EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
晶圓
晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區
可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿(mǎn)載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現有先進(jìn)封裝技術(shù)高數倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱(chēng)，為應對未來(lái)AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計劃是利用類(lèi)似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線(xiàn)層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
- 關(guān)鍵字： 晶圓 臺積電 封裝 英特爾 三星
imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節點(diǎn)引入
- 自比利時(shí)微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會(huì )（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點(diǎn)的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個(gè)觸點(diǎn)都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點(diǎn)轉移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術(shù)路線(xiàn)圖看，其設想在A(yíng)7節點(diǎn)器件架構中引入CFET技術(shù)。若與先進(jìn)的布線(xiàn)技術(shù)相輔相成，CFET有望將標準單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
- 關(guān)鍵字： 晶圓 CFET 英特爾
消息稱(chēng)臺積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓
- IT之家 6 月 20 日消息，IT之家援引日經(jīng)亞洲報道，臺積電在研究一種新的先進(jìn)芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統圓形晶圓，從而在每個(gè)晶圓上放置更多的芯片。消息人士透露，矩形基板目前正在試驗中，尺寸為 510 mm 乘 515 mm，可用面積是圓形晶圓的三倍多，采用矩形意味著(zhù)邊緣剩余的未使用面積會(huì )更少。報道稱(chēng)，這項研究仍然處于早期階段，在新形狀基板上的尖端芯片封裝中涂覆光刻膠是瓶頸之一，需要像臺積電這樣擁有深厚財力的芯片制造商來(lái)推動(dòng)設備制造商改變設備設計。在芯片制造中，芯片封裝技術(shù)曾被認為
- 關(guān)鍵字： 臺積電 晶圓
三星1nm量產(chǎn)計劃或將提前至2026年
- 據外媒報道，三星計劃在今年6月召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計劃在2024年開(kāi)始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線(xiàn)圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。報道中稱(chēng)，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來(lái)自于“Gate-All-Around（
- 關(guān)鍵字： 三星 1nm 晶圓
遍地開(kāi)花，全球多座晶圓廠(chǎng)刷新進(jìn)度條！
- 5月23日，臺積電晶圓18B廠(chǎng)資深廠(chǎng)長(cháng)黃遠國在2024技術(shù)論壇上表示，由于3納米的產(chǎn)能擴充仍無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，臺積電計劃今年在全球范圍內建設7座工廠(chǎng)。據悉，臺積電3納米先進(jìn)制程于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，其良率和同時(shí)期的N4制程一樣，且現階段產(chǎn)能也繼續擴產(chǎn)中，但這依然無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需求。市場(chǎng)需求強勁 ，臺積電7座工廠(chǎng)在路上黃遠國表示，因應高效能運算（HPC）及智能手機強勁需求，臺積電今年持續積極擴產(chǎn)，將興建7座工廠(chǎng)，預計今年3納米制程產(chǎn)能較2023年相比將增加3倍。作為全球最大的晶圓代工廠(chǎng)商，臺積電似乎從不吝嗇在
- 關(guān)鍵字： 晶圓 全球半導體 市場(chǎng)
Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現在又重申了這一路線(xiàn)，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個(gè)。In
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶圓 芯片 先進(jìn)制程 1.4nm
瞄準AI需求：臺積電在美第二座晶圓廠(chǎng)制程升級至2nm
- 最新消息，臺積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠(chǎng)制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠(chǎng)建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠(chǎng)。在今年一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠(chǎng)的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話(huà)會(huì )議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關(guān)的強勁需求。在OpenAI訓練
- 關(guān)鍵字： AI 臺積電 晶圓 制程 2nm 3nm
地震對全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊
- 今年4月初，中國臺灣地區發(fā)生近25年來(lái)的最大地震，引發(fā)了全球各行業(yè)的關(guān)注，特別是半導體行業(yè)，甚至有媒體發(fā)文稱(chēng)：全球半導體供應鏈抖音臺灣地震而亮起紅燈。為什么這么說(shuō)呢？我們知道，全球最大的半導體代工廠(chǎng)臺積電就位于臺灣省，其向世界各大半導體公司供貨，特別是蘋(píng)果、英偉達和高通等頭部公司，如果負責全球半導體代工產(chǎn)量近七成的臺灣生產(chǎn)線(xiàn)出現問(wèn)題，那么不排除全球半導體供應鏈崩潰的可能性。目前評估結果顯示，此次強震對臺積電核心代工生產(chǎn)設施和DRAM（一種半導體存儲器）生產(chǎn)線(xiàn)未造成嚴重影響，讓外界稍稍松了口氣。但有分析認為
- 關(guān)鍵字： 臺積電 地震 美光 晶圓
2026年，中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區，而歐洲的份額將繼續下降。中國大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區獲取市場(chǎng)份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(cháng)率為4.5%，2025年和2026年增長(cháng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預計到2025年，中國大陸的產(chǎn)能份額
- 關(guān)鍵字： IC 晶圓 半導體市場(chǎng)
臺積電3月份營(yíng)收超過(guò)60億美元 同比增長(cháng)34%
- 4月10日，臺積電公布的2024年3月?tīng)I收報告顯示，合并營(yíng)業(yè)收入約為1952.11億新臺幣（折合約61.05億美元），環(huán)比增長(cháng)7.5%，同比增長(cháng)34.3%，同比增長(cháng)率是時(shí)隔15個(gè)月再次超過(guò)30%，上一次還是2022年的11月份，那一個(gè)月他們營(yíng)收2227.06億新臺幣，同比增長(cháng)50.2%。（2022年也是臺積電營(yíng)收高漲的一年，全年營(yíng)收同比大增42.6%，最高的一個(gè)月同比增長(cháng)65.3%，最低的一個(gè)月也有18.5%，有5個(gè)月的營(yíng)收同比增長(cháng)超過(guò)50%。）公布的數據顯示，一季度營(yíng)收約為新臺幣5926.44億元（折合
- 關(guān)鍵字： 臺積電 晶圓
晶合集成5000萬(wàn)像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實(shí)現量產(chǎn)之后，晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期，晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器（BSI）迎來(lái)批量量產(chǎn)，極大賦能智能手機的不同應用場(chǎng)景,實(shí)現由中低端向中高端應用跨越式邁進(jìn)。晶合集成規劃CIS產(chǎn)能將在今年內迎來(lái)倍速增長(cháng)，出貨量占比將顯著(zhù)提升, 成為顯示驅動(dòng)芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來(lái)，5000萬(wàn)像素CIS已在智能手機配置上加速滲透。晶合集成與國內設計公司合作，基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，使用背照式工藝技術(shù)復合式金屬柵欄，不僅提升了產(chǎn)品進(jìn)光量，還兼具高
- 關(guān)鍵字： 晶圓 CIS
臺積電：設備復原率已超70%，主要機臺皆無(wú)受損情況
- 據多方媒體報道，近日，中國臺灣地區花蓮縣發(fā)生多次地震，其中最大震級為7.3級。對于地震所造成影響，臺積電對媒體表示，臺積公司在臺灣的晶圓廠(chǎng)工安系統正常，為確保人員安全，據公司內部程序啟動(dòng)相關(guān)預防措施，部分廠(chǎng)區在第一時(shí)間進(jìn)行疏散，人員皆平安并在確認安全后回到工作崗位。雖然部分廠(chǎng)區的少數設備受損并影響部分產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)，主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無(wú)受損。臺積電還表示，在地震發(fā)生后10小時(shí)內，晶圓廠(chǎng)設備的復原率已超過(guò)70%，新建的晶圓廠(chǎng)（如晶圓十八廠(chǎng)）的復原率更已超過(guò)80％。目前正與客戶(hù)保持密切溝通，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 晶圓 設備
2027年300mm晶圓廠(chǎng)設備支出可望達1370億美元新高
- 近日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠(chǎng)2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于內存市場(chǎng)復蘇以及對高效能運算和汽車(chē)應用的強勁需求，全球用于前端設施的300mm晶圓廠(chǎng)設備支出預估在2025年首次突破1000億美元，到2027年將達到1370億美元的歷史新高。全球300mm晶圓廠(chǎng)設備投資預計將在2025年成長(cháng)20%至1165億美元，2026年將成長(cháng)12%至1305億美元，將在2027年創(chuàng )下歷史新高。SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manoch
- 關(guān)鍵字： 晶圓 設備
英國首座12英寸晶圓廠(chǎng)啟用
- 近日，英國半導體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達勒姆（Durham）的最新工廠(chǎng)。該公司表示，這是英國首個(gè)生產(chǎn)300毫米半導體芯片的工廠(chǎng)。Pragmatic Park預期將在未來(lái)五年內創(chuàng )造500個(gè)高技能工作崗位，并加強英國的科技生態(tài)系統。該公司還聲稱(chēng)，相較傳統硅芯片生產(chǎn)，該公司的生產(chǎn)過(guò)程更環(huán)保，耗能和水量更少，二氧化碳排放也顯著(zhù)降低。Pragmatic總部設于英國劍橋，首間工廠(chǎng)位于達勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術(shù)廣泛應用于智能封裝，這種于采
- 關(guān)鍵字： MCU 晶圓 英國
300mm晶圓廠(chǎng)設備支出明年將首次突破1000億美元
- 全球應用于前道工藝的 300mm 晶圓廠(chǎng)設備投資，預計將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
- 關(guān)鍵字： 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠(chǎng)再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
晶圓相關(guān)帖子
晶圓資料下載
晶圓專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473