應用角：云電源

　　云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術(shù)語(yǔ)。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無(wú)線(xiàn)電單元供電。用于存儲和處理的服務(wù)器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶(hù)仍可訪(fǎng)問(wèn)云。每臺服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉換器來(lái)提供負載點(diǎn)電源。

　　由于物聯(lián)網(wǎng)顯著(zhù)增加了捕獲某種數據的端點(diǎn)數(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長(cháng)54%)，因此需要大量的存儲器來(lái)處理和存儲數據。為此，正在構建大型服務(wù)器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產(chǎn)生熱量，終將會(huì )有損耗。這種發(fā)熱如此之大，以至于導致冷卻成本是運行服務(wù)器機群的主要成本之一。這導致PSU制造商不斷尋求構建更高能效的PSU。此外，為了以更佳的能效降低冷卻成本，需要減小PSU的尺寸，從而使更多的服務(wù)器可以安裝在相同的空間中。

　　傳輸這些數據的方式有很多種，但2019年部署的是下一代無(wú)線(xiàn)互聯(lián)5G。一旦5G技術(shù)得以充分利用，它將能夠提供比當前4G LTE網(wǎng)絡(luò )快10倍的速度。這種速度的提高需要更高的功率，這將使每個(gè)5G無(wú)線(xiàn)電中的功率MOSFET數增加約5倍。

　　為此，安森美半導體提供高性能分立方案，以成功地實(shí)現云電源市場(chǎng)的高能效目標。相較上一代超級結器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云電源能夠達到這更高的能效。SuperFETIII技術(shù)提供三種不同的版本：易驅動(dòng)版本(Easy Drive)、快恢復版本(FRFET)和快速版本(FAST)。應用和拓撲結構將決定應該使用哪個(gè)版本來(lái)獲得最佳的能效。

　　針對次級端，安森美半導體提供全系列中、低壓MOSFET，這些MOSFET已針對云電源進(jìn)行了優(yōu)化。T6技術(shù)為30V、40V和60V提供業(yè)界最低的RDSon。新的T8技術(shù)為25V、40V、60V和80V提供與T6相同的超低RDSon，同時(shí)進(jìn)一步改善了開(kāi)關(guān)參數。對于80 V、100 V和120 V，采用PTNG技術(shù)，提供出色的RDSon和體二極管性能。隨著(zhù)制造商挑戰更高能效和強固性，他們開(kāi)發(fā)出像安森美半導體的650及1200 V碳化硅(SiC)二極管這樣的器件，用于功率因數校正(PFC)級。

　　隨著(zhù)基于云的物聯(lián)網(wǎng)的急劇增加，云由最高能效的電源供電很重要。安森美半導體正盡己所能，提供25V至650 V的領(lǐng)先行業(yè)的MOSFET，并開(kāi)發(fā)下一代半導體SiC。