臺積電2nm預計2025年量產(chǎn)

據臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工廠(chǎng)臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。

臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠(chǎng)預計于2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。

雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，FinFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì )遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構生產(chǎn)2nm芯片。

臺積電2nm廠(chǎng)將落地竹科寶山二期擴建計劃，“竹科管理局”已展開(kāi)公共設施建設，臺積電2nm廠(chǎng)也開(kāi)始進(jìn)行整地作業(yè)。

臺積電2nm首次采用納米片架構，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%。在相同頻率下，功耗降低25%至30%。臺積電總裁魏哲家日前在技術(shù)論壇中強調，臺積電2nm將會(huì )是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。

此前消息稱(chēng)，將在2024年取得ASML下世代極紫外光微影設備（high-NA EUV），為客戶(hù)發(fā)展相關(guān)的基礎設施與架構解決方案。臺積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強則表示，2024年取得設備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì )量產(chǎn)。