主要以CoWoS為高性能計算（HPC）芯片客戶(hù)提供先進(jìn)封裝服務(wù)，并正擴張CoWoS產(chǎn)能，最新的廠(chǎng)區落腳南科嘉義園區。

臺積電的CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)能合并兩組英偉達的Balckwell GPU芯片、以及八組高帶寬內存（HBM）芯片，但隨著(zhù)單組芯片要容納更多晶體管、整合更多HBM，產(chǎn)業(yè)的現行標準的12英寸晶圓可能在兩年后就不足以用來(lái)封裝先進(jìn)芯片，因此需要產(chǎn)出性能比現有先進(jìn)封裝技術(shù)高數倍的面板級扇出型封裝。

三星、英特爾也早已意識到上述問(wèn)題，紛紛投入新一代的先進(jìn)封裝技術(shù)。三星現有自家先進(jìn)封裝服務(wù)包含I-Cube 2.5D封裝以及X-Cube 3D IC封裝、2D FOPKG封裝等。對于移動(dòng)手機或穿戴式裝置等需要低功耗內存整合的應用，三星已提供面板級扇出型封裝和晶圓級扇出型封裝等平臺。

英特爾也規劃推出業(yè)界首款、用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板方案，規劃2026年至2030年量產(chǎn)，并預期需要更大體積封裝、更高速應用及工作負載的數據中心、AI、GPU等領(lǐng)域，將是最先導入的市場(chǎng)。本月初，據日經(jīng)新聞報導，英特爾近期和14家日本合作伙伴攜手，計劃租用夏普閑置的液晶面板廠(chǎng)作為先進(jìn)半導體技術(shù)的研發(fā)中心，或將為研發(fā)面板級封裝技術(shù)。