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臺積電.晶圓代工
臺積電.晶圓代工 文章 進(jìn)入臺積電.晶圓代工技術(shù)社區
傳英偉達削減臺積電的RTX 40系列GPU訂單，AMD和蘋(píng)果也有同樣意愿
- 最近幾個(gè)月以來(lái)，隨著(zhù)通貨膨脹的沖擊以及經(jīng)濟前景不明朗等因素的影響，消費電子產(chǎn)品市場(chǎng)的需求正迅速放緩，無(wú)論是智能手機、PC還是電視等產(chǎn)品，銷(xiāo)量都出現了不同程度的下滑。因應市場(chǎng)環(huán)境的變化，各大廠(chǎng)商也開(kāi)始對生產(chǎn)進(jìn)行調整。據DigiTimes報道，英偉達、AMD和蘋(píng)果都打算修改在臺積電（TSMC）的訂單。英偉達正面臨顯卡市場(chǎng)過(guò)度飽和的狀況，以及下一代GPU需求下降的問(wèn)題，正考慮削減基于A(yíng)da Lovelace架構的GeForce RTX 40系列GPU的訂單。目前英偉達的合作伙伴還有大量GeForce RTX 3
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英特爾晶圓代工服務(wù)成立云端聯(lián)盟
- 英特爾晶圓代工服務(wù)（IFS）29日宣布下個(gè)階段加速器生態(tài)系計劃。IFS云端聯(lián)盟（IFS Cloud Alliance）將在云端實(shí)現安全的設計環(huán)境，透過(guò)利用巨量隨選運算的力量，改善代工客戶(hù)的設計效率，同時(shí)加速產(chǎn)品上市時(shí)間。本計劃的初始成員包含亞馬遜AWS及微軟Azure，以及電子設計自動(dòng)化（EDA）的主要廠(chǎng)商。英特爾晶圓代工服務(wù)事業(yè)群總裁Randhir Thakur表示，藉由汲取以云端為基礎設計環(huán)境的可擴展性，IFS云端聯(lián)盟將能夠更廣泛地使用英特爾的先進(jìn)制程和封裝技術(shù)。我們和領(lǐng)先云端供貨商與EDA工具供貨商
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蘋(píng)果自研處理器M2 Pro/M3曝光 臺積電3nm工藝
- 芯研所6月29日消息，據DigiTimes的消息稱(chēng)，臺積電將生產(chǎn)M2 Pro和M3芯片，這兩款芯片將采用臺積電最新3nm工藝技術(shù)。蘋(píng)果已經(jīng)預定臺積電3nm工藝產(chǎn)能，專(zhuān)門(mén)為生產(chǎn)M2 Pro和M3芯片，其性能相比上代會(huì )更強。按照臺積電之前公布的計劃，將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片。如果消息屬實(shí)的話(huà)，那么M2 Max芯片自然也會(huì )升級至3nm工藝，最后自然還有 M2 Ultra。M1系列芯片都是采用5nm工藝，而已經(jīng)發(fā)布的M2芯片也是5nm，這多少會(huì )讓外界懷疑M2 Pro和M2 Max芯片是否真的會(huì )用3n
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臺積電營(yíng)收將超英特爾 短期內毫無(wú)反超的可能
- 你還記得英特爾第一次成為全球半導體銷(xiāo)售第一是哪一年么？筆者查閱了資料，應該是1992年，那一年英特爾終于超越了日本巨頭NEC占據了半導體的頭把交椅，而這一坐就是24年。直到2017年三星憑借存儲器價(jià)格高漲連奪兩年第一后，2019年又被英特爾重新奪回，不過(guò)2021年三星再次依靠存儲行業(yè)的暴漲拿回了領(lǐng)頭羊位置，而到2022年年終結算的時(shí)候，英特爾可能不僅保不住第一的位置，甚至連第二的位置都很難守住。因為按照中國臺灣媒體的報道，臺積電（TSMC）依靠快速增長(cháng)的營(yíng)收，正在無(wú)限逼近英特爾，很有可能在三季度實(shí)現在營(yíng)收
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西門(mén)子擴展多款 IC 設計解決方案對臺積電先進(jìn)工藝的支持
- 獲得臺積電技術(shù)認證的西門(mén)子EDA 產(chǎn)品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領(lǐng)先物理驗證解決方案；以及 Analog FastSPICE? 平臺——專(zhuān)為納米級模擬、射頻（RF）、混合信號、存儲器和定制數字電路提供快速電路驗證。這兩個(gè)產(chǎn)品系列目前均已獲得臺積電 N4P 和 N3E 工藝認證。作為臺積電 N3E 工藝的定制設計參考流程 (CDRF) 的一部分，Analog FastSPICE 平臺還可支持可靠性感知仿真，包括老化、實(shí)時(shí)自熱效應和高級可靠性功能。 Calibr
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臺積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開(kāi)幕
- 晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家24日出席「臺積電日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心」開(kāi)幕啟用典禮，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺積電設立，并與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學(xué)等日本逾20家廠(chǎng)商合作，總投資金額達370億日圓，日本政府透過(guò)新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統合開(kāi)發(fā)機構（NEDO）出資190億日圓。臺積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設立的臺積電日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心24日開(kāi)幕啟用，由于日本已開(kāi)放臺灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離，魏哲家與臺積電先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席，說(shuō)明臺
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是德科技與新思科技共同合作，支持臺積電 N6RF 設計參考流程
- 是德科技（Keysight Technologies Inc.） 是推動(dòng)全球企業(yè)、服務(wù)供應商和政府機構網(wǎng)路連接與安全創(chuàng )新的技術(shù)領(lǐng)導廠(chǎng)商，該公司日前宣布其 Keysight PathWave RFPro 與新思科技（Synopsys）定制化編譯器設計環(huán)境已完成整合，以便支持臺積電（TSMC）最新的 6 納米 RF（N6RF）設計參考流程。對于集成電路（IC）設計人員來(lái)說(shuō)，EDA 工具和設計方法至關(guān)重要。最新的 TSMC N6RF 設計參考流程，為設計人員提供重要指引，使其能夠利用臺積電先進(jìn)的 N6RF 互補
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2022年聚焦十二英寸產(chǎn)能擴充，預估成熟制程產(chǎn)能年增20%
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資料顯示，2022年全球晶圓代工產(chǎn)能年增約14%，其中八英寸產(chǎn)能因擴產(chǎn)較不符合成本效益，增幅遠低于整體產(chǎn)業(yè)平均，年增約6%，而十二英寸年增幅則為18%。其中，十二英寸新增產(chǎn)能當中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達20%，顯見(jiàn)2022年各晶圓代工廠(chǎng)多半將擴產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴產(chǎn)動(dòng)能來(lái)自于臺積電（TSMC）、聯(lián)電（UMC）、中芯國際（SMIC）、華虹集團（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成
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TrendForce：一季度晶圓代工產(chǎn)值季增8.2%
- 據TrendForce研究顯示，盡管消費性電子需求持續疲弱，但服務(wù)器、高效能運算、車(chē)用與工控等領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)結構性增長(cháng)需求不墜，成為支持中長(cháng)期晶圓代工成長(cháng)的關(guān)鍵動(dòng)能。同時(shí)，由于2022年第一季產(chǎn)出大量漲價(jià)晶圓，推升該季產(chǎn)值連續十一季創(chuàng )下新高，達319.6億美元，季增幅8.2%較前季略為收斂。排名方面，最大變動(dòng)為合肥晶合集成（Nexchip）超越高塔半導體（Tower）至第九名。由于臺積電（TSMC）在去年第四季全面調漲晶圓價(jià)格，該批晶圓主要于2022年第一季產(chǎn)出，加上高效能運算需求持續旺盛及較佳的外幣匯率助攻，
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日本為中國芯片企業(yè)補貼4760億
- 近日，由臺積電在日本九州熊本縣的晶圓廠(chǎng)獲得了日本官方給予的4760億日元（折合人民幣約237億元）的補助。而這座工廠(chǎng)的計劃成本為1.1萬(wàn)億日元，所以此次的補貼占據了投資計劃的43%。根據此前消息，臺積電計劃該工廠(chǎng)與2024年12月開(kāi)始投產(chǎn)，預計生產(chǎn)28nm~22nm制程工藝，未來(lái)可能會(huì )升級到12nm~16nm制程工藝。值得一提的是，雖然此次日本官方的補貼占據了投資計劃的43%，但臺積電依舊全資持有該工廠(chǎng)。
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密度僅提升10% 臺積電2nm工藝擠牙膏：Intel要贏(yíng)回來(lái)了
- 在技術(shù)論壇上，臺積電首次全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%?！ ∪欢阅芗肮目粗?zhù)還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話(huà)，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝?！ ∨_積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多?！ ∶芏忍?/li>
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臺積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%
- 日前，臺積電全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著(zhù)還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話(huà)，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。
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臺積電、Intel、三星狂買(mǎi)ASML EUV光刻機
- 臺積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線(xiàn)圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀(guān)結構，取代FinFET。期間，臺積電甚至規劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專(zhuān)業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠(chǎng)。顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠(chǎng)的關(guān)鍵核心設備，EUV光刻機少不了要采購一大批。臺積電表示，計劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機。此前，Intel曾說(shuō)自己是第一個(gè)訂購ASML下一代EUV光刻機的
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臺積電.晶圓代工介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對臺積電.晶圓代工的理解，并與今后在此搜索臺積電.晶圓代工的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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