我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實(shí)現新突破

　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡(jiǎn)稱(chēng)中國電科二所)生產(chǎn)大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長(cháng)設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長(cháng)。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說(shuō)：“這100臺SiC單晶生長(cháng)設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！?/p>

　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料，具有重要的應用價(jià)值和廣闊的應用前景。

　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說(shuō)：“高純SiC粉料是SiC單晶生長(cháng)的關(guān)鍵原材料，單晶生長(cháng)爐是SiC單晶生長(cháng)的核心設備，要想生長(cháng)出高質(zhì)量的SiC單晶，在具備高純SiC粉料和單晶生長(cháng)爐條件下，還需要對生產(chǎn)工藝進(jìn)行設計、調試和優(yōu)化?！?/p>

　　據介紹，單晶生長(cháng)爐需要達到高溫、高真空、高潔凈度的要求，目前國內只有兩家能生產(chǎn)單晶生長(cháng)爐，中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長(cháng)的溫場(chǎng)設計，實(shí)現可用于150mm直徑SiC單晶生長(cháng)爐高極限真空、低背景漏率生長(cháng)爐設計制造及小批量生產(chǎn);他們還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。