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如何保護你的系統不受反向電流的影響

  • 如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì )聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓,系統中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
  • 關(guān)鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗

  • 揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚聲器在內的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái),電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著(zhù)技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē),其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
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在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處

  •   摘要  本文評測了主開(kāi)關(guān)采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明,新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標桿,讓系統具更高的能效,對市場(chǎng)上現有系統設計影響較大?! ∏把浴 ∈袌?chǎng)對開(kāi)關(guān)速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高,而硅器件理論上正在接近性能上限?! 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業(yè)界看好,被認為是硅半導體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中,兼容硅
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制造能耗變革從新一代半導體開(kāi)始

  •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō),而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國第二個(gè)創(chuàng )新研究院“美國電力創(chuàng )新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng )新中心。      圖1:整體的能源轉換效率約在38
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ROHM SiC在汽車(chē)領(lǐng)域的應用

  • 近年來(lái),SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻,在新能源汽車(chē)、城市基礎設施、環(huán)境/能源,以及工業(yè)設備領(lǐng)域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比,SiC產(chǎn)品憑借更低的開(kāi)關(guān)損耗,可實(shí)現設備中冷卻機構的小型化。同時(shí),通過(guò)更高頻率的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,還可實(shí)現線(xiàn)圈和電容器等周邊元器件的小型化??梢?jiàn),SiC是可以同時(shí)實(shí)現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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走過(guò)疑慮 SiC器件終迎春天

  • 在經(jīng)過(guò)多年的疑慮和猶豫之后,SiC器件終于迎來(lái)了春天。
  • 關(guān)鍵字: SiC  Cree  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進(jìn)行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外,還必須具備適當的可靠性,以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動(dòng)電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿(mǎn)足這些要求。
  • 關(guān)鍵字: 電源轉換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設計

  • 人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人,可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了.
  • 關(guān)鍵字: SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案  

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

  • 人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人,可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了,但如何
  • 關(guān)鍵字: EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC  

第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

FET知識:采用結型FET實(shí)現的放大電路經(jīng)典案例

  •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接,以構成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
  • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應用的高效化與小型化

  •   <概要>  全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開(kāi)發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a(chǎn)品通過(guò)ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優(yōu)化,實(shí)現了600A額定電流,由此,在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開(kāi)關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí)),這非常有助于應
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  •   汽車(chē)功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動(dòng)汽車(chē)續航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng),2015-2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源
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汽車(chē)功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(chē)(2015年為14億部[1],汽車(chē)銷(xiāo)量為8,800萬(wàn)輛[2]),但汽車(chē)的半導體零件含量卻高得多。汽車(chē)功率IC穩健增長(cháng),2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長(cháng)率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動(dòng)的電動(dòng)汽車(chē)在該行業(yè)成為強勁增長(cháng)推動(dòng)力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動(dòng)車(chē)的報告顯示,該車(chē)型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節點(diǎn),使用200毫米(和
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功率半導體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩步提升

  •   與市場(chǎng)的不同的觀(guān)點(diǎn):傳統觀(guān)點(diǎn)認為功率半導體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語(yǔ),中泰電子認為隨著(zhù)新能源車(chē)和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長(cháng)期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規模小、技術(shù)落后、品類(lèi)不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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