寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件

　　行業(yè)標準的收緊和政府法規的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數據中心正在成倍增長(cháng)以滿(mǎn)足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時(shí))的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著(zhù)對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監管措施，以確保所有依賴(lài)能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。

　　同時(shí)，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動(dòng)汽車(chē)正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現這一目標。

　　碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開(kāi)始在材料中自由移動(dòng)。因而具有比硅更佳的特性和性能。

　　一個(gè)主要優(yōu)勢是大大減少開(kāi)關(guān)損耗。首先，這意味著(zhù)器件運行更不易發(fā)熱。這有益于整個(gè)系統，因為可減少散熱器的大小(和成本)。其次是提高開(kāi)關(guān)速度。設計人員現可遠遠超越硅MOSFET或IGBT的物理極限。這使得系統可減少無(wú)源器件，如變壓器、電感和電容器。因此，WBG方案可提高系統能效，減小體積和器件成本，同時(shí)提高功率密度。

　　碳化硅二極管廣泛用于能效至關(guān)重要的各種PFC拓撲結構。而且更易于處理電磁干擾(EMI)，因其極快的反向恢復速度。安森美半導體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產(chǎn)品陣容，涵蓋單相和多相應用的所有功率范圍。同時(shí)，我們將于2018年晚些時(shí)候推出的1200 V MOSFET，將提供最高的性能及極佳的強固性和高可靠性。安森美半導體提供一種專(zhuān)利的終端結構，確保同類(lèi)最佳的強固性和不會(huì )因濕度影響導致相關(guān)的故障。

　　GaN現在越來(lái)越為市場(chǎng)所接受。這有過(guò)幾次技術(shù)迭代，從“D-Mode”到Cascode，和現在最終的“E-Mode”(常關(guān)型)器件。GaN是一種超快的器件，需要重點(diǎn)關(guān)注PCB布板和優(yōu)化門(mén)極驅動(dòng)。我們現在看到設計人員了解如何使用GaN，并看到與硅相比的巨大優(yōu)勢。我們正與領(lǐng)先的工業(yè)和汽車(chē)伙伴合作，為下一代系統如服務(wù)器電源、旅行適配器和車(chē)載充電器提供最高的功率密度和能效。由于GaN是非常新的技術(shù)，安森美半導體將確保額外的篩檢技術(shù)和針對GaN的測試，以提供市場(chǎng)上最高質(zhì)量的產(chǎn)品。