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ST第三代碳化硅技術(shù)問(wèn)世 瞄準汽車(chē)與工業(yè)市場(chǎng)應用

作者: 時(shí)間:2022-03-17 來(lái)源:CTIMES 收藏

電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說(shuō)明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長(cháng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,對此也有制定一些具體的目標。

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圖二

圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現各種節能目標的具體數據,圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,就能節省95.6億千瓦時(shí)(TWh)的能源。那么這意味著(zhù)什么呢?舉個(gè)直觀(guān)的例子,這相當于我們節省了15個(gè)核電站的發(fā)電量、減排3200萬(wàn)噸二氧化碳,或者是數千桶的石油。

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圖三

可以看到僅僅是領(lǐng)域對電力利用效率的提升就能夠有如此驚人的節能效果。永續發(fā)展一直是根植于我們企業(yè)文化的核心理念,早就宣布在2027年成為一家永續發(fā)展的企業(yè),也就是在2027年實(shí)現企業(yè)的碳中和。

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圖四

圖五顯示的是企業(yè)的發(fā)展目標,剛才提到ST要在2027年實(shí)現碳中和,這也與2021巴黎協(xié)議確立的2025年將升溫控制在1.5度以下的目標相符。ST非常希望,也在致力達成此一目標,這將透過(guò)利用可再生能源來(lái)達標。我們要在2027年降低電力消耗,目前我們正在積極參與和投身一系列相關(guān)項目和合作計劃,進(jìn)而達成此目標。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202203/432111.htm


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圖五

以上是向大家介紹一些背景信息,下面來(lái)看ST的優(yōu)勢(如圖六)。ST擁有多項新能源科技,比如寬能隙技術(shù)已經(jīng)催生出一系列相關(guān)應用,幫助我們達成之前提到的目標。剛才也提到,功率技術(shù)對達到高效應用與節能降耗扮演著(zhù)關(guān)鍵作用,其中的重點(diǎn)就是和氮化鎵這兩種新材料,如圖所示,它們相較普通硅材料具備更好的效能。寬能隙半導體擁有運作電壓高、開(kāi)關(guān)速度快、運作溫度高、導通電阻低、產(chǎn)生熱量少、耗散功率低、效能高這些優(yōu)勢,節能效果非常出色。由于兩種技術(shù)各有不同特點(diǎn),各自的應用情境也有所不同。


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圖六

透過(guò)圖七,大家應該會(huì )對與氮化鎵各自對應的應用需求有一個(gè)更加清晰的概念,主要是功率利用和開(kāi)關(guān)頻率??梢钥吹?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/碳化硅">碳化硅與氮化鎵導體能夠滿(mǎn)足的需求略有不同,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是帶來(lái)更強的功率。碳化硅能夠提升開(kāi)關(guān)頻率,而氮化鎵消耗的電能更少。這項技術(shù)與現有的硅科技能夠形成互補,不過(guò)功能上也有些許重迭,今后將會(huì )不斷優(yōu)化和完善。剛才講到碳化硅與氮化鎵催生了一系列新的應用,也帶來(lái)了一些新的限制,這些都需要我們加深了解并突破。


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圖七

接著(zhù)來(lái)看整條電力轉換鏈(圖八),從發(fā)電側開(kāi)始,經(jīng)過(guò)輸配電、儲電和變流,再到最終的用電側也就是終端使用者。毫無(wú)疑問(wèn),以碳化硅和氮化鎵為主的全新電力技術(shù)能夠在整條電力轉換鏈的各個(gè)環(huán)節發(fā)揮作用,做出卓有成效的貢獻。

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圖八

圖九顯示的是兩種材料的屬性,這些材料能夠用于更高級別的功率技術(shù)應用,這些技術(shù)用過(guò)去的硅材料是無(wú)法實(shí)現的,當然也能夠透過(guò)全新的拓撲帶來(lái)驚人的功率利用效率,這些都會(huì )形成終端應用的優(yōu)勢。


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圖九

圖十是對碳化硅應用優(yōu)勢的重點(diǎn)摘要,涵蓋領(lǐng)域包括制造、應用等,許多優(yōu)勢對終端使用者都是顯而易見(jiàn)的。


以電動(dòng)制造為例,碳化硅可用于制造牽引逆變器、充電樁、DC-DC轉換器等配套設備,這些能夠帶來(lái)更長(cháng)的行駛里程、車(chē)輛自重的減輕,這些都是使用者在使用過(guò)程中可以直觀(guān)感受到的。除此之外當然還有性能更強的電動(dòng)汽車(chē)充電站,碳化硅能夠加快充電速度,縮短充電時(shí)間,進(jìn)而促進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)的推廣和普及。

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圖十

碳化硅的工業(yè)應用還包括提升服務(wù)器和數據云端內存的供電效率,最終降低使用者整體成本,此外還可應用于自動(dòng)化的工業(yè)驅動(dòng)馬達制造,碳化硅能夠讓設備體積、尺寸和重量減小,最終同樣會(huì )降低使用者整體成本,而在可再生能源、太陽(yáng)能電站、風(fēng)車(chē)和服務(wù)器供電站等領(lǐng)域也有同樣作用??梢哉f(shuō)碳化硅在工業(yè)和汽車(chē)制造領(lǐng)域的應用擁有以上三大優(yōu)勢,但它的應用情境并不僅限于此。

圖十一可以看到碳化硅正在逐步獲得采用,雖然還未進(jìn)入大規模量產(chǎn)階段,但我們已經(jīng)與許多企業(yè)展開(kāi)合作,也就是說(shuō)ST正在對基于碳化硅的應用展開(kāi)系統性的研究、引進(jìn)和建模。碳化硅多數應用于短距飛機逆變器的制造,因為這類(lèi)飛行器屬于無(wú)人機和飛機的混合體,但這種材料也被應用于長(cháng)距飛機的制造。因此碳化硅不僅在汽車(chē)制造領(lǐng)域廣泛應用,航空領(lǐng)域也是如此。


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圖十一

我們再來(lái)看汽車(chē)制造領(lǐng)域(圖十二),電動(dòng)車(chē)采用馬達作為動(dòng)力來(lái)源可以說(shuō)是一項重大變革,也是一整套全新的動(dòng)能系統。這套系統不會(huì )產(chǎn)生二氧化碳排放,有著(zhù)更高的功率,能夠在更低的氣溫下運行,車(chē)身重量也減少了。而且制造電動(dòng)車(chē)相較內燃機車(chē)更加簡(jiǎn)易,這讓整個(gè)汽車(chē)制造業(yè)發(fā)生了動(dòng)蕩,也為許多跨界從業(yè)者帶來(lái)了進(jìn)入市場(chǎng)機會(huì )。

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圖十二

圖十三顯示的是一系列的長(cháng)期目標,許多國家和地區都在引進(jìn)電動(dòng)車(chē),或者聲稱(chēng)自己將會(huì )引進(jìn),但具體的計劃略有不同。美國計劃2030年電動(dòng)車(chē)市占率達到50%,歐洲37.5%,中國更有野心一些。目前中國電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)已經(jīng)是世界第一,因此將目標定在2025年。

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圖十三

歐洲和美國的境況略有不同,因此目標也不一樣,比如加州和英國設立的目標。當然,設立電動(dòng)車(chē)長(cháng)期目標不只有國家,汽車(chē)制造商也宣布自己雄心勃勃的目標,并不遺余力地去實(shí)現。這些廠(chǎng)商包括通用汽車(chē)、富豪、吉利等,中國還有許多早就在此領(lǐng)域布局的廠(chǎng)商,比如比亞迪,以及理想、小鵬、蔚來(lái)這些市場(chǎng)新秀,市場(chǎng)一片生機盎然的景象。

圖十四顯示的是組成電動(dòng)車(chē)最重要的運行系統,包括各種類(lèi)別電動(dòng)車(chē)、新能源車(chē)、新動(dòng)能車(chē)的二氧化碳減排等級。48瓦的低電耗是這些車(chē)輛零排放的主要原因,節能幅度大約可達15%~20%。整套架構下還有一些大型汽車(chē)制造商正在采用的技術(shù),但目前仍然受到來(lái)自產(chǎn)業(yè)本身或多或少的限制。


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圖十四

圖十五是動(dòng)力總成(TAM),透過(guò)這張圖能夠了解節能技術(shù)的重要性,特別是半導體技術(shù),包括這項技術(shù)正在發(fā)生的變化,這些新材料在未來(lái)幾年將發(fā)揮重要作用。全新的功率技術(shù)2020年僅占市場(chǎng)40%,但到2025年就會(huì )超過(guò)50%,其中碳化硅的比重更是高達這50%的1/4,相較2020年已經(jīng)有了大幅的提升。我們在碳化硅應用領(lǐng)域一直沖鋒前陣,包括ST的美國合作伙伴。我們2017年就已大規模量產(chǎn),雙方合作非常順暢,規模亦是不斷擴大。


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圖十五

再向大家介紹一下碳化硅逆變器相比IGBT逆變器的優(yōu)勢(圖十六),包括總芯片面積、開(kāi)關(guān)損耗、總損耗和接面溫度,更妥善的溫度管理、充電速度的明顯提升等等。

再看右邊的圖表,以ST的解決方案為主要參數作為參考。這是一個(gè)210千瓦的牽引逆變器,供電為10kHz和1200 MOSFET,與IGBT解決方案進(jìn)行比較??梢钥吹教蓟柘噍^IGBT所獲得的優(yōu)勢,特別是在最常見(jiàn)的應用領(lǐng)域,正如圖中灰色區域顯示的低負載僅90%,因此在效率上有明顯的優(yōu)勢,這些性能也會(huì )轉化為更長(cháng)的行駛里程。


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圖十六

圖十七是ST自有技術(shù)和產(chǎn)品,目前已經(jīng)擁有第三代碳化硅技術(shù),大部分已經(jīng)處于生產(chǎn)階段。對這項技術(shù)的研究最早可追溯到25年前,而這項技術(shù)現在已經(jīng)發(fā)展到了第三代,而且已經(jīng)量產(chǎn),下面會(huì )向大家說(shuō)明這些技術(shù)在每一代的改良與進(jìn)展。


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圖十七

我們想在這里強調的是,每當ST邁向下一個(gè)技術(shù)時(shí),都會(huì )進(jìn)一步改良主要的優(yōu)勢,然后擴大技術(shù)的應用范圍,并針對某些特定應用情境展開(kāi)客制化設計。大家可以看到我們的產(chǎn)品家族成員已經(jīng)非常多元,不斷有新的功率技術(shù)誕生。除了650-1200V的第三代技術(shù),我們還有高達2200V的高功率產(chǎn)品。

圖十八是ST最新相關(guān)新聞稿,包括一些創(chuàng )新成果和新推出的技術(shù),此外非常重要的還有我們可靠的生產(chǎn)制造發(fā)展策略,這是支撐龐大生產(chǎn)的關(guān)鍵。


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圖十八

圖十九是ST的兩大產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):RDS(on) x 芯片面積和RDS (on) x Qg,可以看到每次技術(shù)升級的過(guò)程中這一優(yōu)勢都會(huì )得到優(yōu)化,優(yōu)化幅度大約20%-25%,這會(huì )大幅提升性能和大幅降低成本。

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圖十九

圖二十是ST在碳化硅應用領(lǐng)域的市場(chǎng)地位的重點(diǎn)摘要,擁有著(zhù)相當高的市占率,去年的市占率已達50%,汽車(chē)領(lǐng)域甚至達到60%。ST的執行長(cháng) Jean-Marc Chery曾經(jīng)說(shuō)過(guò),ST的目標是2024年在碳化硅領(lǐng)域達10億美元的年營(yíng)收,包括晶體管、二極管和功率模塊。我們希望與各行各業(yè)進(jìn)行合作,包括所有汽車(chē)制造和工業(yè)界的一線(xiàn)OEM廠(chǎng)商,目前已有超過(guò)90個(gè)項目正在與這些產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導企業(yè)共同合作。

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圖二十

剛才提到ST已經(jīng)推出第三代碳化硅技術(shù),第四代技術(shù)也將推入市場(chǎng),預計今年年底就會(huì )獲得資格并上市。當然,我們致力于研發(fā)的不只是碳化硅技術(shù),也有深度參與許多其它晶圓的研發(fā)。為了充分發(fā)掘和發(fā)揮碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢,我們同樣需要探索許多類(lèi)型的前沿理念和技術(shù)。圖中展示的就是一些例子,包括混合組件和大型組件。圖中展示碳化硅技術(shù)在各種應用情境中的優(yōu)勢,包括損耗降低、頻率提升、成本降低、尺寸、重量和體積的減小。


圖二十一說(shuō)明ST圍繞碳化硅這些新興技術(shù)發(fā)展策略的其它要點(diǎn),剛才講過(guò)這一市場(chǎng)正處于蓬勃發(fā)展階段,各位也看到了這項技術(shù)的優(yōu)勢和豐富的應用情境,這也能夠解釋市場(chǎng)需求正迅速增加。

對于碳化硅這樣的新興技術(shù)來(lái)說(shuō),掌控甚至擁有自己的一整套產(chǎn)業(yè)鏈是非常重要的,ST也做了很多操作。目前我們已經(jīng)透過(guò)收購Norstel AB(已更名為ST AB)完成建立生產(chǎn)線(xiàn)。我們亦有制造碳化硅基材并設立多家工廠(chǎng),不斷擴充規模,進(jìn)一步整合生產(chǎn)鏈,以進(jìn)一步提升制造能力。意大利卡塔尼亞作為我們的重點(diǎn)基地之一也讓我們的生產(chǎn)能力獲得大幅度提升,我們在新加坡的生產(chǎn)線(xiàn)規模更是翻倍,目前我們正準備將生產(chǎn)線(xiàn)從6吋改造為8吋。我們還有在摩洛哥布斯庫拉和中國深圳的基地作為后段工廠(chǎng)。深圳是我們進(jìn)行相關(guān)封裝的主要工廠(chǎng),為領(lǐng)先的企業(yè)提供規?;姆庋b。

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圖二十一

我們的碳化硅產(chǎn)能到2024年將比2017年提升10倍,而從2024年到2027年規模也將進(jìn)一步擴充,發(fā)展空間巨大,我們建立這些大型工廠(chǎng)的目的就是滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求、支持ST自己的發(fā)展。

剛才講過(guò)碳化硅技術(shù)目前仍然處于雛形階段,因此仍然有許多領(lǐng)域需要我們進(jìn)一步探索和改良(圖二十二)。首先是晶圓原材料的高成本,目前我們已經(jīng)在與許多合作伙伴開(kāi)展技術(shù)研發(fā)試圖解決這一問(wèn)題。其次是外延成本,我們也在努力透過(guò)質(zhì)量改善解決,但這涉及到整個(gè)生產(chǎn)鏈的各個(gè)環(huán)節,因此需要未來(lái)開(kāi)展更多的運作。

可以說(shuō)這也是我們將外延層納入自身整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的原因之一,不只是為了控制成本和產(chǎn)量,也是為了提升產(chǎn)品質(zhì)量。剛才提到ST已經(jīng)進(jìn)行8吋生產(chǎn)線(xiàn)的升級,我們的第一批8吋原型也已經(jīng)誕生于ST AB。目前我們打算在外延工廠(chǎng)導入自動(dòng)化技術(shù)優(yōu)化生產(chǎn)流程,進(jìn)而提升自身生產(chǎn)制造的彈性以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。


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圖二十二

當然,我們在碳化硅應用領(lǐng)域取得的成功并非從天而降,二十五年前我們就在研究這項技術(shù)(圖二十三),充分利用卡塔尼亞的技術(shù)生態(tài)系統,并與意大利國家科研委員會(huì )、卡塔尼亞大學(xué)共同研究這個(gè)新材料,透過(guò)對這項技術(shù)本身,生產(chǎn)流程、生產(chǎn)設備的一系列改良,不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性,最終獲得了今天的成果。

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圖二十三

接著(zhù)介紹PowerGaN這項技術(shù)(圖二十四),之前大家已經(jīng)看到氮化鎵與碳化硅以及其它硅材料的比較,包括在功率需求、開(kāi)關(guān)頻率層面的性能,今天我們已經(jīng)完成了原型開(kāi)發(fā)。實(shí)際上我們對這項技術(shù)共有兩個(gè)發(fā)展方向:一個(gè)叫做D-MODE,其應用于G-FET、Gascode這了變流器,另一個(gè)是整合于同樣應用中的G-DRIVE,目前已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)。我們G-HEMT變流器,功率為650V,可以滿(mǎn)足大部分市場(chǎng)需求,100V產(chǎn)品也會(huì )催生一系列應用。


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圖二十四

下面是關(guān)于ST碳化硅技術(shù)的最新新聞稿(圖二十五),最近我們也已推出PowerGan解決方案,大部分是針對消費性產(chǎn)品的解決方案。

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圖二十五

圖二十六可以看到這些技術(shù)的具體應用情境,包括ST將碳化硅、氮化鎵與傳統硅材料解決方案進(jìn)行比較后的優(yōu)勢??梢钥吹竭@種材料大小只有過(guò)去材料的1/4,重量只有1/3,功率提升50%,功率損耗降低20%。我們也對這些技術(shù)進(jìn)行整合,催生一系列新的應用,包括針對終端消費者推出的各種應用組合。大家可以看到在此過(guò)程中我們技術(shù)的進(jìn)化,多元的應用正在被導入市場(chǎng)。

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圖二十六

圖二十七有一個(gè)應用列表,透過(guò)不同的顏色來(lái)做更詳細的分類(lèi)。大家應該還記得之前的產(chǎn)品發(fā)展藍圖,其中包括不同種類(lèi)的解決方案和應用情境。氮化鎵在汽車(chē)領(lǐng)域也在獲得越來(lái)越多重視,包括在車(chē)輛充電系統的應用。我們也有提供基礎轉換器,雖然并未整合到整個(gè)系統。

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圖二十七

圖二十八呈現的是ST產(chǎn)品策略的核心:我們在此領(lǐng)域也有開(kāi)展一些并購,包括法國創(chuàng )新型企業(yè)EXAGAN,其中G-FET、G-Drive和D-Mode這些產(chǎn)品就是源于這間公司。我們也與臺積電合作,進(jìn)而讓我們提前推出許多內測科技產(chǎn)品,透過(guò)臺積電快速地推入市場(chǎng)。我們的最終目標是完善我們的內測技術(shù),最終服務(wù)于我們清晰明確的產(chǎn)品策略。

目前我們針對氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)有完整的規劃,100V到650V各類(lèi)產(chǎn)品將會(huì )陸續推出,這些都會(huì )透過(guò)ST 8吋工廠(chǎng)生產(chǎn)。我們在卡塔尼亞也有一條GaN-on-Si RF生產(chǎn)線(xiàn)用于生產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品,大部分都是針對5G和6G基礎設施的應用。


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圖二十八

毫無(wú)疑問(wèn),功率技術(shù)是ST的核心所在,甚至能夠影響人類(lèi)社會(huì )的未來(lái)。除了傳統的IGBT、MOSFET技術(shù),我們將更多的全新科技推入市場(chǎng),因為這些科技讓我們和使用者獲得更高的能源利用效率,進(jìn)而減少能源流失,達到節能的目標。汽車(chē)和工業(yè)已成為碳化硅的首要應用領(lǐng)域,我們也已進(jìn)入大規模量產(chǎn)階段。我們目前處在這一市場(chǎng)的領(lǐng)導者地位,正在引領(lǐng)碳化硅的應用。我們也在持續不斷地在新興科技和生產(chǎn)線(xiàn)改良,以因應對未來(lái)巨量、不斷成長(cháng)的市場(chǎng)需求。氮化鎵在市場(chǎng)上大規模普及可能會(huì )再晚一些,因為要等到技術(shù)成熟,但碳化硅已有非常廣泛的應用范圍。我們已在碳化硅市場(chǎng)獲得領(lǐng)導地位,未來(lái)也會(huì )朝著(zhù)這一方向不斷探索。

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圖二十九



關(guān)鍵詞: ST 碳化硅 汽車(chē) 工業(yè) SiC

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