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世界首家“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構成。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  半導體  SiC  

用于VCA或幅度調制的FET乘法運算電路介紹

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運算與幅度調制(AM)等效,可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
  • 關(guān)鍵字: VCA  FET  幅度調制  乘法運算    

用SiC撬動(dòng)新能源、汽車(chē)電子新興市場(chǎng)

  • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域,很多半導體廠(chǎng)商都看好SiC技術(shù)的未來(lái),并積極投身其中,在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后,羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系,并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn),羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  太陽(yáng)能  SiC  

20W-50W單端FET純甲類(lèi)功放的設計制作

  • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標,就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現,單端純甲類(lèi)功放,音質(zhì)醇厚,偶次 ...
  • 關(guān)鍵字: 單端  FET  甲類(lèi)  功放  

與萬(wàn)用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器電路

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠(chǎng)已分了幾種等級,但一個(gè)等級內仍有差別,如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí),
  • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗  電路  VP  FET  結合  使用  萬(wàn)用表  

隔離式FET脈沖驅動(dòng)器原理及設計

  • 隔離式FET脈沖驅動(dòng)器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
  • 關(guān)鍵字: 隔離式  FET  脈沖驅動(dòng)器  

使用結型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時(shí),通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關(guān)鍵字: FET  結型  電壓控制  放大器電路    

保護汽車(chē)冷卻風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴苛的汽車(chē)環(huán)境中,各種功率場(chǎng)效應晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負載及多次短路久而久之會(huì )讓該器件疲損,致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
  • 關(guān)鍵字: RTP器件  FET  

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會(huì )社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管,組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統等電力電子產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  功率器件  SiC  

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司將繼續引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件??其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統硅器件相比,可實(shí)現更高的能源效率。
  • 關(guān)鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

  •  在計算和消費電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著(zhù)的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉換上。不過(guò),隨著(zhù)80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現,設計人員開(kāi)始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進(jìn)?! C/DC平均系統
  • 關(guān)鍵字: 改善  能量  效率  開(kāi)關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過(guò)  

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設備,與擁有電力系統和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時(shí)實(shí)現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設備的變頻驅動(dòng),開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂,世界首家實(shí)現了壓鑄模類(lèi)型、225℃高溫下工作,并可與現在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機信號

  • 智能手機代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰性的射頻產(chǎn)品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
  • 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

羅姆半導體: “四大戰略”迸發(fā)強勁動(dòng)力

  • 據羅姆中國營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹,面對未來(lái)的50年,羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業(yè)戰略。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  
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