亞太晶圓代工廠(chǎng)2009年下半扮演資本支出復蘇推手

　　SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現落底，目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應鏈也已經(jīng)看到穩定回升的訊號，其中晶圓代工廠(chǎng)2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠(chǎng)、后段封測則跟進(jìn)。

　　晶圓代工廠(chǎng)臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì )上，臺積電又進(jìn)一步提高了2009年資本支出到23億美元，甚至超越了2008年的金額。此大額的投資金額主要將用于擴充40、45奈米及更先進(jìn)的制程技術(shù)產(chǎn)能。

　　時(shí)序進(jìn)入2009年第3季，亞太區領(lǐng)先的晶圓代工都已經(jīng)在第2季的營(yíng)收及產(chǎn)能利用率方面回升反彈，預估第3季營(yíng)運皆將較第2季持續成長(cháng)。例如，新加坡特許半導體(Chartered)在2009年看到65奈米制程技術(shù)的強勁需求，決定提高資本支出幅度33%達到5億美元，主要進(jìn)行12寸廠(chǎng)Fab 7的產(chǎn)能擴充。另外一方面，聯(lián)電也受到先進(jìn)制程回溫需求刺激，資本支出也從低于4億美元提高到5億美元。

　　而在存儲器產(chǎn)業(yè)方面，其資本支出仍被視為2010年半導體設備商的主要成長(cháng)動(dòng)力。經(jīng)過(guò)2年來(lái)的節縮成本之后，近期存儲器晶圓廠(chǎng)首次呈現資本支出復蘇的跡象。受惠于DRAM與Nand Flash業(yè)者控制供給的成效，2009年第1季已經(jīng)可以見(jiàn)到記憶憶產(chǎn)品價(jià)格趨于穩定。

　　韓國的三星電子(Samsung Electronics)與海力士(Hynix)已經(jīng)先后宣布提高2009年下半資本支出。由于存儲器產(chǎn)品價(jià)格穩步趨堅，以及主要的PC OEM業(yè)者需求改善，這2家存儲器龍頭紛紛繼續推進(jìn)其制程技術(shù)的進(jìn)程，以期能維持成長(cháng)的動(dòng)力與滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。例如三星打算提高半導體事業(yè)部門(mén)的資本支出以求保持其在產(chǎn)業(yè)內的領(lǐng)先地位;海力士也表示，下半年會(huì )提高DRAM與NAND Flash的資本支出金額，預期2009年底完成44奈米DRAM與32奈米Nand Flash產(chǎn)能建置;臺灣DRAM晶圓廠(chǎng)主要的投資約會(huì )落在2010年。

　　后段封裝測試方面，在第2季時(shí)候受到上游晶圓代工廠(chǎng)強勁需求的影響，產(chǎn)能利用率皆已明顯提升。臺灣主要的封裝測試業(yè)者由于受到先進(jìn)制程與特定應用的強勁需求，也提升其資本支出規畫(huà)，主要是在后段晶圓凸塊(wafer bumping)與晶圓級封裝(WLCSP)。在第1季所有的業(yè)者都承受極大的沖擊，但是第2季從上游的晶圓代工端開(kāi)始感受到復蘇，預期進(jìn)入下半年第3季起將可見(jiàn)更明顯的健康成長(cháng)信號，SEMI則是對2010年產(chǎn)業(yè)前景抱持謹慎樂(lè )觀(guān)的態(tài)度。