力拚臺積電押寶3納米GAAFET技術(shù)，三星3年內良率成關(guān)鍵

韓國媒體表示，韓國三星計劃3年內創(chuàng )建GAAFET技術(shù)3納米節點(diǎn)，成為芯片代工業(yè)界的游戲規則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺積電。

《BusinessKorea》指出，GAAFET技術(shù)是新時(shí)代制程，改善半導體晶體管結構，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術(shù)生產(chǎn)芯片比FinFET更精確控制電流。

市場(chǎng)研究調查機構TrendForce報告指出，2021年第四季臺積電全球芯片代工產(chǎn)業(yè)以高達52.1%市場(chǎng)占有率狠甩韓國三星，為了追上臺積電，三星押注GAAFET技術(shù)，并首先用于3納米節點(diǎn)，6月開(kāi)始試產(chǎn)，成為全球首家采用GAAFET技術(shù)的芯片代工廠(chǎng)。三星資料顯示，與5納米制程相較，GAAFET技術(shù)3納米制程性能提高15%，能耗降低30%，芯片面積減少35%。

三星近期試產(chǎn)GAAFET技術(shù)3納米制程后，接下來(lái)是2023年導入第二代3納米制程芯片量產(chǎn)，并2025年量產(chǎn)GAAFET技術(shù)2納米制程。反觀(guān)臺積電，下半年量產(chǎn)采用FinFET技術(shù)3納米節點(diǎn)。臺積電沿用FinFET技術(shù)的原因是成本與穩定性。

韓國市場(chǎng)人士表示，如果三星GAAFET為主3納米制程確保良率，就能成為代工市場(chǎng)的游戲規則破壞者。加上臺積電日前公布2025年才會(huì )導入GAAFET技術(shù)2納米制程，2026年左右發(fā)布第一款產(chǎn)品，從2022年底到2025年3年，對三星芯片代工業(yè)務(wù)來(lái)說(shuō)非常關(guān)鍵。

近日三星宣布五年內投資半導體等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)總計450兆韓元，卻面臨3納米制程障礙。與三星相同的是，臺積電提高3納米良率也有困難，原本計劃7月開(kāi)始為英特爾和蘋(píng)果量產(chǎn)3納米芯片，GPU大廠(chǎng)英偉達也支付高達90億美元預付款，采臺積電3納米生產(chǎn)今年發(fā)布的GeForce RTX40系列GPU，但良率問(wèn)題，GeForce RTX40系列GPU最后采5納米而非3納米。

報引導用臺灣媒體指出，臺積電難確保3納米預期良率，多次修改技術(shù)路線(xiàn)。不過(guò)臺積電狀況三星也有一樣遭遇。雖然三星宣稱(chēng)3納米準備試產(chǎn)，但良率還是過(guò)低，一直延后量產(chǎn)進(jìn)程。韓國市場(chǎng)分析師表示，除非三星為7納米或更先進(jìn)制程技術(shù)取得更多客戶(hù)，否則可能加劇投資者對三星業(yè)績(jì)的信心不足。