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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計的幾種方法
- 隨著(zhù)城市快節奏的發(fā)展，大多數人擁有自己的車(chē)，這也使得交通變得擁堵，而汽車(chē)在高峰期的走走停停會(huì )耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車(chē)系統中的“啟停”功能，但是這種系統也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨特的工程技術(shù)挑戰，汽車(chē)啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗，許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統會(huì )在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機，當腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)
- 關(guān)鍵字： P-FET MOSFET
Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開(kāi)關(guān)
- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現低導通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?！ LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關(guān)鍵字： Silego FET SLG59M1527V
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現石墨烯能隙
- 韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實(shí)現基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設計。 由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗發(fā)現后，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 FET
如何針對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： 反向轉換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
通過(guò)基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導通電阻
- 通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠(chǎng)商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過(guò)研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
新日本無(wú)線(xiàn)新推出粗銅線(xiàn)絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD
- 新日本無(wú)線(xiàn)的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線(xiàn)絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線(xiàn)有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專(zhuān)長(cháng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠實(shí)現高音質(zhì)音響效果。
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線(xiàn) SiC-SBD MUSES
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著(zhù)呈現出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學(xué)會(huì )“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開(kāi)始擴大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開(kāi)始對外銷(xiāo)售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
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