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東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統用的服務(wù)器電源和功率調節器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
美國阿肯色大學(xué)設計工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路
- 美國阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國國家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車(chē)和航空航天設備領(lǐng)域的處理器、驅動(dòng)器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場(chǎng)合的電子設備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。 阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授A(yíng)lan Mantooth說(shuō)，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無(wú)法工作的地方。我們設計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
- 關(guān)鍵字： SiC 集成電路
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統用的服務(wù)器電源和功率調節器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導體制造商株式會(huì )社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì )于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?！ ≌故井a(chǎn)品簡(jiǎn)介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
- 關(guān)鍵字： 東芝 IEGT SiC
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng )新SiC MOSFET系列 繼續保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng )新SiC MOSFET器件設計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、焊接和醫療設備的解決方案?！ ∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場(chǎng)增長(cháng)的良好條件，據市場(chǎng)研究機構Yole Développement預計，從201
- 關(guān)鍵字： 美高森美 MOSFET SiC
耐高溫半導體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛卡電子科技有限公司簽訂在華銷(xiāo)售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議，后者將會(huì )幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場(chǎng)大范圍推廣?！ ≈Z衛卡公司將其在碳化硅方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結合在一起，形成獨一無(wú)二的競爭力。例如：SiC 電源開(kāi)關(guān)專(zhuān)用的隔離式柵極驅動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調節器?！ ISSOID公司營(yíng)銷(xiāo)拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
- 關(guān)鍵字： CISSOID 諾衛卡 SiC
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
通過(guò)基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導通電阻
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
新日本無(wú)線(xiàn)新推出粗銅線(xiàn)絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD
- 新日本無(wú)線(xiàn)的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線(xiàn)絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線(xiàn)有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專(zhuān)長(cháng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠實(shí)現高音質(zhì)音響效果。
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線(xiàn) SiC-SBD MUSES
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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