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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
學(xué)好嵌入式系統電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET
- 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體 硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。 根據電流流動(dòng)的構造，可將半導體分為N型和P型兩類(lèi)。 半導體的電流流通原理 (1) N型半導體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 FET
Zaptec公司采用意法半導體先進(jìn)的功率技術(shù)，開(kāi)發(fā)出獨具特色的便攜式電動(dòng)汽車(chē)充電器
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng )業(yè)公司Zaptec開(kāi)發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車(chē)充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng )新性初創(chuàng )公司。 作為市場(chǎng)首款內置電子變壓器的電動(dòng)汽車(chē)便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車(chē)充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC
SiC功率半導體市場(chǎng)將開(kāi)始高速發(fā)展
- SiC功率半導體正進(jìn)入多個(gè)應用領(lǐng)域 當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導體的未來(lái)發(fā)展存在疑慮，它會(huì )有市場(chǎng)嗎?它能夠真正實(shí)現商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會(huì )有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場(chǎng)是真實(shí)存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(chǎng)(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元，到2021年，其市場(chǎng)規模預計將超過(guò)5.5億美元，這期間的復合年均增長(cháng)率預計將達19%。毫無(wú)懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴大緊湊型門(mén)級驅動(dòng)產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門(mén)級驅動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專(zhuān)為驅動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車(chē)充電站、焊接設備及商用和農用車(chē)等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC-MOSFET
SiC耐壓更高，適合工控和EV
- SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線(xiàn)機器人、逆變器、伺服等。車(chē)輛方面，主要是電動(dòng)車(chē)(EV)，此外還有工廠(chǎng)車(chē)間的搬運車(chē)等特種車(chē)。 相比IGBT，SiC有一些特點(diǎn)，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現出耐高壓的特點(diǎn)。 現在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個(gè)芯片并聯(lián)在一起的。如果一個(gè)芯片40A左右，就需要約七八個(gè)芯片并聯(lián)，面積只有單個(gè)芯片那么大。絕緣層是由氧
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車(chē)牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車(chē)等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來(lái)越高?！ |芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠(chǎng)家，率先導入了“門(mén)級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專(zhuān)用商標---“IEGT”?！ |芝電子(中國)公司副董事長(cháng)野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過(guò)使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
- 關(guān)鍵字： IEGT SiC
SiC功率半導體接合部的自我修復現象，有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機構(NEDO)的項目下，發(fā)現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長(cháng)期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發(fā)現，在高溫的設備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車(chē)等領(lǐng)域的應用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見(jiàn)的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向
- 節能環(huán)保離不開(kāi)高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門(mén)領(lǐng)域：電力電子器件、汽車(chē)電源、USB Type-C供受電、無(wú)線(xiàn)充電、能量收集、數據中心電源，邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車(chē) 電池 USB Type-C 無(wú)線(xiàn)充電 能量收集 數據中心 201604
ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀(guān)眾駐足
- 全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì )上展出了ROHM所擅長(cháng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò )技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門(mén)應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測試器件的可靠性的現場(chǎng)數據，結果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴(lài)及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過(guò)170億器件-小時(shí)的測試后的現場(chǎng)數據的分布結果，以及提供在累計超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現場(chǎng)數據。這個(gè)數值與我們直至目前為止所取得
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 FET
TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動(dòng)器可驅動(dòng)高電壓電池
- 近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動(dòng)能量存儲系統，以及電機驅動(dòng)型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無(wú)人機、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等等。如需了解更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。 電感性
- 關(guān)鍵字： TI FET
“助攻”電源設計：900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng )新低！
- 全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實(shí)現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術(shù)，是開(kāi)關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。 世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，
- 關(guān)鍵字： 世強 SiC
Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠(chǎng)加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)
- DIGITIMES Research觀(guān)察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來(lái)功率半導體市場(chǎng)將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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