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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
臺積電也開(kāi)始削減投入
- 市場(chǎng)習慣于臺積電一次次提高預期、打破常規。但這周四（10 月 13 日），這些人失望了。在當天舉行的營(yíng)收電話(huà)會(huì )議上，臺積電告訴全世界它們也將無(wú)法幸免于行業(yè)可預見(jiàn)的疲軟。三季報里的臺積電依舊是全球產(chǎn)值最大、技術(shù)最先進(jìn)的晶圓廠(chǎng)，攫取行業(yè)最多的利潤。它們季度毛利率達到創(chuàng )紀錄的 60.4%。先進(jìn)工藝（7 納米及 5 納米制程）占總收入的比重進(jìn)一步提高到 54%（前值 51%），再加上新臺幣貶值有利于出口，臺積電三季度凈利潤增長(cháng)近 80%、達到約 92.68 億美元。這些成績(jì)對現在的臺積電來(lái)講沒(méi)什么太多好說(shuō)的。市場(chǎng)
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臺積電Q3營(yíng)收續創(chuàng )新高 單季獲利賺逾一股本
- 晶圓代工龍頭臺積電13日召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì )，第三季合并營(yíng)收6,131.42億元，歸屬母公司稅后凈利2,808.66億元，同步創(chuàng )下歷史新高，每股凈利10.83元優(yōu)于預期，單季獲利賺逾一個(gè)股本。累計前三季合并營(yíng)收突破兆元大關(guān)達1.638兆元，歸屬母公司稅后凈利7,206.26億元，每股凈利27.79元。臺積電第三季合并營(yíng)收季增14.8％達6131.42億元，較去年同期成長(cháng)47.9％，平均毛利率季增1.3個(gè)百分點(diǎn)達60.4％，與去年同期相較大幅提升9.1個(gè)百分點(diǎn)，營(yíng)業(yè)利益率季增1.5個(gè)百分點(diǎn)達50.6％，與去年同期
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臺積電確認南京廠(chǎng)16/28納米獲美一年設備授權許可
- 據外媒消息，臺積電已獲得為期一年的繼續訂購美國芯片制造設備以在中國擴張的許可證，而臺積電在第三季度法說(shuō)會(huì )上也證實(shí)這一消息，臺積電表示，已獲得美國一年許可用于南京工廠(chǎng)生產(chǎn)28nm和16nm制程的產(chǎn)品。臺積電將在完全遵守所有規章制度的情況下為所有客戶(hù)提供服務(wù)。另外，外界關(guān)注臺積電海外建廠(chǎng)計劃。臺積電總裁魏哲家表示，5納米制程需求強勁，美國亞利桑那州5納米廠(chǎng)建廠(chǎng)計劃符合進(jìn)度?！澳暇S(chǎng)擴產(chǎn)計劃也依規劃進(jìn)行，盡管7納米需求趨緩，不過(guò)高雄廠(chǎng)建廠(chǎng)也依進(jìn)度進(jìn)行。日本廠(chǎng)同樣依進(jìn)度進(jìn)行，符合客戶(hù)需求?！蔽赫芗艺f(shuō)道。另外關(guān)于歐
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Q2 全球晶圓代工廠(chǎng)營(yíng)收排行：臺積電、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國際前五
- IT之家 9 月 29 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)最新報告顯示，由于少量新增產(chǎn)能在第二季度開(kāi)出帶動(dòng)晶圓出貨增長(cháng)，以及部分晶圓漲價(jià)，推升第二季度前十大晶圓代工產(chǎn)值達到 332.0 億美元（約 2387.08 億元人民幣），但環(huán)比增長(cháng)因消費市況轉弱收斂至 3.9%。報告指出，隨著(zhù) iPhone 新機于第三季度問(wèn)世，有望為低迷的市場(chǎng)氛圍維持一定備貨動(dòng)能，故預計第三季度前十大晶圓代工營(yíng)收在高價(jià)制程的帶動(dòng)下，將維持增長(cháng)態(tài)勢，且環(huán)比增長(cháng)幅度可望略高于第二季度。具體來(lái)看，受益于 HPC、IoT 與
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消息稱(chēng)AMD CEO蘇姿豐將親自造訪(fǎng)臺積電：商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能
- 據國外媒體報道，AMD首席執行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級高管希望在9月底或11月初前往臺灣地區，探索與當地合作伙伴的合作。蘇姿豐前往臺灣地區的主要原因似乎是與臺積電會(huì )面，與臺積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級（N2）制造技術(shù)的使用以及未來(lái)的短期和長(cháng)期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級等未來(lái)節點(diǎn)的晶圓分配。AMD近年來(lái)取得的顯著(zhù)成功很大程度上歸功于臺積電利用其極具競爭力的工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線(xiàn)才剛開(kāi)始向5nm制程節點(diǎn)切換，并且臺積電的2
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臺灣省花蓮縣發(fā)生6.9級地震 芯片又要漲價(jià)？臺積電回應
- 9月17日21時(shí)41分，在中國臺灣花蓮縣（北緯23.05度，東經(jīng)121.21度）發(fā)生6.5級地震，震源深度10千米?！ ∵@是今年以來(lái)我國最大地震，對當地造成了破壞性影響，花蓮大橋斷成數截，民眾卡在橋上，截至18日晚11時(shí)，地震造成1人死亡、142人受傷?！ 〕巳藛T安全之外，地震還有可能對企業(yè)生產(chǎn)造成影響，特別是臺灣省內有多家全球芯片工廠(chǎng)及面板廠(chǎng)，這次是否會(huì )導致全球芯片大漲價(jià)？這要看廠(chǎng)商的受影響程度?！ ∪蜃畲笠彩亲钕冗M(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)臺積電已經(jīng)回應，18日下午地震發(fā)生后，公司已按照內部程序，對于南部廠(chǎng)
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臺積電2nm預計2025年量產(chǎn)
- 據臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工廠(chǎng)臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠(chǎng)預計于2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，FinFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì )遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構生
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臺積電計劃關(guān)閉部分EUV光刻機：先進(jìn)工藝過(guò)剩
- EUV光刻機是半導體制造中的核心設備，只有ASML公司才能生產(chǎn)，單臺售價(jià)約10億人民幣，之前三星、臺積電等公司還要搶著(zhù)買(mǎi)，然而今年半導體形勢已經(jīng)變了，EUV光刻機反而因為耗電太多，臺積電計劃關(guān)閉省電。來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士手機晶片達人的消息稱(chēng)，由于先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率開(kāi)始下滑，而且評估之后下滑時(shí)間會(huì )持續一段周期，臺積電計劃從年底開(kāi)始，將部分EUV 設備關(guān)機，以節省EUV設備巨大的耗電支出。據了解臺積電目前擁有大約80臺EUV光刻機，主要用于7nm、5nm及以下的先進(jìn)工藝，今年9月份還會(huì )量產(chǎn)3nm工藝，都需要E
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臺積電先進(jìn)封裝受追捧，消息稱(chēng)英偉達高端芯片有意采用 SoIC 技術(shù)
- IT之家 8 月 31 日消息，DigiTimes 稱(chēng)，目前英偉達正加緊與臺積電在高端芯片上的合作。消息人士稱(chēng)，英偉達正考慮 HPC 芯片采用臺積電的 SoIC 技術(shù)。隨著(zhù)摩爾定律即將面臨物理極限，囊括小芯片（Chiplet）、異質(zhì)整合的先進(jìn)封裝技術(shù)，在高效運算（HPC）芯片領(lǐng)域的話(huà)題火熱程度，從 2022 年 8 月下旬的 Hot Chips 大會(huì )一路延續至今...據公開(kāi)資料，SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package）即小外形集成電路封裝，指外
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臺積電魏哲家：3 納米即將量產(chǎn)，2 納米保證 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 8 月 30 日消息，據中國臺灣經(jīng)濟日報，臺積電總裁魏哲家今日現身 2022 臺積電技術(shù)論壇并提到，臺積電 3 納米思考良久維持 FF 架構并即將量產(chǎn)，至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產(chǎn)會(huì )是最領(lǐng)先技術(shù)。據悉，臺積電 2 納米技術(shù)和 3 納米技術(shù)相比，功效大幅往前推進(jìn)。在相同功耗下，速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。值得一提的是，聯(lián)發(fā)科全球副總裁兼無(wú)線(xiàn)通信事業(yè)部總經(jīng)理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡(jiǎn)報，魏哲家眼尖發(fā)現“效能僅提升 2
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Credo正式推出基于臺積電5nm及4nm先進(jìn)制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品
- ?Credo Technology（納斯達克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶(hù)在高性能計算、交換芯片、人工智能、機器學(xué)習、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長(cháng)距（LR+）、長(cháng)距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進(jìn)的混合信號以及數字信號處理（DSP）1
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力拚臺積電押寶3納米GAAFET技術(shù)，三星3年內良率成關(guān)鍵
- 韓國媒體表示，韓國三星計劃3年內創(chuàng )建GAAFET技術(shù)3納米節點(diǎn)，成為芯片代工業(yè)界的游戲規則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺積電?！禕usinessKorea》指出，GAAFET技術(shù)是新時(shí)代制程，改善半導體晶體管結構，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術(shù)生產(chǎn)芯片比FinFET更精確控制電流。市場(chǎng)研究調查機構TrendForce報告指出，2021年第四季臺積電全球芯片代工產(chǎn)業(yè)以高達52.1%市場(chǎng)占有率狠甩韓國三星，為了追上臺積電，三星押注GAAFET技術(shù)，并首先用于3納米
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英特爾不是輸給了 AMD 和臺積電，而是輸給了自己
- 摘要市值被反超，不是 AMD 太牛，而是英特爾太拉胯。7 月 29 日，英特爾發(fā)布財報后，股價(jià)大跌近 9%，而 AMD 股價(jià)上漲超 3%，以 1530 億美元的市值再次超過(guò)英特爾（1480 億美元），這一具有象征意義的信號在 5 天后 AMD 財報發(fā)布時(shí)得到了強化。一邊是英特爾公布了自 1999 年以來(lái)最差的財報表現，收入同比下降 22%，達 153 億美元；而另一邊，AMD 營(yíng)收連續第八個(gè)季度創(chuàng )紀錄地高增長(cháng)，本季度同比增長(cháng) 70%，達 66 億美元，實(shí)力打臉英特爾前 CEO Brian Krzanich
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全球最大芯片制造商臺積電(TSMC)公布創(chuàng )紀錄利潤，緩解了市場(chǎng)對半導體行業(yè)逆風(fēng)的擔憂(yōu)
- 全球最大的芯片制造商臺積電(TSMC)公布，第二季度實(shí)現了創(chuàng )紀錄的凈利潤。然而，臺積電 CEO CC Wei 表示，該公司的部分資本支出將“推遲到2023年”強勁的業(yè)績(jì)和前景(但對支出持謹慎態(tài)度)突顯出，在人們擔心價(jià)格上漲和消費者需求受到影響之際，芯片制造商正謹慎行事。2019年6月5日，星期三，臺積電在新竹的總部掛出了“臺積電”的標牌。全球最大的芯片制造商臺積電(TSMC)公布第二季度凈利潤達到創(chuàng )紀錄水平，這有助于緩解市場(chǎng)對高通脹導致的需求疲軟和部分半導體供過(guò)于求的擔憂(yōu)。以下是截至6月30日的3個(gè)月的一
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