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Nexperia將在漢堡投資2億美元
- 半導體制造商Nexperia近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠(chǎng)建立生產(chǎn)基礎設施。同時(shí)，晶圓廠(chǎng)的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會(huì )增加。此項投資是在該工廠(chǎng)成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟部長(cháng)Melanie Leonhard博士共同宣布的。為了滿(mǎn)足對高效功率半導體日益增長(cháng)的長(cháng)期需求，Nexperia將從2024年6月開(kāi)始在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)。這一舉措充分展現了Nexperia對電氣化和數
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Nexperia的650 V SiC二極管產(chǎn)品組合現可滿(mǎn)足汽車(chē)和更廣泛的工業(yè)應用需求
- Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現已符合汽車(chē)標準(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動(dòng)汽車(chē)和其他汽車(chē)中的多種應用。此外，為了進(jìn)一步擴展其SiC二極管產(chǎn)品組合，Nexperia現還提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封裝的額定電流為6 A、16 A和20 A的工業(yè)級器件，以提高設計靈活性。這些二極管解決了要求高電壓和高電流的應用的挑戰，包括開(kāi)關(guān)電源、AC-DC和DC-DC轉換器
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
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Nexperia公布2023年財務(wù)業(yè)績(jì)
- Nexperia近日宣布了2023年的財務(wù)業(yè)績(jì)，包括其關(guān)鍵汽車(chē)細分市場(chǎng)的強勁增長(cháng)以及研發(fā)投資的增加。Nexperia的總收入為21.5億美元（2022年為23.6億美元），其財務(wù)業(yè)績(jì)也反映出這一年半導體行業(yè)充滿(mǎn)了挑戰。盡管收入略有下降，市場(chǎng)需求疲軟，但強勁的傳統汽車(chē)細分市場(chǎng)的產(chǎn)品收入大幅增長(cháng)。2023年，Nexperia從多方面高度關(guān)注綠色能源轉型。首先，公司發(fā)布了首份ESG報告，鞏固了其對環(huán)境、社會(huì )和治理（ESG）原則的專(zhuān)注。另一個(gè)里程碑是Nexperia獲得了其首筆8億美元的高級可持續性關(guān)聯(lián)貸款（SL
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貿澤開(kāi)售Nexperia NEX1000xUB電源IC
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售Nexperia的NEX1000xUB電源IC。這些新型、省空間、可編程、高效率的雙輸出LCD偏壓電源專(zhuān)為空間受限的應用而設計，可延長(cháng)智能手機、平板電腦、虛擬現實(shí) (VR) 頭顯設備和LCD模塊的電池續航時(shí)間與視頻顯示壽命。貿澤供應的Nexperia NEX1000xUB電源IC結合了LDO穩壓器、集成式升壓轉換器和集成了有源輸出放電功能的負電荷泵，采用小于標準晶圓級封裝，尺寸為1.16m
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Nexperia推出能量平衡計算器，幫助能量采集以及進(jìn)一步延長(cháng)電池壽命
- Nexperia今天宣布推出能量平衡計算器。這是一款功能強大的網(wǎng)絡(luò )工具，旨在幫助電池管理工程師最大限度地延長(cháng)其應用的電池壽命或實(shí)現無(wú)電池應用。該計算器為工程師提供精確的數據，幫助他們做出明智的決策，以便將Nexperia的能量采集PMIC集成到其系統中。Nexperia能量采集PMIC的核心是最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)算法，可幫助各種消費電子產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)設備從環(huán)境中高效采集能量。為了充分利用這些PMIC的潛力，計算器使用實(shí)際技術(shù)參數。它計算傳遞給負載的能量和能量補償。因此，可以深入了解潛在的電池壽命延長(cháng)或
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Nexperia推出新一代低壓模擬開(kāi)關(guān) 簡(jiǎn)化汽車(chē)和工業(yè)系統設計
- 奈梅亨，2024年3月5日：全球基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全新的專(zhuān)用于監測和保護1.8 V電子系統的4通道和8通道模擬開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。該系列多路復用器包含適用于汽車(chē)應用的AEC-Q100認證型號，以及適用于更廣泛的消費類(lèi)和工業(yè)應用的標準版本，例如用于傳感器監測與診斷、企業(yè)計算以及家用電器等場(chǎng)景。在使用模擬開(kāi)關(guān)時(shí)，由于控制電路的電壓與模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓不匹配，設計人員通常需要額外采用電平轉換器。相比之下，NMUX1308和NMUX1309開(kāi)關(guān)中的控制引腳可以不受其供電電壓范
- 關(guān)鍵字： Nexperia 低壓模擬開(kāi)關(guān) 模擬開(kāi)關(guān)
Nexperia在A(yíng)PEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng )新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護。單個(gè)PCB上有多達96
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Nexperia現可提供采用節省空間的CFP3-HP汽車(chē)平面肖特基二極管
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布，現可提供采用CFP3-HP封裝的22種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合包括11種工業(yè)產(chǎn)品以及11種符合AEC-Q101標準的產(chǎn)品。本次產(chǎn)品發(fā)布是為了支持制造商以更小尺寸的CFP封裝器件取代SMx型封裝器件的發(fā)展趨勢，特別是在汽車(chē)應用中。這些二極管適用于DC-DC轉換、續流、反極性保護和OR-ing(打嗝)應用等。為盡可能實(shí)現設計靈活性，該產(chǎn)品組合中的器件選項提供30 V至100 V的反向電壓VR(max)和1 A至3 A的正向電流IF(a
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領(lǐng)域實(shí)現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線(xiàn)列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國際著(zhù)名的先進(jìn)電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿(mǎn)足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(cháng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節省空間和減輕
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能實(shí)現更高的電流密度和系統可靠性的IGBT模塊
- 隨著(zhù)全球對可再生能源的日益關(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現更高的電流密度和系統可靠性。自推出以來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點(diǎn)，被廣泛應用于馬達驅動(dòng)，光伏，UPS，儲能，汽車(chē) 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機驅動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域。讓我們先來(lái)走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
- 關(guān)鍵字： Nexperia IGBT
Nexperia超低結電容ESD保護二極管保護汽車(chē)數據接口
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布擴展其超低電容ESD保護二極管產(chǎn)品組合。該系列器件旨在保護汽車(chē)信息娛樂(lè )應用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網(wǎng)等接口的高速數據線(xiàn)路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車(chē)生產(chǎn)線(xiàn)中通過(guò)側邊爬錫進(jìn)行光學(xué)檢測。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
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