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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于A(yíng)pex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設備功率模塊
Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實(shí)現嚴苛環(huán)境下出色的電路保護
- 航空航天系統依賴(lài)于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執行器中的數字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數據中心、5G基礎設施和通信系統同樣依賴(lài)于復雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽(yáng)活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統仍必須保持連續運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過(guò)25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
- 關(guān)鍵字： TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統用的服務(wù)器電源和功率調節器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統用的服務(wù)器電源和功率調節器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
新日本無(wú)線(xiàn)新推出粗銅線(xiàn)絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD
- 新日本無(wú)線(xiàn)的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線(xiàn)絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線(xiàn)有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專(zhuān)長(cháng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠實(shí)現高音質(zhì)音響效果。
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線(xiàn) SiC-SBD MUSES
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