FinFET改變戰局 臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

　　晶圓代工廠(chǎng)邁入高投資與技術(shù)門(mén)檻的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動(dòng)化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場(chǎng)的競爭力。

　　臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀提到，今年臺積電雖屢創(chuàng )季營(yíng)收新高，但第四季因客戶(hù)調整庫存可能出現微幅下滑的情形。

　　臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場(chǎng)仍未看到具威脅性的對手，可望延續制程領(lǐng)先腳步，目前已開(kāi)始安裝設備，明年第一季將如期量產(chǎn)。然而，他也坦言，隨著(zhù)一線(xiàn)晶圓廠(chǎng)紛紛于2015年進(jìn)入14或16奈米FinFET制程后，臺積電確實(shí)將面臨更大的競爭壓力，特別是來(lái)自三星、英特爾等IDM大廠(chǎng)的威脅力道最劇，必須提早發(fā)動(dòng)因應策略。

　　事實(shí)上，FinFET技術(shù)更復雜、投資金額也更巨大，晶圓代工廠(chǎng)很難再以孤軍奮戰的策略進(jìn)行研發(fā)，因此臺積電正如火如荼組織產(chǎn)業(yè)同盟，目前已與益華電腦(Cadence)、明導國際(Mentor Graphics)等EDA工具商，以及安謀國際(ARM)和Imagination等IP業(yè)者達成共識，未來(lái)將共同在臺積電開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)上挹注創(chuàng )新技術(shù)能量，加速優(yōu)化16奈米FinFET制程。張忠謀認為，產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟重要性在于相互融合不同廠(chǎng)商的長(cháng)處，以研制最出色的制程解決方案，這將是臺積電與IDM較勁最關(guān)鍵的優(yōu)勢。

　　除聯(lián)合異業(yè)夥伴共同出擊外，張忠謀也透露，臺積電在今明兩年都將以95～100億美元的高額資本支出，不斷擴充FinFET研發(fā)團隊和產(chǎn)能，現已與大客戶(hù)展開(kāi)合作，搶先掌握許多16奈米FinFET設計定案(Tape Out)。

　　此外，臺積電也緊鑼密鼓投入再下一代的10奈米FinFET制程布局，避免在任何新技術(shù)節點(diǎn)的發(fā)展被對手超前。據悉，該公司與艾司摩爾(ASML)共同投入研發(fā)次世代極紫外光(EUV)微影技術(shù)，已逐步進(jìn)入收割階段，可望在2017年正式用于10奈米晶圓，大幅提高吞吐量與生產(chǎn)效率。

　　張忠謀強調，在FinFET時(shí)代，臺積電以晶圓代工廠(chǎng)的定位與IDM角逐市場(chǎng)還算有競爭力，但比較辛苦;若以產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟的方式將非常有競爭力，有信心能提供更完整的制程服務(wù)和更高品質(zhì)的晶片。