基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧。

　　SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢

　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過(guò)程中沒(méi)有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個(gè)數量級。更重要的是，與之匹配的開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通損耗也可以得到大幅度減少，可提高應用電路的開(kāi)關(guān)頻率。在常溫下，其正態(tài)導通壓降和Si超快恢復器件基本相同，但SiC JBS的導通電阻具有正溫度系數，使得SiC JBS適合并聯(lián)應用。在變頻或逆變裝置中用SiC JBS替換 Si 快恢復二極管，可顯著(zhù)提高系統工作頻率和整機效率。

　　SiC JBS三大結構

　　SiC JBS性能優(yōu)勢是大電流密度、高工作結溫，其結構發(fā)展方向為：襯底減薄、使用Trench JBS結構和MPS(Merged PiN Schottky)結構。襯底減薄技術(shù)能夠有效地減小低壓SiC JBS的導通電阻，增強器件浪涌電流能力，減小器件熱阻，有利于器件在更高電流密度下工作。MPS結構有利于提高器件的浪涌電流能力。

　　在SiC JBS器件制程工藝中，p阱離子注入SiC晶格的深度受離子注入設備能力限制(<1um)，反偏條件下淺p-n結對肖特基結的屏蔽作用不是特別明顯，只有在相鄰p阱之間的間距較小時(shí)才能突顯出來(lái)，但同時(shí)帶來(lái)的正向導通溝道寬度變窄效應使得正向導通壓降顯著(zhù)增加。為了解決這一問(wèn)題，新一代SiC JBS的發(fā)展方向是Trench JBS結構或嵌入式JBS結構。

　　基本半導體SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢及應用領(lǐng)域

　　基本半導體致力于開(kāi)發(fā)3D結構的嵌入式SiC JBS二極管，與傳統的SiC JBS二極管相比，嵌入式JBS二極管正反向特性都得到了改善。嵌入式JBS二極管消除了離子注入P阱對肖特基接觸面積的影響，有利于增大電流密度，同時(shí)有利于提高阻斷電壓和雪崩能力?；景雽w高性能SiC JBS可廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、UPS、馬達驅動(dòng)、PFC等領(lǐng)域。

　　產(chǎn)品特征

　　? 低反向漏電流

　　? 零反向恢復電流

　　? 低正向導通壓降

　　? 正溫度系數VF值

　　? 高抗浪涌電流能力

　　系統優(yōu)勢

　　? 低開(kāi)關(guān)損耗

　　? 高效率

　　? 高功率密度

　　? 更高頻化應用

　　? 低熱阻-降低散熱要求

　　? 減小磁性元件體積和成本

　　SiC JBS重點(diǎn)產(chǎn)品推薦

　　1、B1D20120HC ? IF(135℃)：26A

　　? VF 25℃：1.45V

　　? VF 175℃：2.3V

　　? IFSM (tp = 10 ms)：160A

　　2、B1D20065HC ? IF(135℃)：30A

　　? VF 25℃：1.45V

　　? VF 175℃：1.8V

　　? IFSM( tp = 10 ms)：180A

　　3、B1D10065K ? IF(135℃)：14A

　　? VF 25℃：1.43V

　　? VF 175℃：1.8V

　　? IFSM(tp = 10 ms)：85A

　　基本半導體SiC JBS產(chǎn)品型號